エキシマレーザドーピングによる半導体表面層の制御に関する研究 ekishima reza dopingu ni yoru handotai hyomenso no seigyo ni kansuru kenkyu

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著者

    • 杉岡, 幸次 スギオカ, コウジ

書誌事項

タイトル

エキシマレーザドーピングによる半導体表面層の制御に関する研究

タイトル別名

ekishima reza dopingu ni yoru handotai hyomenso no seigyo ni kansuru kenkyu

著者名

杉岡, 幸次

著者別名

スギオカ, コウジ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第935号

学位授与年月日

1993-02-12

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 従来の研究 / p2 (0005.jp2)
  4. 1.2 エキシマレーザドーピングの原理と利点 / p6 (0009.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的 / p10 (0013.jp2)
  6. 第2章 GaAsへの浅いドーピング層の形成 / p19 (0022.jp2)
  7. 2.1 S iドーピングによるn形層の形成 / p20 (0023.jp2)
  8. 2.2 Cドーピングによるp形層の形成 / p25 (0028.jp2)
  9. 第3章 GaAs中の高濃度キャリアの発生と熱処理特性 / p45 (0048.jp2)
  10. 3.1 キャリア濃度分布 / p45 (0048.jp2)
  11. 3.2 ドーピング層の熱処理特性 / p47 (0050.jp2)
  12. 第4章 パターン転写によるGaAsへのサブミクロンドーピング / p61 (0064.jp2)
  13. 4.1 コンタクトマスクを用いたパターンドーピング / p62 (0065.jp2)
  14. 4.2 縮小投影法によるパターンドーピング / p66 (0069.jp2)
  15. 第5章 パターン転写による金属薄膜の微細配線形成 / p80 (0083.jp2)
  16. 5.1 無電解メッキによるGaAs上へのAu薄膜の選択形成 / p82 (0085.jp2)
  17. 5.2 自己整合型非合金化オーミックコンタクトの作製 / p85 (0088.jp2)
  18. 5.3 Si0₂薄膜上Au薄膜の微細加工 / p87 (0090.jp2)
  19. 第6章 結論 / p106 (0109.jp2)
  20. 謝辞 / p110 (0113.jp2)
  21. 本研究に関連した発表論文および講演 / p111 (0114.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097438
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097667
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000261752
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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