GaAs結晶の欠陥形成機構とその低減法に関する研究 jieieiesu kessho no kekkan keisei kiko to sono teigenho ni kansuru kenkyu

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著者

    • 山田, 孝二 ヤマダ, コウジ

書誌事項

タイトル

GaAs結晶の欠陥形成機構とその低減法に関する研究

タイトル別名

jieieiesu kessho no kekkan keisei kiko to sono teigenho ni kansuru kenkyu

著者名

山田, 孝二

著者別名

ヤマダ, コウジ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第895号

学位授与年月日

1992-06-18

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第一編 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 第1章 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 第2章 本研究の目的と概要 / p2 (0006.jp2)
  5. 参考文献 / p5 (0007.jp2)
  6. 第二編 LEC法GaAs結晶の転位発生機構の解明と無転位化 / p7 (0008.jp2)
  7. 第1章 LEC-GaAs結晶の成長法、及び転位の評価法 / p7 (0008.jp2)
  8. 1.1 LEC法GaAsの特徴 / p7 (0008.jp2)
  9. 1.2 成長方法 / p10 (0010.jp2)
  10. 1.3 転位の性質、及び評価法 / p12 (0011.jp2)
  11. 1.4 まとめ / p16 (0013.jp2)
  12. 参考文献 / p17 (0013.jp2)
  13. 第2章 低転位化のための成長条件 / p18 (0014.jp2)
  14. 2.1 はじめに / p18 (0014.jp2)
  15. 2.2 結晶中の温度分布の解析方法 / p19 (0014.jp2)
  16. 2.3 結晶中の温度分布 / p25 (0017.jp2)
  17. 2.4 熱応力低減に必要な成長条件 / p29 (0019.jp2)
  18. 2.5 完全液体封止引き上げ法(FEC法) / p31 (0020.jp2)
  19. 2.6 まとめ / p38 (0024.jp2)
  20. 参考文献 / p40 (0025.jp2)
  21. 第3章 無添加無転位結晶 / p41 (0025.jp2)
  22. 3.1 はじめに / p41 (0025.jp2)
  23. 3.2 ネッキング法による伝播転位の低減 / p41 (0025.jp2)
  24. 3.3 <001>軸転位の性質 / p47 (0028.jp2)
  25. 3.4 ネッキング法による完全無転位結晶 / p51 (0030.jp2)
  26. 3.5 無転位結晶の臨界直径 / p53 (0031.jp2)
  27. 3.6 無転位結晶の電気的均一性 / p56 (0033.jp2)
  28. 3.7 まとめ / p58 (0034.jp2)
  29. 参考文献 / p60 (0035.jp2)
  30. 第4章 In添加無転位GaAs結晶 / p61 (0035.jp2)
  31. 4.1 はじめに / p61 (0035.jp2)
  32. 4.2 In添加LEC-GaAs結晶の特徴 / p62 (0036.jp2)
  33. 4.3 In添加FEC-GaAs結晶 / p66 (0038.jp2)
  34. 4.4 伝播転位除去法-無転位種子法- / p72 (0041.jp2)
  35. 4.5 伝播転位の形成機構 / p75 (0042.jp2)
  36. 4.6 2インチ完全無転位結晶 / p78 (0044.jp2)
  37. 4.7 今後の課題 / p82 (0046.jp2)
  38. 4.8 まとめ / p83 (0046.jp2)
  39. 参考文献 / p84 (0047.jp2)
  40. 第三編 無転位GaAs結晶中の微小欠陥 / p86 (0048.jp2)
  41. 第1章 微小欠陥の研究の背景と欠陥評価法 / p86 (0048.jp2)
  42. 1.1 はじめに / p86 (0048.jp2)
  43. 1.2 微小欠陥評価法 / p89 (0049.jp2)
  44. 1.3 EL2濃度測定法 / p95 (0052.jp2)
  45. 1.4 まとめ / p98 (0054.jp2)
  46. 参考文献 / p99 (0054.jp2)
  47. 第2章 微小欠陥の検出と結晶成長条件依存性 / p101 (0055.jp2)
  48. 2.1 はじめに / p101 (0055.jp2)
  49. 2.2 結晶成長条件 / p101 (0055.jp2)
  50. 2.3 各種評価法による微小欠陥の観察 / p101 (0055.jp2)
  51. 2.4 観察された欠陥像の関係 / p105 (0057.jp2)
  52. 2.5 微小欠陥の結晶成長条件依存性 / p109 (0059.jp2)
  53. 2.6 微小欠陥の形成温度 / p112 (0061.jp2)
  54. 2.7 微小欠陥の実体 / p114 (0062.jp2)
  55. 2.8 まとめ / p115 (0062.jp2)
  56. 参考文献 / p117 (0063.jp2)
  57. 第3章 微小欠陥と電気特性 / p118 (0064.jp2)
  58. 3.1 はじめに / p118 (0064.jp2)
  59. 3.2 実験方法 / p118 (0064.jp2)
  60. 3.3 電気特性の熱履歴依存性 / p121 (0065.jp2)
  61. 3.4 微小欠陥の熱履歴依存性 / p125 (0067.jp2)
  62. 3.5 微小欠陥の析出制御 / p129 (0069.jp2)
  63. 3.6 まとめ / p133 (0071.jp2)
  64. 参考文献 / p135 (0072.jp2)
  65. 第四編 等電荷元素添加法と実験方法 / p137 (0073.jp2)
  66. 第1章 In添加による深い準位の低減 / p137 (0073.jp2)
  67. 1.1 等電荷元素添加法 / p137 (0073.jp2)
  68. 1.2 薄膜結晶成長法 / p141 (0075.jp2)
  69. 1.3 深い準位の測定法(DLTS法) / p143 (0076.jp2)
  70. 1.4 まとめ / p145 (0077.jp2)
  71. 参考文献 / p147 (0078.jp2)
  72. 第2章 In添加法における格子不整の影響 / p148 (0079.jp2)
  73. 2.1 はじめに / p148 (0079.jp2)
  74. 2.2 実験 / p148 (0079.jp2)
  75. 2.3 結果 / p149 (0079.jp2)
  76. 2.4 In添加による深い準位低減機構 / p151 (0080.jp2)
  77. 2.5 深い準位の起源 / p154 (0082.jp2)
  78. 2.6 低転位化効果との関係 / p156 (0083.jp2)
  79. 2.7 まとめ / p157 (0083.jp2)
  80. 参考文献 / p159 (0084.jp2)
  81. 第3章 格子整合In添加法 / p160 (0085.jp2)
  82. 3.1 はじめに / p160 (0085.jp2)
  83. 3.2 同時添加元素の選択条件 / p161 (0085.jp2)
  84. 3.3 In,P同時添加技術 / p164 (0087.jp2)
  85. 3.4 まとめ / p166 (0088.jp2)
  86. 参考文献 / p167 (0088.jp2)
  87. 第五編 結論 / p168 (0089.jp2)
  88. 補足 / p171 (0090.jp2)
  89. 謝辞 / p174 (0092.jp2)
  90. 発表論文リスト / p175 (0092.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097398
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097627
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000261712
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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