SiCセラミックスの半導体物性とサーミスタの設計
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
SiCセラミックスの半導体物性とサーミスタの設計
- 著者名
-
岡野, 一雄
- 著者別名
-
オカノ, カズオ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第2452号
- 学位授与年月日
-
1993-03-31
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 緒論 / p1 (0008.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0008.jp2)
- 1.2 従来の研究の概要 / p2 (0009.jp2)
- 1.3 本研究の目的 / p8 (0015.jp2)
- 1.4 本研究の概要 / p9 (0016.jp2)
- 第2章 SiCセラミックスの電気的性質に及ぼす焼成温度､焼成時間の影響 / p16 (0023.jp2)
- 2.1 はじめに / p16 (0023.jp2)
- 2.2 試料作成 / p16 (0023.jp2)
- 2.3 微構造 / p17 (0024.jp2)
- 2.4 電気的性質 / p19 (0026.jp2)
- 2.5 考察 / p23 (0030.jp2)
- 2.6 結言 / p31 (0038.jp2)
- 第3章 SiCセラミックスの電気的性質に及ぼす焼結助剤の影響 / p57 (0064.jp2)
- 3.1 はじめに / p57 (0064.jp2)
- 3.2 試料作成 / p57 (0064.jp2)
- 3.3 微構造 / p57 (0064.jp2)
- 3.4 電気的性質 / p58 (0065.jp2)
- 3.5 考察 / p62 (0069.jp2)
- 3.6 結言 / p71 (0078.jp2)
- 第4章 SiCセラミックスの電気的性質に及ぼす不純物添加の影響 / p98 (0105.jp2)
- 4.1 はじめに / p98 (0105.jp2)
- 4.2 試料作成 / p98 (0105.jp2)
- 4.3 微構造 / p98 (0105.jp2)
- 4.4 電気的性質 / p101 (0108.jp2)
- 4.5 考察 / p103 (0110.jp2)
- 4.6 結言 / p107 (0114.jp2)
- 第5章 SiCセラミックスの電気性質に関する理論的考察 / p130 (0137.jp2)
- 5.1 はじめに / p130 (0137.jp2)
- 5.2 微構造モデル / p130 (0137.jp2)
- 5.3 電気的性質の定性的な考察 / p131 (0138.jp2)
- 5.4 電気的性質の定量的な考察 / p134 (0141.jp2)
- 5.5 単一粒界に対する電気伝導シミュレーション / p143 (0150.jp2)
- 5.6 結言 / p143 (0150.jp2)
- 第6章 SiCセラミックスの電気的性質に関するコンピュータシミュレーション / p159 (0166.jp2)
- 6.1 はじめに / p159 (0166.jp2)
- 6.2 アルゴリズム / p159 (0166.jp2)
- 6.3 モデル化 / p160 (0167.jp2)
- 6.4 等価回路 / p165 (0172.jp2)
- 6.5 コンピュータシミュレーション / p165 (0172.jp2)
- 6.6 考察 / p167 (0174.jp2)
- 6.7 結言 / p169 (0176.jp2)
- 第7章 人工知能によるSiCセラミックスサーミスタの設計 / p202 (0209.jp2)
- 7.1 はじめに / p202 (0209.jp2)
- 7.2 人工知能 / p202 (0209.jp2)
- 7.3 セラミックスサーミスタの特性 / p204 (0211.jp2)
- 7.4 SiCセラミックスサーミスタの設計 / p205 (0212.jp2)
- 7.5 SiCセラミックスサーミスタの試作と評価 / p216 (0223.jp2)
- 7.6 結言 / p217 (0224.jp2)
- 第8章 総括 / p232 (0239.jp2)
- 謝辞 / p235 (0242.jp2)
