非晶質Si系材料を用いたSiヘテロ接合デバイスの研究

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著者

    • 佐々木, 公洋 ササキ, キミヒロ

書誌事項

タイトル

非晶質Si系材料を用いたSiヘテロ接合デバイスの研究

著者名

佐々木, 公洋

著者別名

ササキ, キミヒロ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2378号

学位授与年月日

1992-07-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 論文目次 / p1 (0005.jp2)
  3. 第1章 序論 / (0007.jp2)
  4. 1-1 Siバイポーラ素子発展の経緯と現状 / p1 (0008.jp2)
  5. 1-2 ヘテロ接合の有用性 / p5 (0010.jp2)
  6. 1-3 Siヘテロエミッタ用材料 / p14 (0014.jp2)
  7. 1-4 Siヘテロ材料としてのSi系非晶質半導体 / p18 (0016.jp2)
  8. 1-5 本研究の目的と意義 / p21 (0018.jp2)
  9. 参考文献 / p23 (0019.jp2)
  10. 第2章 プラズマCVD法によるSi系薄膜の作製と基礎特性 / (0020.jp2)
  11. 2-1 はじめに / p26 (0021.jp2)
  12. 2-2 Si系非晶質膜の形成方法 / p28 (0022.jp2)
  13. 2-3 誘導結合型プラズマCVD法による成膜 / p32 (0024.jp2)
  14. 2-4 膜中C組成分析 / p36 (0026.jp2)
  15. 2-5 光学的バンドギャップの測定 / p38 (0027.jp2)
  16. 2-6 堆積膜の電気的特性 / p39 (0027.jp2)
  17. 2-7 まとめ / p47 (0031.jp2)
  18. 参考文献 / p48 (0032.jp2)
  19. 第3章 非晶質SiC/結晶Siヘテロ接合 / (0033.jp2)
  20. 3-1 はじめに / p50 (0034.jp2)
  21. 3-2 p形非晶質SiC/結晶n形c-Siヘテロ接合ダイオードの基礎特性 / p51 (0034.jp2)
  22. 3-3 pnp形ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特性とバンド構造 / p57 (0037.jp2)
  23. 3-4 npn形ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特性 / p70 (0044.jp2)
  24. 3-5 まとめ / p80 (0049.jp2)
  25. 参考文献 / p81 (0049.jp2)
  26. 第4章 プラズマ堆積低抵抗微結晶Si膜の作製とその特性 / (0050.jp2)
  27. 4-1 はじめに / p82 (0051.jp2)
  28. 4-2 Ar添加による微結晶Si膜の堆積と基礎特性 / p83 (0051.jp2)
  29. 4-3 微結晶Si膜の基板依存性 / p94 (0057.jp2)
  30. 4-4 二次イオン質量分析による膜およびヘテロ界面の評価 / p103 (0061.jp2)
  31. 4-5 まとめ / p105 (0062.jp2)
  32. 参考文献 / p106 (0063.jp2)
  33. 第5章 微結晶SiヘテロエミッタによるSiヘテロ接合バイポーラトランジスタ / (0064.jp2)
  34. 5-1 はじめに / p108 (0065.jp2)
  35. 5-2 微結晶SiエミッタHBTの基礎特性 / p109 (0065.jp2)
  36. 5-3 素子特性にみられる異常 / p116 (0069.jp2)
  37. 5-4 真空系変更後の素子特性 / p124 (0073.jp2)
  38. 5-5 素子の耐熱性 / p136 (0079.jp2)
  39. 5-6 まとめ / p137 (0079.jp2)
  40. 参考文献 / p139 (0080.jp2)
  41. 第6章 界面構造の評価と多層エミッタ構造による素子特性の改善 / (0081.jp2)
  42. 6-1 はじめに / p141 (0082.jp2)
  43. 6-2 光電流応答法 / p142 (0082.jp2)
  44. 6-3 光電流応答法によるヘテロ接合の診断 / p148 (0085.jp2)
  45. 6-4 界面構造の評価 / p153 (0088.jp2)
  46. 6-5 多層エミッタ構造による素子の高性能化 / p160 (0091.jp2)
  47. 6-6 まとめ / p168 (0095.jp2)
  48. 参考文献 / p170 (0096.jp2)
  49. 第7章 結論 / (0097.jp2)
  50. 7-1 本研究で得られた結論 / p171 (0098.jp2)
  51. 7-2 今後に残された課題 / p173 (0099.jp2)
  52. 謝辞 / p175 (0100.jp2)
  53. 本研究に関する発表文献 / p176 (0100.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097043
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097271
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000261357
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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