GaAs結晶の欠陥形成機構とその低減法に関する研究 jieieiesu kessho no kekkan keisei kiko to sono teigenho ni kansuru kenkyu
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Bibliographic Information
- Title
-
GaAs結晶の欠陥形成機構とその低減法に関する研究
- Other Title
-
jieieiesu kessho no kekkan keisei kiko to sono teigenho ni kansuru kenkyu
- Author
-
山田, 孝二
- Author(Another name)
-
ヤマダ, コウジ
- University
-
早稲田大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第895号
- Degree year
-
1992-06-18
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙895号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-06-18 ; 早大学位記番号:新1822 ; 理工学図書館請求番号:1555
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第一編 序論 / p1 (0005.jp2)
- 第1章 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 第2章 本研究の目的と概要 / p2 (0006.jp2)
- 参考文献 / p5 (0007.jp2)
- 第二編 LEC法GaAs結晶の転位発生機構の解明と無転位化 / p7 (0008.jp2)
- 第1章 LEC-GaAs結晶の成長法､及び転位の評価法 / p7 (0008.jp2)
- 1.1 LEC法GaAsの特徴 / p7 (0008.jp2)
- 1.2 成長方法 / p10 (0010.jp2)
- 1.3 転位の性質､及び評価法 / p12 (0011.jp2)
- 1.4 まとめ / p16 (0013.jp2)
- 参考文献 / p17 (0013.jp2)
- 第2章 低転位化のための成長条件 / p18 (0014.jp2)
- 2.1 はじめに / p18 (0014.jp2)
- 2.2 結晶中の温度分布の解析方法 / p19 (0014.jp2)
- 2.3 結晶中の温度分布 / p25 (0017.jp2)
- 2.4 熱応力低減に必要な成長条件 / p29 (0019.jp2)
- 2.5 完全液体封止引き上げ法(FEC法) / p31 (0020.jp2)
- 2.6 まとめ / p38 (0024.jp2)
- 参考文献 / p40 (0025.jp2)
- 第3章 無添加無転位結晶 / p41 (0025.jp2)
- 3.1 はじめに / p41 (0025.jp2)
- 3.2 ネッキング法による伝播転位の低減 / p41 (0025.jp2)
- 3.3 <001>軸転位の性質 / p47 (0028.jp2)
- 3.4 ネッキング法による完全無転位結晶 / p51 (0030.jp2)
- 3.5 無転位結晶の臨界直径 / p53 (0031.jp2)
- 3.6 無転位結晶の電気的均一性 / p56 (0033.jp2)
- 3.7 まとめ / p58 (0034.jp2)
- 参考文献 / p60 (0035.jp2)
- 第4章 In添加無転位GaAs結晶 / p61 (0035.jp2)
- 4.1 はじめに / p61 (0035.jp2)
- 4.2 In添加LEC-GaAs結晶の特徴 / p62 (0036.jp2)
- 4.3 In添加FEC-GaAs結晶 / p66 (0038.jp2)
- 4.4 伝播転位除去法-無転位種子法- / p72 (0041.jp2)
- 4.5 伝播転位の形成機構 / p75 (0042.jp2)
- 4.6 2インチ完全無転位結晶 / p78 (0044.jp2)
- 4.7 今後の課題 / p82 (0046.jp2)
- 4.8 まとめ / p83 (0046.jp2)
- 参考文献 / p84 (0047.jp2)
- 第三編 無転位GaAs結晶中の微小欠陥 / p86 (0048.jp2)
- 第1章 微小欠陥の研究の背景と欠陥評価法 / p86 (0048.jp2)
- 1.1 はじめに / p86 (0048.jp2)
- 1.2 微小欠陥評価法 / p89 (0049.jp2)
- 1.3 EL2濃度測定法 / p95 (0052.jp2)
- 1.4 まとめ / p98 (0054.jp2)
- 参考文献 / p99 (0054.jp2)
- 第2章 微小欠陥の検出と結晶成長条件依存性 / p101 (0055.jp2)
- 2.1 はじめに / p101 (0055.jp2)
- 2.2 結晶成長条件 / p101 (0055.jp2)
- 2.3 各種評価法による微小欠陥の観察 / p101 (0055.jp2)
- 2.4 観察された欠陥像の関係 / p105 (0057.jp2)
- 2.5 微小欠陥の結晶成長条件依存性 / p109 (0059.jp2)
- 2.6 微小欠陥の形成温度 / p112 (0061.jp2)
- 2.7 微小欠陥の実体 / p114 (0062.jp2)
- 2.8 まとめ / p115 (0062.jp2)
- 参考文献 / p117 (0063.jp2)
- 第3章 微小欠陥と電気特性 / p118 (0064.jp2)
- 3.1 はじめに / p118 (0064.jp2)
- 3.2 実験方法 / p118 (0064.jp2)
- 3.3 電気特性の熱履歴依存性 / p121 (0065.jp2)
- 3.4 微小欠陥の熱履歴依存性 / p125 (0067.jp2)
- 3.5 微小欠陥の析出制御 / p129 (0069.jp2)
- 3.6 まとめ / p133 (0071.jp2)
- 参考文献 / p135 (0072.jp2)
- 第四編 等電荷元素添加法と実験方法 / p137 (0073.jp2)
- 第1章 In添加による深い準位の低減 / p137 (0073.jp2)
- 1.1 等電荷元素添加法 / p137 (0073.jp2)
- 1.2 薄膜結晶成長法 / p141 (0075.jp2)
- 1.3 深い準位の測定法(DLTS法) / p143 (0076.jp2)
- 1.4 まとめ / p145 (0077.jp2)
- 参考文献 / p147 (0078.jp2)
- 第2章 In添加法における格子不整の影響 / p148 (0079.jp2)
- 2.1 はじめに / p148 (0079.jp2)
- 2.2 実験 / p148 (0079.jp2)
- 2.3 結果 / p149 (0079.jp2)
- 2.4 In添加による深い準位低減機構 / p151 (0080.jp2)
- 2.5 深い準位の起源 / p154 (0082.jp2)
- 2.6 低転位化効果との関係 / p156 (0083.jp2)
- 2.7 まとめ / p157 (0083.jp2)
- 参考文献 / p159 (0084.jp2)
- 第3章 格子整合In添加法 / p160 (0085.jp2)
- 3.1 はじめに / p160 (0085.jp2)
- 3.2 同時添加元素の選択条件 / p161 (0085.jp2)
- 3.3 In,P同時添加技術 / p164 (0087.jp2)
- 3.4 まとめ / p166 (0088.jp2)
- 参考文献 / p167 (0088.jp2)
- 第五編 結論 / p168 (0089.jp2)
- 補足 / p171 (0090.jp2)
- 謝辞 / p174 (0092.jp2)
- 発表論文リスト / p175 (0092.jp2)
