GaAsデバイスの耐環境性向上に関する研究

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著者

    • 西口, 勝規 ニシグチ, マサノリ

書誌事項

タイトル

GaAsデバイスの耐環境性向上に関する研究

著者名

西口, 勝規

著者別名

ニシグチ, マサノリ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5988号

学位授与年月日

1993-05-27

注記・抄録

博士論文

10840

博士(工学)

1993-05-27

大阪大学

14401乙第05988号

目次

  1. 目次 / p4 (0005.jp2)
  2. 1.序論 / p1 (0008.jp2)
  3. 1-1.GaAsデバイスの特長 / p1 (0008.jp2)
  4. 1-2.GaAsデバイスの耐環境性の現状と問題点 / p4 (0010.jp2)
  5. 1-3.耐環境性デバイスの意義 / p7 (0011.jp2)
  6. 1-4.本論文の構成 / p9 (0012.jp2)
  7. 1-5.参考文献 / p10 (0013.jp2)
  8. 2.GaAsウェハの裏面研削加工 / p13 (0014.jp2)
  9. 2-1.緒言 / p13 (0014.jp2)
  10. 2-2.ウェハ薄化技術の比較 / p14 (0015.jp2)
  11. 2-3.研削加工技術 / p17 (0016.jp2)
  12. 2-4.研削面粗さ / p19 (0017.jp2)
  13. 2-5.ウェハの反り / p24 (0020.jp2)
  14. 2-6.加工変質層厚さ / p30 (0023.jp2)
  15. 2-7.GaAsIC製造用裏面研削技術 / p41 (0028.jp2)
  16. 2-8.結言 / p47 (0031.jp2)
  17. 2-9.参考文献 / p48 (0032.jp2)
  18. 3.裏面研削されたGaAsICの機械的信頼性 / p52 (0034.jp2)
  19. 3-1.緒言 / p52 (0034.jp2)
  20. 3-2.機械的強度の試験方法 / p53 (0034.jp2)
  21. 3-3.1軸曲げ強度試験 / p60 (0038.jp2)
  22. 3-4.2軸曲げ強度試験 / p64 (0040.jp2)
  23. 3-5.GaAsIC用ダイボンディング技術 / p68 (0042.jp2)
  24. 3-6.熱衝撃試験 / p86 (0051.jp2)
  25. 3-7.結言 / p89 (0052.jp2)
  26. 3-8.参考文献 / p90 (0053.jp2)
  27. 4.裏面研削によるGaAsICの耐高温性向上 / p95 (0055.jp2)
  28. 4-1.緒言 / p95 (0055.jp2)
  29. 4-2.GaAsICの寿命予測 / p96 (0056.jp2)
  30. 4-3.ダイオード法 / p102 (0059.jp2)
  31. 4-4.液晶法 / p109 (0062.jp2)
  32. 4-5.赤外線法 / p115 (0065.jp2)
  33. 4-6.熱抵抗測定 / p120 (0068.jp2)
  34. 4-7.結言 / p127 (0071.jp2)
  35. 4-8.参考文献 / p128 (0072.jp2)
  36. 5.GaAs結晶のγ線照射効果 / p134 (0075.jp2)
  37. 5-1.緒言 / p134 (0075.jp2)
  38. 5-2.γ線照射実験方法 / p137 (0076.jp2)
  39. 5-3.γ線照射実験結果 / p151 (0083.jp2)
  40. 5-4.結言 / p158 (0087.jp2)
  41. 5-5.参考文献 / p159 (0087.jp2)
  42. 6.耐放射線性GaAsMESFET / p164 (0090.jp2)
  43. 6-1.緒言 / p164 (0090.jp2)
  44. 6-2.耐放射線性GaAs MESFET構造の提案 / p165 (0090.jp2)
  45. 6-3.γ線照射したGaAs MESFETの構造 / p168 (0092.jp2)
  46. 6-4.GaAsMESFETのγ線照射実験 / p172 (0094.jp2)
  47. 6-5.結言 / p176 (0096.jp2)
  48. 6-6.参考文献 / p177 (0096.jp2)
  49. 7.結論 / p179 (0097.jp2)
  50. 7-1.本研究の総括 / p179 (0097.jp2)
  51. 7-2.今後の課題 / p181 (0098.jp2)
  52. 7-3.参考文献 / p182 (0099.jp2)
  53. 謝辞 / p183 (0099.jp2)
  54. 関連発表論文 / p185 (0100.jp2)
  55. 本論文内容に直接関わる著者発表論文 / p185 (0100.jp2)
  56. 本論文内容に直接関わる国際会議発表 / p186 (0101.jp2)
  57. 著者発表論文 / p187 (0101.jp2)
  58. 国際会議発表 / p188 (0102.jp2)
  59. 著作文献 / p189 (0102.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000096705
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000096932
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000261019
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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