有機金属気相成長法によるCdTe薄膜成長に関する研究

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著者

    • 江川, 満 エカワ, ミツル

書誌事項

タイトル

有機金属気相成長法によるCdTe薄膜成長に関する研究

著者名

江川, 満

著者別名

エカワ, ミツル

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5961号

学位授与年月日

1993-04-28

注記・抄録

博士論文

10810

博士(工学)

1993-04-28

大阪大学

14401乙第05961号

目次

  1. 目次 / (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 参考文献 / p7 (0010.jp2)
  4. 第2章 CdTe薄膜の成長条件 / p10 (0012.jp2)
  5. 2.1 はじめに / p10 (0012.jp2)
  6. 2.2 成長原料 / p10 (0012.jp2)
  7. 2.3 成長基板 / p12 (0013.jp2)
  8. 2.4 成長装置 / p12 (0013.jp2)
  9. 2.5 成長手順 / p15 (0014.jp2)
  10. 参考文献 / p17 (0015.jp2)
  11. 第3章 (100)GaAs基板上CdTe層の初期成長機構 / p18 (0016.jp2)
  12. 3.1 はじめに / p18 (0016.jp2)
  13. 3.2 CdTe成長面方位制御 / p18 (0016.jp2)
  14. 3.3 XPS,AESによるGaAs基板表面分析 / p22 (0018.jp2)
  15. 3.4 CdTe初期成長過程の検討 / p29 (0021.jp2)
  16. 3.5 まとめ / p36 (0025.jp2)
  17. 参考文献 / p36 (0025.jp2)
  18. 第4章 (100)CdTe層のMOVPE成長特性 / p39 (0026.jp2)
  19. 4.1 はじめに / p39 (0026.jp2)
  20. 4.2 成長条件と評価方法 / p39 (0026.jp2)
  21. 4.3 成長速度・表面モフォロジー特性 / p40 (0027.jp2)
  22. 4.4 CdTe成長機構の検討 / p48 (0031.jp2)
  23. 4.5 ピラミッド型ヒロックの特性 / p51 (0032.jp2)
  24. 4.6 成長界面の雰囲気状態と表面モフォロジーの対応 / p54 (0034.jp2)
  25. 4.7 まとめ / p55 (0034.jp2)
  26. 参考文献 / p56 (0035.jp2)
  27. 第5章 CdTe層へのAsドーピング機構とAsドープ層の物性 / p57 (0035.jp2)
  28. 5.1 はじめに / p57 (0035.jp2)
  29. 5.2 成長条件と評価方法 / p57 (0035.jp2)
  30. 5.3 Asドーピング実験結果 / p58 (0036.jp2)
  31. 5.4 実験結果の検討 / p69 (0041.jp2)
  32. 5.5 まとめ / p80 (0047.jp2)
  33. 参考文献 / p81 (0047.jp2)
  34. 第6章 CdTe層へのGaドーピング機構とGaドープ層の物性 / p83 (0048.jp2)
  35. 6.1 はじめに / p83 (0048.jp2)
  36. 6.2 成長条件と評価方法 / p83 (0048.jp2)
  37. 6.3 Gaドーピング実験結果 / p84 (0049.jp2)
  38. 6.4 実験結果の検討 / p90 (0052.jp2)
  39. 6.5 まとめ / p94 (0054.jp2)
  40. 参考文献 / p94 (0054.jp2)
  41. 第7章 結論 / p96 (0055.jp2)
  42. 謝辞 / p100 (0057.jp2)
  43. 研究業績 / p101 (0057.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000096678
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000096905
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000260992
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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