DV-Xαクラスター法による薄膜-基板界面の電子状態評価に関する研究

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タイトル別名: divui ekkusuarufa kurasutaho ni yoru hakumaku kiban kaimen no denshi jotai hyoka ni kansuru kenkyu

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:甲971号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1993-03-04 ; 早大学位記番号:新1917 ; 理工学図書館請求番号:1637

目次 / (0003.jp2)
第1章序論 / p1 (0005.jp2)
1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
1.2 本研究の目的 / p3 (0007.jp2)
1.3 本論文の概要 / p4 (0008.jp2)
第1章の参考文献 / p7 (0011.jp2)
第2章計算方法 / p9 (0013.jp2)
2.1 はじめに / p9 (0013.jp2)
2.2 Discrete Variational(DV)Xα法 / p11 (0015.jp2)
2.3 ポテンシャル計算 / p28 (0032.jp2)
第2章の参考文献 / p32 (0036.jp2)
第3章 MgO(100)基板上におけるAu,Pd薄膜の(100)エピタキシー / p34 (0038.jp2)
3.1 はじめに / p34 (0038.jp2)
3.2 透過電子顕微鏡観察 / p36 (0040.jp2)
3.3 1原子吸着モデル / p39 (0043.jp2)
3.4(100)クラスターと基板との化学結合 / p49 (0053.jp2)
3.5 結言 / p52 (0056.jp2)
第3章の参考文献 / p53 (0057.jp2)
第4章 Ni(111)上における単原子層グラファイトの電子状態 / p56 (0060.jp2)
4.1 はじめに / p56 (0060.jp2)
4.2 新物質相単原子層グラファイト / p56 (0060.jp2)
4.3.単原子層グラファイトと基板間の相互作用 / p68 (0072.jp2)
4.4.結言 / p91 (0095.jp2)
第4章の参考文献 / p93 (0097.jp2)
第5章 InSb(111)A基板上におけるα-Snの安定成長 / p99 (0103.jp2)
5.1 はじめに / p99 (0103.jp2)
5.2 α-Snの安定成長に及ぼす諸因子 / p101 (0105.jp2)
5.3 結言 / p125 (0129.jp2)
第5章の参考文献 / p127 (0131.jp2)
第6章総括 / p130 (0134.jp2)
謝辞 / (0138.jp2)
研究業績 / (0140.jp2)