Fundamental study of metal/insulator heterostructure electron devices 金属/絶縁体ヘテロ構造電子デバイスに関する基礎研究

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著者

    • 渡辺, 正裕 ワタナベ, マサヒロ

書誌事項

タイトル

Fundamental study of metal/insulator heterostructure electron devices

タイトル別名

金属/絶縁体ヘテロ構造電子デバイスに関する基礎研究

著者名

渡辺, 正裕

著者別名

ワタナベ, マサヒロ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第2609号

学位授与年月日

1993-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / p1 (0005.jp2)
  2. Chapter 1 Introduction / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 The Advantages of Using Metal-Insulator Combinations / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 Material Components / p3 (0009.jp2)
  5. 1.3 Purpose and Contents of this Thesis / p19 (0025.jp2)
  6. Chapter 2 Metal-Insulator Quantum-Interference High-Speed Electron Devices / p23 (0029.jp2)
  7. 2.1 Introduction / p23 (0029.jp2)
  8. 2.2 Structure and Operation Principle of the Device / p25 (0031.jp2)
  9. 2.3 Analysis of Device Characteristics / p30 (0036.jp2)
  10. 2.4 Response Time / p40 (0046.jp2)
  11. 2.5 Concluding Remarks / p43 (0049.jp2)
  12. Chapter 3 Metal(CoSi₂)/Insulator(CaF₂) heteroepitaxy on Si(111) / p44 (0050.jp2)
  13. 3.1 Introduction / p44 (0050.jp2)
  14. 3.2 Apparatus / p45 (0051.jp2)
  15. 3.3 Low temperature CaF₂ epitaxy by partially Ionized Beam Epitaxy / p50 (0056.jp2)
  16. 3.4 CoSi₂ epitaxy on CaF₂ / p56 (0062.jp2)
  17. 3.5 Electric conductance of nanometer-thick CoSi₂ sandwiched by CaF₂ / p58 (0064.jp2)
  18. 3.6 RHEED oscillation during CaF₂ growth on Si(111) / p66 (0072.jp2)
  19. 3.7 Concluding Remarks / p71 (0077.jp2)
  20. Chapter 4 Metal-Insulator Triple-Barrier Resonant Tunneling Diode / p73 (0079.jp2)
  21. 4.1 Introduction / p73 (0079.jp2)
  22. 4.2 Structure and design / p74 (0080.jp2)
  23. 4.3 I-V characteristics in 77K / p76 (0082.jp2)
  24. 4.4 Discussion / p79 (0085.jp2)
  25. 4.5 Negative Differential Resistance at Room Temperature / p82 (0088.jp2)
  26. 4.6 Layer Thickness Dependence of Negative Differential Resistance / p86 (0092.jp2)
  27. 4.7 Concluding Remarks / p87 (0093.jp2)
  28. Chapter 5 Metal-Insulator Hot Electron Transistor / p90 (0096.jp2)
  29. 5.1 Introduction / p90 (0096.jp2)
  30. 5.2 Hot electron transistor / p91 (0097.jp2)
  31. 5.3 Concluding Remarks / p107 (0113.jp2)
  32. Chapter 6 Conclusion / p108 (0114.jp2)
  33. Acknowledgements / p114 (0120.jp2)
  34. References / p117 (0123.jp2)
  35. Publication List / p125 (0131.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000096950
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097178
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000000261264
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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