薄い高品質ゲート酸化膜の形成法の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
薄い高品質ゲート酸化膜の形成法の研究
- 著者名
-
穂苅, 泰明
- 著者別名
-
ホカリ, ヤスアキ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第2379号
- 学位授与年月日
-
1992-07-31
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / p1 (0005.jp2)
- 第1章 緒論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 本研究の目的と位置ずけ / p3 (0008.jp2)
- 1.3 本論文の構成と概要 / p6 (0010.jp2)
- 参考文献 / p8 (0011.jp2)
- 第2章 MOS容量の製作法および評価法 / p9 (0011.jp2)
- 2.1 はじめに / p9 (0011.jp2)
- 2.2 MOS容量の製造プロセス / p9 (0011.jp2)
- 2.3 実験および評価方法 / p13 (0013.jp2)
- 2.4 本章のまとめ / p19 (0016.jp2)
- 参考文献 / p19 (0016.jp2)
- 第3章 高品質酸化膜形成のための処理法 / p20 (0017.jp2)
- 3.1 はじめに / p20 (0017.jp2)
- 3.2 酸化前処理と酸化膜耐圧 / p22 (0018.jp2)
- 3.3 熱処理によるSi基板のクリーン化･格子欠陥の制御と酸化膜耐圧 / p33 (0023.jp2)
- 3.4 酸化雰囲気依存性 / p47 (0030.jp2)
- 3.5 本章のまとめ / p54 (0034.jp2)
- 参考文献 / p55 (0034.jp2)
- 第4章 高品質化･高信頼化のための手法 / p59 (0036.jp2)
- 4.1 はじめに / p59 (0036.jp2)
- 4.2 ポリシリ電極形成プロセスでの耐圧不良 / p60 (0037.jp2)
- 4.3 ポリシリ/A1コンタクト構造と長期信頼性 / p69 (0041.jp2)
- 4.4 本章のまとめ / p77 (0045.jp2)
- 参考文献 / p78 (0046.jp2)
- 第5章 絶縁破壊に関する長期信頼性と破壊のメカニズム / p80 (0047.jp2)
- 5.1 はじめに / p80 (0047.jp2)
- 5.2 長期信頼性の評価 / p81 (0047.jp2)
- 5.3 絶縁破壊のメカニズム / p101 (0057.jp2)
- 5.4 本章のまとめ / p115 (0064.jp2)
- 参考文献 / p116 (0065.jp2)
- 第6章 酸化膜の電気特性安定化の検討 / p119 (0066.jp2)
- 6.1 はじめに / p119 (0066.jp2)
- 6.2 Si/SiO₂界面準位･膜中電荷トラップの性質と起源 / p120 (0067.jp2)
- 6.3 電子注入ストレスによるSi/SiO₂界面の不安定性とH₂処理の効果 / p124 (0069.jp2)
- 6.4 正孔注入ストレスによる不安定性とH₂処理の効果 / p138 (0076.jp2)
- 6.5 H₂処理による安定性劣化原因の考察 / p146 (0080.jp2)
- 6.6 本章のまとめ / p149 (0081.jp2)
- 参考文献 / p150 (0082.jp2)
- 第7章 薄い酸化膜のデバイスへの適用 / p153 (0083.jp2)
- 7.1 はじめに / p153 (0083.jp2)
- 7.2 薄い酸化膜の物性と電気特性 / p153 (0083.jp2)
- 7.3 DRAMセルヘの適用 / p165 (0089.jp2)
- 7.4 本章のまとめ / p181 (0097.jp2)
- 参考文献 / p182 (0098.jp2)
- 第8章 結論 / p183 (0098.jp2)
- 8.1 結果の要約 / p183 (0098.jp2)
- 8.2 残る課題と今後の展望 / p187 (0100.jp2)
- 謝辞 / p190 (0102.jp2)
- 発表論文および学会発表 / p191 (0102.jp2)
- (1)本研究に関係する発表論文 / p191 (0102.jp2)
- (2)本研究に関係する学会発表等 / p192 (0103.jp2)
- (3)その他の発表論文 / p195 (0104.jp2)