Molecular beam epitaxy of InP using gaseous sources ガスソースを用いたInPの分子線エピタキシー成長

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著者

    • 森下, 義隆 モリシタ, ヨシタカ

書誌事項

タイトル

Molecular beam epitaxy of InP using gaseous sources

タイトル別名

ガスソースを用いたInPの分子線エピタキシー成長

著者名

森下, 義隆

著者別名

モリシタ, ヨシタカ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第941号

学位授与年月日

1993-02-12

注記・抄録

博士論文

目次

  1. CONTENTS / p1 (0003.jp2)
  2. Chapter1.INTRODUCTION / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 Historical Background / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 Purpose of This Work / p7 (0007.jp2)
  5. References / p11 (0009.jp2)
  6. Chapter2.GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY OF UNINTENTIONALLY DOPED InP / p13 (0010.jp2)
  7. 2.1 Introduction / p13 (0010.jp2)
  8. 2.2 Experimental / p15 (0011.jp2)
  9. 2.3 Electrical and Optical Properties / p22 (0015.jp2)
  10. 2.4 Summary / p31 (0019.jp2)
  11. References / p32 (0020.jp2)
  12. Chapter3.GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY OF SILICON DOPED InP USING SOLID SILICON SOURCE / p34 (0021.jp2)
  13. 3.1 Introduction / p34 (0021.jp2)
  14. 3.2 Experimental / p36 (0022.jp2)
  15. 3.3 Electrical Properties / p37 (0022.jp2)
  16. 3.4 Optical Properties / p43 (0025.jp2)
  17. 3.5 Summary / p50 (0029.jp2)
  18. References / p51 (0029.jp2)
  19. Chapter4.RHEED INTENSITY OSCILLATIONS DURING GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY OF InP I-STEADY STATE OSCILLATIONS / p52 (0030.jp2)
  20. 4.1 Introduction / p52 (0030.jp2)
  21. 4.2 Experimental / p54 (0031.jp2)
  22. 4.3 Observations / p55 (0031.jp2)
  23. 4.4 Electrical and Optical Properties / p61 (0034.jp2)
  24. 4.5 Summary / p62 (0035.jp2)
  25. References / p63 (0035.jp2)
  26. Chapter5.RHEED INTENSITY OSCILLATIONS DURING GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY OF InP II-TRANSIENT STATE OSCILLATIONS / p64 (0036.jp2)
  27. 5.1 Introduction / p64 (0036.jp2)
  28. 5.2 Experimental / p66 (0037.jp2)
  29. 5.3 Observations / p67 (0037.jp2)
  30. 5.4 Summary / p77 (0042.jp2)
  31. References / p78 (0043.jp2)
  32. Chapter6.MOLECULAR BEAM EPITAXY OF InP USING P⁺ION BEAM / p79 (0043.jp2)
  33. 6.1 Introduction / p79 (0043.jp2)
  34. 6.2 Experimental / p81 (0044.jp2)
  35. 6.3 Sputter Cleaning with P⁺ Ion Beam / p85 (0046.jp2)
  36. 6.4 Electrical and Optical Properties / p87 (0047.jp2)
  37. 6.5 Summary / p100 (0054.jp2)
  38. References / p102 (0055.jp2)
  39. Chapter7.CONCLUSION / p103 (0055.jp2)
  40. ACKNOWLEDGEMENTS / p106 (0057.jp2)
  41. PUBLICATION LIST / p108 (0058.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097444
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000097673
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000000261758
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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