A study on GaInAsP/InP surface emitting lasers grown by chemical beam epitaxy 化学ビーム成長法によるGaInAsP/InP面発光レーザに関する研究

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著者

    • 内田, 貴司 ウチダ, タカシ

書誌事項

タイトル

A study on GaInAsP/InP surface emitting lasers grown by chemical beam epitaxy

タイトル別名

化学ビーム成長法によるGaInAsP/InP面発光レーザに関する研究

著者名

内田, 貴司

著者別名

ウチダ, タカシ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第2622号

学位授与年月日

1993-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Table of Contents / (0003.jp2)
  2. Abstract / (0005.jp2)
  3. Chapter 1 Introduction / p1 (0007.jp2)
  4. 1.1 Background of Optical Communications / p1 (0007.jp2)
  5. 1.2 Requirements for Crystal Growth Technique / p7 (0013.jp2)
  6. 1.3 Objectives of This Study / p14 (0020.jp2)
  7. Chapter 2 Optimization of Chemical Beam Epitaxy (CBE) Operation / p20 (0026.jp2)
  8. 2.1 Background of CBE / p20 (0026.jp2)
  9. 2.2 Growth Mechanism / p25 (0031.jp2)
  10. 2.3 Setup of CBE System / p31 (0037.jp2)
  11. Chapter 3 Growth of [化学式]/InP / p41 (0047.jp2)
  12. 3.1 Growth Preparation / p41 (0047.jp2)
  13. 3.2 Optimization of Growth Condition / p41 (0047.jp2)
  14. 3.3 Controllablity of Composition / p54 (0060.jp2)
  15. 3.4 Growth of [化学式]/InP Quantum Well (QW) / p59 (0065.jp2)
  16. 3.5 Controllability of Layer Thickness / p65 (0071.jp2)
  17. 3.6 Optical Characteristics of Grown [化学式]/InP QW / p70 (0076.jp2)
  18. Chapter 4 Silicon (Si) and Beryllium (Be) Doping to InP and [化学式] / p91 (0097.jp2)
  19. 4.1 Doping Control for InP and [化学式] / p91 (0097.jp2)
  20. 4.2 Photoluminescence Characterization of Be-doped InP and GaInAsP / p100 (0106.jp2)
  21. Chapter 5 Growth of [化学式]/InP Surface Emitting Laser Materials / p114 (0120.jp2)
  22. 5.1 Growth of [化学式]/InP Double Heterostructure Laser Materials / p114 (0120.jp2)
  23. 5.2 Evaluation of Laser Materials / p126 (0132.jp2)
  24. Chapter 6 Fabrication and Lasing Characteristics of GaInAsP/InP Surface Emitting Lasers / p135 (0141.jp2)
  25. 6.1 Structure of Fabricated Surface Emitting Laser / p135 (0141.jp2)
  26. 6.2 Lasing Characteristics / p137 (0143.jp2)
  27. 6.3 Consideration of Laser Structure / p137 (0143.jp2)
  28. Chapter 7 Surface Emitting Lasers with GaInAsP/InP Distributed Bragg Reflector (DBR) / p155 (0161.jp2)
  29. 7.1 GaInAsP/InP DBR Growth / p155 (0161.jp2)
  30. 7.2 Design of Laser Structure / p169 (0175.jp2)
  31. 7.3 Demonstration of Hybrid Mirror Structure / p183 (0189.jp2)
  32. Chapter 8 Considerations for Future Development / p199 (0205.jp2)
  33. Chapter 9 Conclusion / p204 (0210.jp2)
  34. Acknowledgements / (0239.jp2)
  35. Publications / (0241.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000096963
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097191
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000261277
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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