短チャネル化に適した新構造MOSトランジスタの研究

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著者

    • 関川, 敏弘 セキガワ, トシヒロ

書誌事項

タイトル

短チャネル化に適した新構造MOSトランジスタの研究

著者名

関川, 敏弘

著者別名

セキガワ, トシヒロ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2444号

学位授与年月日

1993-02-28

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.1 まえがき / p1 (0005.jp2)
  5. 1.2 本研究の歴史的背景 / p1 (0005.jp2)
  6. 1.3 短チャネル化による高性能化における問題点 / p3 (0006.jp2)
  7. 1.4 本研究の目的と概要 / p6 (0008.jp2)
  8. 第2章 プレーナ形DSA-MOSトランジスタ / p8 (0009.jp2)
  9. 2.1 まえがき / p8 (0009.jp2)
  10. 2.2 出力特性の解析 / p11 (0010.jp2)
  11. 2.3 高周波特性と等価回路 / p22 (0016.jp2)
  12. 2.4 まとめ / p32 (0021.jp2)
  13. 第3章 ノンプレーナ形DSA-MOSトランジスタ / p34 (0022.jp2)
  14. 3.1 まえがき / p34 (0022.jp2)
  15. 3.2 素子の試作とその特性 / p37 (0023.jp2)
  16. 3.3 ゲート耐圧の改善検討 / p45 (0027.jp2)
  17. 3.4 まとめ / p51 (0030.jp2)
  18. 第4章 DSA-MOSトランジスタによるIC化イヒの検討 / p53 (0031.jp2)
  19. 4.1 まえがき / p53 (0031.jp2)
  20. 4.2 しきい値電圧特性の検討 / p56 (0033.jp2)
  21. 4.3 ICの試作と特性 / p62 (0036.jp2)
  22. 4.4 まとめ / p67 (0038.jp2)
  23. 付録4.1 / p68 (0039.jp2)
  24. 第5章 深いチャネルドープしたMOSトランジスタ / p70 (0040.jp2)
  25. 5.1 まえがき / p70 (0040.jp2)
  26. 5.2 しきい値電圧特性の検討 / p71 (0040.jp2)
  27. 5.3 素子の試作と特性 / p78 (0044.jp2)
  28. 5.4 まとめ / p82 (0046.jp2)
  29. 第6章 二重ゲートを有するMOS(XMOS)トランジスタ / p84 (0047.jp2)
  30. 6.1 まえがき / p84 (0047.jp2)
  31. 6.2 XMOSトランジスタのしきい値電圧特性 / p85 (0047.jp2)
  32. 6.3 素子の試作とその特性 / p92 (0051.jp2)
  33. 6.4 まとめ / p99 (0054.jp2)
  34. 第7章 結論 / p101 (0055.jp2)
  35. 7.1 明らかにされた事柄 / p101 (0055.jp2)
  36. 7.2 今後に残された課題 / p104 (0057.jp2)
  37. 謝辞 / p105 (0057.jp2)
  38. 参考文献 / p106 (0058.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097109
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097337
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000261423
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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