DV-Xαクラスター法による薄膜-基板界面の電子状態評価に関する研究 divui ekkusuarufa kurasutaho ni yoru hakumaku kiban kaimen no denshi jotai hyoka ni kansuru kenkyu

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著者

    • 山本, 一雄 ヤマモト, カズオ

書誌事項

タイトル

DV-Xαクラスター法による薄膜-基板界面の電子状態評価に関する研究

タイトル別名

divui ekkusuarufa kurasutaho ni yoru hakumaku kiban kaimen no denshi jotai hyoka ni kansuru kenkyu

著者名

山本, 一雄

著者別名

ヤマモト, カズオ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第971号

学位授与年月日

1993-03-04

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p3 (0007.jp2)
  5. 1.3 本論文の概要 / p4 (0008.jp2)
  6. 第1章の参考文献 / p7 (0011.jp2)
  7. 第2章 計算方法 / p9 (0013.jp2)
  8. 2.1 はじめに / p9 (0013.jp2)
  9. 2.2 Discrete Variational(DV)Xα法 / p11 (0015.jp2)
  10. 2.3 ポテンシャル計算 / p28 (0032.jp2)
  11. 第2章の参考文献 / p32 (0036.jp2)
  12. 第3章 MgO(100)基板上におけるAu,Pd薄膜の(100)エピタキシー / p34 (0038.jp2)
  13. 3.1 はじめに / p34 (0038.jp2)
  14. 3.2 透過電子顕微鏡観察 / p36 (0040.jp2)
  15. 3.3 1原子吸着モデル / p39 (0043.jp2)
  16. 3.4(100)クラスターと基板との化学結合 / p49 (0053.jp2)
  17. 3.5 結言 / p52 (0056.jp2)
  18. 第3章の参考文献 / p53 (0057.jp2)
  19. 第4章 Ni(111)上における単原子層グラファイトの電子状態 / p56 (0060.jp2)
  20. 4.1 はじめに / p56 (0060.jp2)
  21. 4.2 新物質相単原子層グラファイト / p56 (0060.jp2)
  22. 4.3.単原子層グラファイトと基板間の相互作用 / p68 (0072.jp2)
  23. 4.4.結言 / p91 (0095.jp2)
  24. 第4章の参考文献 / p93 (0097.jp2)
  25. 第5章 InSb(111)A基板上におけるα-Snの安定成長 / p99 (0103.jp2)
  26. 5.1 はじめに / p99 (0103.jp2)
  27. 5.2 α-Snの安定成長に及ぼす諸因子 / p101 (0105.jp2)
  28. 5.3 結言 / p125 (0129.jp2)
  29. 第5章の参考文献 / p127 (0131.jp2)
  30. 第6章 総括 / p130 (0134.jp2)
  31. 謝辞 / (0138.jp2)
  32. 研究業績 / (0140.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097389
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097618
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000261703
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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