有機金属気相成長法によるCdTe薄膜成長に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
有機金属気相成長法によるCdTe薄膜成長に関する研究
- 著者名
-
江川, 満
- 著者別名
-
エカワ, ミツル
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第5961号
- 学位授与年月日
-
1993-04-28
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 参考文献 / p7 (0010.jp2)
- 第2章 CdTe薄膜の成長条件 / p10 (0012.jp2)
- 2.1 はじめに / p10 (0012.jp2)
- 2.2 成長原料 / p10 (0012.jp2)
- 2.3 成長基板 / p12 (0013.jp2)
- 2.4 成長装置 / p12 (0013.jp2)
- 2.5 成長手順 / p15 (0014.jp2)
- 参考文献 / p17 (0015.jp2)
- 第3章 (100)GaAs基板上CdTe層の初期成長機構 / p18 (0016.jp2)
- 3.1 はじめに / p18 (0016.jp2)
- 3.2 CdTe成長面方位制御 / p18 (0016.jp2)
- 3.3 XPS,AESによるGaAs基板表面分析 / p22 (0018.jp2)
- 3.4 CdTe初期成長過程の検討 / p29 (0021.jp2)
- 3.5 まとめ / p36 (0025.jp2)
- 参考文献 / p36 (0025.jp2)
- 第4章 (100)CdTe層のMOVPE成長特性 / p39 (0026.jp2)
- 4.1 はじめに / p39 (0026.jp2)
- 4.2 成長条件と評価方法 / p39 (0026.jp2)
- 4.3 成長速度･表面モフォロジー特性 / p40 (0027.jp2)
- 4.4 CdTe成長機構の検討 / p48 (0031.jp2)
- 4.5 ピラミッド型ヒロックの特性 / p51 (0032.jp2)
- 4.6 成長界面の雰囲気状態と表面モフォロジーの対応 / p54 (0034.jp2)
- 4.7 まとめ / p55 (0034.jp2)
- 参考文献 / p56 (0035.jp2)
- 第5章 CdTe層へのAsドーピング機構とAsドープ層の物性 / p57 (0035.jp2)
- 5.1 はじめに / p57 (0035.jp2)
- 5.2 成長条件と評価方法 / p57 (0035.jp2)
- 5.3 Asドーピング実験結果 / p58 (0036.jp2)
- 5.4 実験結果の検討 / p69 (0041.jp2)
- 5.5 まとめ / p80 (0047.jp2)
- 参考文献 / p81 (0047.jp2)
- 第6章 CdTe層へのGaドーピング機構とGaドープ層の物性 / p83 (0048.jp2)
- 6.1 はじめに / p83 (0048.jp2)
- 6.2 成長条件と評価方法 / p83 (0048.jp2)
- 6.3 Gaドーピング実験結果 / p84 (0049.jp2)
- 6.4 実験結果の検討 / p90 (0052.jp2)
- 6.5 まとめ / p94 (0054.jp2)
- 参考文献 / p94 (0054.jp2)
- 第7章 結論 / p96 (0055.jp2)
- 謝辞 / p100 (0057.jp2)
- 研究業績 / p101 (0057.jp2)
