有機金属気相成長法による埋込型横接合半導体レーザーの作製に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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有機金属気相成長法による埋込型横接合半導体レーザーの作製に関する研究
- 著者名
-
下山, 謙司
- 著者別名
-
シモヤマ, ケンジ
- 学位授与大学
-
大阪府立大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第735号
- 学位授与年月日
-
1993-07-30
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 緒言 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 本研究の背景 / p2 (0007.jp2)
- 1.3 本研究の目的 / p3 (0007.jp2)
- 1.4 本論文の構成 / p4 (0008.jp2)
- 参考文献 / p6 (0009.jp2)
- 第2章 光電子集積回路の基礎技術 / p7 (0009.jp2)
- 2.1 緒言 / p7 (0009.jp2)
- 2.2 エピタキシャル成長技術 / p7 (0009.jp2)
- 2.3 半導体レーザー / p19 (0015.jp2)
- 2.4 光電子集積回路(OEIC) / p27 (0019.jp2)
- 2.5 結言 / p30 (0021.jp2)
- 参考文献 / p31 (0021.jp2)
- 第3章 領域選択エッチング/再成長連統プロセス(SER法)の開発 / p34 (0023.jp2)
- 3.1 緒言 / p34 (0023.jp2)
- 3.2 選択ガスエッチング / p35 (0023.jp2)
- 3.3 再成長界面の制御 / p43 (0027.jp2)
- 3.4 結言 / p54 (0033.jp2)
- 参考文献 / p55 (0033.jp2)
- 第4章 高選択性エピタキシー(HSE)法 / p58 (0035.jp2)
- 4.1 緒言 / p58 (0035.jp2)
- 4.2 実験条件 / p58 (0035.jp2)
- 4.3 選択性の向上 / p59 (0035.jp2)
- 4.4 ファセット形状 / p61 (0036.jp2)
- 4.5 成長速度のマスク比依存性 / p64 (0038.jp2)
- 4.6 選択性のメカニズム / p66 (0039.jp2)
- 4.7 結晶品質 / p67 (0039.jp2)
- 4.8 結言 / p70 (0041.jp2)
- 参考文献 / p71 (0041.jp2)
- 第5章 pin型横接合レーザー / p74 (0043.jp2)
- 5.1 緒言 / p74 (0043.jp2)
- 5.2 LPE/MOCVDハイブリッドプロセスによる素子作製 / p74 (0043.jp2)
- 5.3 MOCVD埋め込みプロセスの検討 / p77 (0044.jp2)
- 5.4 多重量子井戸構造の採用 / p83 (0047.jp2)
- 5.5 素子応用 / p86 (0049.jp2)
- 5.6 今後の課題 / p88 (0050.jp2)
- 5.7 結言 / p89 (0050.jp2)
- 参考文献 / p90 (0051.jp2)
- 第6章 二方向注入型横接合レーザー / p92 (0052.jp2)
- 6.1 緒言 / p92 (0052.jp2)
- 6.2 動作原理 / p93 (0052.jp2)
- 6.3 素子作製 / p95 (0053.jp2)
- 6.4 素子特性 / p96 (0054.jp2)
- 6.5 素子応用 / p100 (0056.jp2)
- 6.6 今後の課題 / p102 (0057.jp2)
- 6.7 結言 / p103 (0057.jp2)
- 参考文献 / p105 (0058.jp2)
- 第7章 結論 / p107 (0059.jp2)
- 謝辞 / p113 (0062.jp2)