アフターグロー法で形成したa-SiNx:H膜の内部応力発生と制御 アフターグローホウ デ ケイセイ シタ a-SiNx:Hマク ノ ナイブ オウリョク ハッセイ ト セイギョ Tokyo University of Agriculture and Technology

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著者

    • 永吉, 浩, 1961- ナガヨシ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

アフターグロー法で形成したa-SiNx:H膜の内部応力発生と制御

タイトル別名

アフターグローホウ デ ケイセイ シタ a-SiNx:Hマク ノ ナイブ オウリョク ハッセイ ト セイギョ

タイトル別名

Tokyo University of Agriculture and Technology

著者名

永吉, 浩, 1961-

著者別名

ナガヨシ, ヒロシ

学位授与大学

東京農工大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第50号

学位授与年月日

1993-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 本研究の歴史的背景(応力に関する従来の研究) / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 本研究の目的と概要 / p4 (0008.jp2)
  5. 第2章 各種成膜法によるa-SiNx:H膜の堆積と膜質の比較 / p7 (0011.jp2)
  6. 2-1 はじめに / p7 (0011.jp2)
  7. 2-2 アフターグロー法によるa-SiNx:H膜成膜 / p24 (0028.jp2)
  8. 2-3 低圧水銀灯を光源とした光CVD法によるa-SiNx:H膜の成膜 / p42 (0046.jp2)
  9. 2-4 真空紫外光源を用いた光CVD法によるa-SiNx:H膜の成膜 / p51 (0055.jp2)
  10. 2-5 膜特性の比較 / p61 (0065.jp2)
  11. 2-6 2章のまとめ / p65 (0069.jp2)
  12. 参考文献 / p73 (0077.jp2)
  13. 第3章 a-SiNx:H膜における引っ張り応力の発生機構 / p76 (0080.jp2)
  14. 3-1 はじめに / p76 (0080.jp2)
  15. 3-2 薄膜に生じる応力の要因 / p76 (0080.jp2)
  16. 3-3 PECVDで形成したa-SiNx:H膜に発生する応力の一般的な傾向 / p79 (0083.jp2)
  17. 3-4 a-SiNx:H膜に生じる残留応力の要因 / p80 (0084.jp2)
  18. 3-3 まとめ / p88 (0092.jp2)
  19. 参考文献 / p102 (0106.jp2)
  20. 第4章 残留応力のTFT特性への影響 / p105 (0109.jp2)
  21. 4-1 はじめに / p105 (0109.jp2)
  22. 4-2 デバイス構造 / p105 (0109.jp2)
  23. 4-3 TaOx膜の内部応力特性 / p106 (0110.jp2)
  24. 4-4 二層膜の全応力特性 / p107 (0111.jp2)
  25. 4-5 デバイス特性 / p107 (0111.jp2)
  26. 4-6 まとめ / p109 (0113.jp2)
  27. 参考文献 / p124 (0128.jp2)
  28. 第5章 総括 / p125 (0129.jp2)
  29. 謝辞 / p128 (0132.jp2)
6アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097492
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000953183
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000261806
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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