カルコパイライト型銅化合物の有機金属気相エピタキシャル成長とデバイス応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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カルコパイライト型銅化合物の有機金属気相エピタキシャル成長とデバイス応用に関する研究
- 著者名
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本田, 徹
- 著者別名
-
ホンダ, トオル
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第2625号
- 学位授与年月日
-
1993-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 1. 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 背景 / p2 (0006.jp2)
- 1-2 本研究の目的と構成 / p20 (0024.jp2)
- 1-3 本論文の構成 / p21 (0025.jp2)
- 2. 原料および成長装置の検討 / p22 (0026.jp2)
- 2-1 原料系の問題点 / p23 (0027.jp2)
- 2-2 VI族原料の検討 / p29 (0033.jp2)
- 2-3 成長装置 / p33 (0037.jp2)
- 2-4 2章のまとめ / p39 (0043.jp2)
- 3. 3元カルコパイライト銅化合物のエピタキシャル成長 / p40 (0044.jp2)
- 3-1 成長手順 / p41 (0045.jp2)
- 3-2 試料の評価 / p43 (0047.jp2)
- 3-3 CuGaS₂のエピタキシャル成長 / p44 (0048.jp2)
- 3-4 CuGaSe₂のエピタキシャル成長 / p58 (0062.jp2)
- 3-5 CuAlS₂､CuAlSe₂のエピタキシャル成長 / p61 (0065.jp2)
- 3-6 3章のまとめ / p66 (0070.jp2)
- 4. 4元混晶の作製と評価 / p67 (0071.jp2)
- 4-1 CuGa([化学式])₂の作製 / p68 (0072.jp2)
- 4-2 CuAl([化学式])₂の作製 / p74 (0078.jp2)
- 4-3 CuGa([化学式])₂のラマン散乱 / p77 (0081.jp2)
- 4-4 4章のまとめ / p87 (0091.jp2)
- 5.5元混晶および多層ヘテロ構造の作製と評価 / p88 (0092.jp2)
- 5-1 Cu([化学式])([化学式])₂の成長と評価 / p89 (0093.jp2)
- 5-2 多層ヘテロ構造の作製と評価 / p93 (0097.jp2)
- 5-3 5章のまとめ / p107 (0111.jp2)
- 6. p型不純物ドーピング / p108 (0112.jp2)
- 6-1 CuGaS₂薄膜へのp型ドーピング / p109 (0113.jp2)
- 6-2 アンドープCuGaS₂薄膜の電気的特性 / p112 (0116.jp2)
- 6-3 CuGaS₂薄膜へのV族ドーピング / p114 (0118.jp2)
- 6-4 p型CuGaS₂を用いた発光ダイオードの作製 / p123 (0127.jp2)
- 6-5 6章のまとめ / p131 (0135.jp2)
- 7. 結論 / p132 (0136.jp2)
- 7-1 本研究の結論 / p133 (0137.jp2)
- 7-2 今後の展望 / p135 (0139.jp2)
- 謝辞 / p138 (0142.jp2)
- 本研究に関する発表 / p139 (0143.jp2)
- 参考文献 / p143 (0147.jp2)