アフターグロー法で形成したa-SiNx:H膜の内部応力発生と制御 アフターグローホウ デ ケイセイ シタ a-SiNx:Hマク ノ ナイブ オウリョク ハッセイ ト セイギョ
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著者
書誌事項
- タイトル
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アフターグロー法で形成したa-SiNx:H膜の内部応力発生と制御
- タイトル別名
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アフターグローホウ デ ケイセイ シタ a-SiNx:Hマク ノ ナイブ オウリョク ハッセイ ト セイギョ
- 著者名
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永吉, 浩, 1961-
- 著者別名
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ナガヨシ, ヒロシ
- 学位授与大学
-
東京農工大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第50号
- 学位授与年月日
-
1993-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 本研究の歴史的背景(応力に関する従来の研究) / p1 (0005.jp2)
- 1-2 本研究の目的と概要 / p4 (0008.jp2)
- 第2章 各種成膜法によるa-SiNx:H膜の堆積と膜質の比較 / p7 (0011.jp2)
- 2-1 はじめに / p7 (0011.jp2)
- 2-2 アフターグロー法によるa-SiNx:H膜成膜 / p24 (0028.jp2)
- 2-3 低圧水銀灯を光源とした光CVD法によるa-SiNx:H膜の成膜 / p42 (0046.jp2)
- 2-4 真空紫外光源を用いた光CVD法によるa-SiNx:H膜の成膜 / p51 (0055.jp2)
- 2-5 膜特性の比較 / p61 (0065.jp2)
- 2-6 2章のまとめ / p65 (0069.jp2)
- 参考文献 / p73 (0077.jp2)
- 第3章 a-SiNx:H膜における引っ張り応力の発生機構 / p76 (0080.jp2)
- 3-1 はじめに / p76 (0080.jp2)
- 3-2 薄膜に生じる応力の要因 / p76 (0080.jp2)
- 3-3 PECVDで形成したa-SiNx:H膜に発生する応力の一般的な傾向 / p79 (0083.jp2)
- 3-4 a-SiNx:H膜に生じる残留応力の要因 / p80 (0084.jp2)
- 3-3 まとめ / p88 (0092.jp2)
- 参考文献 / p102 (0106.jp2)
- 第4章 残留応力のTFT特性への影響 / p105 (0109.jp2)
- 4-1 はじめに / p105 (0109.jp2)
- 4-2 デバイス構造 / p105 (0109.jp2)
- 4-3 TaOx膜の内部応力特性 / p106 (0110.jp2)
- 4-4 二層膜の全応力特性 / p107 (0111.jp2)
- 4-5 デバイス特性 / p107 (0111.jp2)
- 4-6 まとめ / p109 (0113.jp2)
- 参考文献 / p124 (0128.jp2)
- 第5章 総括 / p125 (0129.jp2)
- 謝辞 / p128 (0132.jp2)