非晶質Si系材料を用いたSiヘテロ接合デバイスの研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
非晶質Si系材料を用いたSiヘテロ接合デバイスの研究
- 著者名
-
佐々木, 公洋
- 著者別名
-
ササキ, キミヒロ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第2378号
- 学位授与年月日
-
1992-07-31
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 論文目次 / p1 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / (0007.jp2)
- 1-1 Siバイポーラ素子発展の経緯と現状 / p1 (0008.jp2)
- 1-2 ヘテロ接合の有用性 / p5 (0010.jp2)
- 1-3 Siヘテロエミッタ用材料 / p14 (0014.jp2)
- 1-4 Siヘテロ材料としてのSi系非晶質半導体 / p18 (0016.jp2)
- 1-5 本研究の目的と意義 / p21 (0018.jp2)
- 参考文献 / p23 (0019.jp2)
- 第2章 プラズマCVD法によるSi系薄膜の作製と基礎特性 / (0020.jp2)
- 2-1 はじめに / p26 (0021.jp2)
- 2-2 Si系非晶質膜の形成方法 / p28 (0022.jp2)
- 2-3 誘導結合型プラズマCVD法による成膜 / p32 (0024.jp2)
- 2-4 膜中C組成分析 / p36 (0026.jp2)
- 2-5 光学的バンドギャップの測定 / p38 (0027.jp2)
- 2-6 堆積膜の電気的特性 / p39 (0027.jp2)
- 2-7 まとめ / p47 (0031.jp2)
- 参考文献 / p48 (0032.jp2)
- 第3章 非晶質SiC/結晶Siヘテロ接合 / (0033.jp2)
- 3-1 はじめに / p50 (0034.jp2)
- 3-2 p形非晶質SiC/結晶n形c-Siヘテロ接合ダイオードの基礎特性 / p51 (0034.jp2)
- 3-3 pnp形ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特性とバンド構造 / p57 (0037.jp2)
- 3-4 npn形ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特性 / p70 (0044.jp2)
- 3-5 まとめ / p80 (0049.jp2)
- 参考文献 / p81 (0049.jp2)
- 第4章 プラズマ堆積低抵抗微結晶Si膜の作製とその特性 / (0050.jp2)
- 4-1 はじめに / p82 (0051.jp2)
- 4-2 Ar添加による微結晶Si膜の堆積と基礎特性 / p83 (0051.jp2)
- 4-3 微結晶Si膜の基板依存性 / p94 (0057.jp2)
- 4-4 二次イオン質量分析による膜およびヘテロ界面の評価 / p103 (0061.jp2)
- 4-5 まとめ / p105 (0062.jp2)
- 参考文献 / p106 (0063.jp2)
- 第5章 微結晶SiヘテロエミッタによるSiヘテロ接合バイポーラトランジスタ / (0064.jp2)
- 5-1 はじめに / p108 (0065.jp2)
- 5-2 微結晶SiエミッタHBTの基礎特性 / p109 (0065.jp2)
- 5-3 素子特性にみられる異常 / p116 (0069.jp2)
- 5-4 真空系変更後の素子特性 / p124 (0073.jp2)
- 5-5 素子の耐熱性 / p136 (0079.jp2)
- 5-6 まとめ / p137 (0079.jp2)
- 参考文献 / p139 (0080.jp2)
- 第6章 界面構造の評価と多層エミッタ構造による素子特性の改善 / (0081.jp2)
- 6-1 はじめに / p141 (0082.jp2)
- 6-2 光電流応答法 / p142 (0082.jp2)
- 6-3 光電流応答法によるヘテロ接合の診断 / p148 (0085.jp2)
- 6-4 界面構造の評価 / p153 (0088.jp2)
- 6-5 多層エミッタ構造による素子の高性能化 / p160 (0091.jp2)
- 6-6 まとめ / p168 (0095.jp2)
- 参考文献 / p170 (0096.jp2)
- 第7章 結論 / (0097.jp2)
- 7-1 本研究で得られた結論 / p171 (0098.jp2)
- 7-2 今後に残された課題 / p173 (0099.jp2)
- 謝辞 / p175 (0100.jp2)
- 本研究に関する発表文献 / p176 (0100.jp2)