超LSI用ポジ型ホトレジストの高解像化およびその機構解析 cho eruesuaiyo pojigata hotorejisuto no kokaizoka oyobi sono kiko kaiseki

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著者

    • 浅海, 慎五 アサウミ, シンゴ

書誌事項

タイトル

超LSI用ポジ型ホトレジストの高解像化およびその機構解析

タイトル別名

cho eruesuaiyo pojigata hotorejisuto no kokaizoka oyobi sono kiko kaiseki

著者名

浅海, 慎五

著者別名

アサウミ, シンゴ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第898号

学位授与年月日

1992-10-22

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p7 (0009.jp2)
  2. 用語の説明 / p1 (0003.jp2)
  3. 目次 / p7 (0009.jp2)
  4. 第1章 本研究の目的 / p11 (0013.jp2)
  5. 1.1 本研究の背景 / p11 (0013.jp2)
  6. 1.2 IC製造におけるレジストの役割および求められる特性 / p12 (0014.jp2)
  7. 1.3 ホトレジストの歴史 / p17 (0019.jp2)
  8. 1.4 ノボラックポジ型ホトレジストの化学的および光学的性質 / p23 (0025.jp2)
  9. 1.5 露光における光学的特性 / p29 (0031.jp2)
  10. 1.6 本論文の目的および構成 / p36 (0038.jp2)
  11. 1.7 参考文献 / p37 (0039.jp2)
  12. 第2章 ポジ型ホトレジストの高解像化 / p39 (0041.jp2)
  13. 2.1 ノボラック樹脂の分子量および感光剤量による高解像化 / p39 (0041.jp2)
  14. 2.2 クレゾールノボラック樹脂組成による高解像化 / p53 (0055.jp2)
  15. 第3章 ポジ型ホトレジストの高解像化機構の解析 / p66 (0068.jp2)
  16. 3.1 露光前現像液処理によるパターンプロフィル改善機構の解析 / p66 (0068.jp2)
  17. 3.2 高解像度化プロセスプリベークホトレジスト処理の表面層の変化の解析 / p90 (0092.jp2)
  18. 3.3 ポジ型ホトレジスト露光部の現像プロセスの解析 / p95 (0097.jp2)
  19. 第4章 総括 / p114 (0116.jp2)
  20. 略歴 / p117 (0119.jp2)
  21. 研究実績 / p118 (0120.jp2)
  22. 謝辞 / p126 (0128.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097401
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097630
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000261715
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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