変調クロスフィールド磁界による反応性プラズマの構造制御に関する研究

この論文をさがす

著者

    • 川崎, 仁晴 カワサキ, ヒロハル

書誌事項

タイトル

変調クロスフィールド磁界による反応性プラズマの構造制御に関する研究

著者名

川崎, 仁晴

著者別名

カワサキ, ヒロハル

学位授与大学

長崎大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第58号

学位授与年月日

1993-03-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. <目次> / (0009.jp2)
  3. 目次 / (0009.jp2)
  4. 記号の説明 / (0012.jp2)
  5. 第1章 緒言 / p1 (0014.jp2)
  6. 1.1 放電プラズマの研究分野 / p1 (0014.jp2)
  7. 1.2 大面積均一薄膜形成の必要性 / p2 (0015.jp2)
  8. 1.3 本論文の構成 / p4 (0017.jp2)
  9. 第2章 クロスフィールド磁界による反応性プラズマ制御の原理 / p5 (0018.jp2)
  10. 2.1 序論 / p5 (0018.jp2)
  11. 2.2 プラズマプロセスについて / p6 (0019.jp2)
  12. 2.3 変調クロスフィールド磁界による反応性プラズマの制御 / p18 (0031.jp2)
  13. 2.4 クロスフィールド磁界中のプラズマ輸送効果の解析 / p23 (0036.jp2)
  14. 2.5 エネルギーアナライザーによるプラズマのE×Bドリフト速度の測定 / p29 (0042.jp2)
  15. 2.6 結論 / p42 (0055.jp2)
  16. 第3章 クロスフィールド磁界中の基本的放電特性 / p43 (0056.jp2)
  17. 3.1 序論 / p43 (0056.jp2)
  18. 3.2 クロスフィールド磁界中の放電特性測定装置 / p45 (0058.jp2)
  19. 3.3 クロスフィールド磁界中の放電特性の変化 / p55 (0068.jp2)
  20. 3.4 結論 / p72 (0085.jp2)
  21. 第4章 クロスフィールド磁界によるプラズマの構造制御 / p73 (0086.jp2)
  22. 4.1 序論 / p73 (0086.jp2)
  23. 4.2 プローブ法によるプラズマ中の荷電粒子密度空間分布測定 / p74 (0087.jp2)
  24. 4.3 発光分光法による反応性プラズマ中のラジカル粒子の測定 / p100 (0113.jp2)
  25. 4.4 陰極シース内部における発光強度空間分布 / p123 (0136.jp2)
  26. 4.5 結論 / p153 (0166.jp2)
  27. 第5章 走査プラズマ法を用いたプラズマおよび薄膜の均一化効果 / p155 (0168.jp2)
  28. 5.1 序論 / p155 (0168.jp2)
  29. 5.2 均一化効果測定のための実験装置 / p156 (0169.jp2)
  30. 5.3 イオン飽和電流空間分布の均一化効果 / p158 (0171.jp2)
  31. 5.4 SiHラジカル発光種の空間分布の均一化効果 / p164 (0177.jp2)
  32. 5.5 膜厚の均一化効果 / p168 (0181.jp2)
  33. 5.6 走査プラズマ法による大面積均一薄膜形成のための一般的条件 / p170 (0183.jp2)
  34. 5.7 イオン飽和電流、ラジカル発光種、薄膜の空間分布の比較 / p176 (0189.jp2)
  35. 5.8 大面積均一薄膜の試作 / p178 (0191.jp2)
  36. 5.9 結論 / p184 (0197.jp2)
  37. 第6章 結言 / p186 (0199.jp2)
  38. 参考文献 / (0202.jp2)
  39. 謝辞 / (0206.jp2)
  40. E×B DRIFT FLUX IN MAGNETIZED CVD PLASMAS / p163 (0216.jp2)
  41. Two-Dimensional Profile of Emissive Species in a Magnetized SiH₄/Ar Glow Discharge For the Scanning-Plasma CVD Method / p445 (0223.jp2)
  42. Averaging effect of radical particle profile by the scanning plasma method in SiH₄-Ar plasmas / p569 (0231.jp2)
  43. TWO-DIMENSIONAL STRUCTURE OF REACTIVE SILANE PLASMAS IN THE PRESENCE OF CROSSED MAGNETIC AND ELECTRIC FIELDS / p161 (0239.jp2)
  44. 磁界による反応性プラズマの制御 / p173 (0246.jp2)
  45. Preparing of Large-area Thin Films Using the Averaging Effect of Radical Particles by the Scanning Plasma Method / p85 (0251.jp2)
  46. AVERAGING EFFECT OF RADICAL PARTICLES BY A MODULATED MAGNETIC FIELD IN REACTIVE PLASMAS / p437 (0256.jp2)
  47. 走査プラズマ法によるラジカル粒子の空間分布制御 / p289 (0262.jp2)
  48. SiH₄/Arグロー放電における発光種の二次元空間分布 / p137 (0267.jp2)
  49. Development of New Production Technique for 2m² Amorphous Silicon Solar Cell / p181 (0272.jp2)
  50. 変調クロスフィールド磁界による大面積均一薄膜の形成 / p185 (0275.jp2)
  51. GAMMA-ELECTRON IMPACT EXCITATION AND EMISSION IN THE CATHODE SHEATH OF A SiH₄ GLOW DISCHARGE / p65 (0280.jp2)
  52. Control of Generation and Transport of Ions and Radicals and Film Preparation Control by a Magnetic Field / p116 (0285.jp2)
  53. アモルファスシリコン薄膜堆積電極の放電特性 / p87 (0290.jp2)
  54. 走査プラズマ法によるハニカム電極スパッタリング装置の開発 / p139 (0295.jp2)
  55. ハニカム円筒電極をもつ磁化プラズマスパッタリング装置 / p419 (0298.jp2)
  56. 四重極電極を用いたラインプラズマの発生 / p423 (0303.jp2)
  57. Amorphous-Carbon Corting of Optical Fiber by the Quadrupole Plasma CVD Method / p181 (0308.jp2)
  58. High speed pipe inner coating using magnetron hollow-cathode discharge in a magnetic field / p682 (0313.jp2)
  59. 短ギャップ低気圧プロセス用二重同軸型ECRプラズマの開発 / p339 (0319.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000096405
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000096631
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000260719
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ