Study of atomic layer epitaxy of zinc-chalcogenides and their superlattices 亜鉛カルコゲナイド及びその超格子の原子層エピタキシーに関する研究

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著者

    • 竹村, 泰司 タケムラ, ヤスシ

書誌事項

タイトル

Study of atomic layer epitaxy of zinc-chalcogenides and their superlattices

タイトル別名

亜鉛カルコゲナイド及びその超格子の原子層エピタキシーに関する研究

著者名

竹村, 泰司

著者別名

タケムラ, ヤスシ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第2597号

学位授与年月日

1993-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. TABLE OF CONTENTS / (0005.jp2)
  3. Chapter1 Overview and Objective of This Research / p1 (0006.jp2)
  4. Chapter2 Key Features of Zinc-Chalcogenides and Their Superlattices / p5 (0008.jp2)
  5. 2-1 Physical properties of zinc-chalcogenides / p5 (0008.jp2)
  6. 2-2 Physical properties of zinc-chalcogenide superlattices / p9 (0010.jp2)
  7. 2-3 Epitaxial growth technique / p16 (0013.jp2)
  8. Chapter3 Atomic Layer Epitaxy of Zinc-Chalcogenides / p18 (0014.jp2)
  9. 3-1 Introduction / p18 (0014.jp2)
  10. 3-2 Growth mechanism of atomic layer epitaxy / p19 (0015.jp2)
  11. 3-3 Experimental process / p28 (0019.jp2)
  12. 3-4 Growth rate and processing window in atomic layer epitaxy of ZnSe / p30 (0020.jp2)
  13. 3-5 Fractional atomic layer epitaxy of ZnTe / p47 (0029.jp2)
  14. 3-6 Low temperature growth of ZnS using alternate supplies of diethylzinc and hydrogensulphide / p61 (0036.jp2)
  15. 3-7 Summary / p71 (0041.jp2)
  16. Chapter4 Valency Control of ZnSe Using Atomic Layer Epitaxy / p73 (0042.jp2)
  17. 4-1 Introduction / p73 (0042.jp2)
  18. 4-2 Valency control of ZnSe / p74 (0042.jp2)
  19. 4-3 Growth and characterization of Cl-doped ZnSe / p77 (0044.jp2)
  20. 4-4 Growth and characterization of N-doped ZnSe / p87 (0049.jp2)
  21. 4-5 Summary / p97 (0054.jp2)
  22. Chapter5 Atomic Layer Epitaxy of ZnSe-ZnTe Superlattice / p99 (0055.jp2)
  23. 5-1 Introduction / p99 (0055.jp2)
  24. 5-2 Atomic layer epitaxy of ZnSe-ZnTe superlattice / p100 (0055.jp2)
  25. 5-3 Structural analysis of ZnSe-ZnTe superlattice / p102 (0056.jp2)
  26. 5-4 Summary / p131 (0071.jp2)
  27. Chapter6 Optical Processes in ZnSe-ZnTe Superlattice / p133 (0072.jp2)
  28. 6-1 Introduction / p133 (0072.jp2)
  29. 6-2 Band structure of ZnSe-ZnTe superlattice / p135 (0073.jp2)
  30. 6-3 Photoluminescence spectrum / p140 (0075.jp2)
  31. 6-4 Exciton trapping at Te iso-electronic center / p148 (0079.jp2)
  32. 6-5 Summary / p161 (0086.jp2)
  33. Chapter7 General Conclusions / p163 (0087.jp2)
  34. Acknowledgements / p167 (0089.jp2)
  35. References / p168 (0089.jp2)
  36. List of Publications / p174 (0092.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000096938
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097166
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000261252
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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