マイクロ波プラズマを用いた化学気相堆積法に関する研究 maikuroha purazuma o mochiita kagaku kiso taisekiho ni kansuru kenkyu

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著者

    • 加藤, 聖隆 カトウ, キヨタカ

書誌事項

タイトル

マイクロ波プラズマを用いた化学気相堆積法に関する研究

タイトル別名

maikuroha purazuma o mochiita kagaku kiso taisekiho ni kansuru kenkyu

著者名

加藤, 聖隆

著者別名

カトウ, キヨタカ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第953号

学位授与年月日

1993-03-04

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:甲953号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1993-03-04 ; 早大学位記番号:新1899 ; 理工学図書館請求番号:1626

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 プラズマ化学気相堆積法に関する研究の経緯 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本論文の目的と構成 / p4 (0008.jp2)
  5. 第2章 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD / p8 (0012.jp2)
  6. 2.1 二重管式同軸線路形マイクロ波プラズマCVD装置 / p8 (0012.jp2)
  7. 2.2 堆積室内のプラズマパラメータの空間分布 / p15 (0019.jp2)
  8. 2.3 空間的アフターグロープラズマ中でのa-Si:H膜の作製 / p16 (0020.jp2)
  9. 2.4 まとめ / p20 (0024.jp2)
  10. 第3章 DCバイアスを印加した水素化アモルファスシリコン膜の作製 / p24 (0028.jp2)
  11. 3.1 DCバイアスによるイオン衝撃の制御 / p24 (0028.jp2)
  12. 3.2 水素化アモルファスシリコン膜のDCバイアス依存性 / p31 (0035.jp2)
  13. 3.3 まとめ / p36 (0040.jp2)
  14. 第4章 基板加熱をした水素化アモルファスシリコン膜の作製 / p38 (0042.jp2)
  15. 4.1 水素化アモルファスシリコン膜の基板温度依存性 / p38 (0042.jp2)
  16. 4.2 イオン衝撃の化学的効果の検討 / p43 (0047.jp2)
  17. 4.3 まとめ / p52 (0056.jp2)
  18. 第5章 空間的アフターグロープラズマ中での窒化シリコン膜の作製 / p54 (0058.jp2)
  19. 5.1 RFバイアスによるイオン衝撃の制御 / p54 (0058.jp2)
  20. 5.2 RFバイアスを印加した窒化シリコン膜の作製 / p56 (0060.jp2)
  21. 5.3 基板加熱をした窒化シリコン膜の作製 / p63 (0067.jp2)
  22. 5.4 イオン衝撃の効果と基板加熱の効果を併用した窒化シリコン膜の作製 / p65 (0069.jp2)
  23. 5.5 まとめ / p71 (0075.jp2)
  24. 第6章 横方向電子サイクロトロン共鳴磁界マイクロ波プラズマCVD / p73 (0077.jp2)
  25. 6.1 横方向電子サイクロトロン共鳴磁界マイクロ波プラズマCVD装置 / p73 (0077.jp2)
  26. 6.2 ECRプラズマ内外での水素化アモルファスシリコンの作製 / p76 (0080.jp2)
  27. 6.3 ECRプラズマ内外での窒化シリコンの作製 / p80 (0084.jp2)
  28. 6.4 まとめ / p88 (0092.jp2)
  29. 第7章 結論 / p91 (0095.jp2)
  30. APPENDIX / p95 (0099.jp2)
  31. 謝辞 / p100 (0104.jp2)
  32. 研究業績 / p101 (0105.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097371
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097600
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000261685
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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