GaAsの単原子層制御エピタキシーとその場計測手法の開発

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著者

    • 杉山, 直治 スギヤマ, ナオハル

書誌事項

タイトル

GaAsの単原子層制御エピタキシーとその場計測手法の開発

著者名

杉山, 直治

著者別名

スギヤマ, ナオハル

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第4416号

学位授与年月日

1993-06-01

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 第1-1節 緒言 / p1 (0006.jp2)
  4. 第1-2節 本研究の背景 / p4 (0008.jp2)
  5. 1 化合物半導体デバイス / p4 (0008.jp2)
  6. 2 薄膜結晶成長技術 / p6 (0009.jp2)
  7. 3 薄膜結晶成長における“その場"観察技術 / p12 (0012.jp2)
  8. 第1-3節 本研究の目的と概略 / p13 (0012.jp2)
  9. 第1-4節 本論文の構成 / p15 (0013.jp2)
  10. 第1-5節 結言 / p18 (0015.jp2)
  11. 参考文献 / p19 (0015.jp2)
  12. 第2章 実験装置 / p24 (0018.jp2)
  13. 第2-1節 装置の概要 / p24 (0018.jp2)
  14. 第2-2節 分子線結晶成長装置 / p24 (0018.jp2)
  15. 1 本研究で用いた分子線結晶成長装置 / p25 (0018.jp2)
  16. 2 分子線強度の測定法及び表現について / p29 (0020.jp2)
  17. 第2-3節 反射高速電子回折 / p31 (0021.jp2)
  18. 第2-4節 直衝突イオン散乱分光システム / p32 (0022.jp2)
  19. 1 直衝突イオン散乱分光装置の原理と概略 / p32 (0022.jp2)
  20. 2 本研究に用いた直衝突イオン散乱分光装置の構成 / p35 (0023.jp2)
  21. 3 実験に用いた装置の測定系 / p37 (0024.jp2)
  22. 第2-5節 成膜した試料を評価する装置 / p40 (0026.jp2)
  23. 1 走査型電子顕微鏡 / p40 (0026.jp2)
  24. 2 X線二結晶回折装置 / p40 (0026.jp2)
  25. 3 フォトルミネッセンス測定装置 / p41 (0026.jp2)
  26. 参考文献 / p42 (0027.jp2)
  27. 第3章 Ga安定化面における過剰Ga原子の挙動 / p45 (0028.jp2)
  28. 第3-1節 序節 / p45 (0028.jp2)
  29. 第3-2節 実験方法 / p46 (0029.jp2)
  30. 第3-3節 過剰Ga原子の脱離特性 / p47 (0029.jp2)
  31. 1 GaAs結晶中からのGa原子の昇華と過剰Ga原子の脱離 / p47 (0029.jp2)
  32. 2 過剰Ga原子の脱離特性 / p49 (0030.jp2)
  33. 第3-4節 考察 / p51 (0031.jp2)
  34. 第3-5節 まとめ / p52 (0032.jp2)
  35. 参考文献 / p54 (0033.jp2)
  36. 第4章 過剰Ga原子の脱離特性を利用した単原子層制御エピタキシー / p57 (0034.jp2)
  37. 第4-1節 序節 / p57 (0034.jp2)
  38. 第4-2節 実験方法 / p58 (0035.jp2)
  39. 第4-3節 過剰Ga原子の脱離特性を利用した単原子層制御エピタキシー / p60 (0036.jp2)
  40. 第4-4節 過剰Al原子の脱離特性とAlGaAsの単原子層制御エピキタシー / p63 (0037.jp2)
  41. 1 過剰Al原子の脱離特性 / p63 (0037.jp2)
  42. 2 AlGaAsの単原子層制御エピタキシー / p64 (0038.jp2)
  43. 3 III族原料の供給手順の脱離特性に及ぼす効果 / p65 (0038.jp2)
  44. 第4-5節 成長した試料の評価 / p67 (0039.jp2)
  45. 第4-6節 考察 / p69 (0040.jp2)
  46. 1 Congruent温度 / p69 (0040.jp2)
  47. 2 As原子の表面被覆率 / p70 (0041.jp2)
  48. 3 Tilted Super Latticeへの応用の可能性 / p71 (0041.jp2)
  49. 第4-7節 まとめ / p73 (0042.jp2)
  50. 参考文献 / p74 (0043.jp2)
  51. 第5章 Ga安定化面におけるGaAsのエピタキシー / p76 (0044.jp2)
  52. 第5-1節 序節 / p76 (0044.jp2)
  53. 第5-2節 実験装置 / p77 (0044.jp2)
  54. 第5-3節 実験結果 / p78 (0045.jp2)
  55. 1 RHEED観察 / p78 (0045.jp2)
  56. 2 成長時間 / p78 (0045.jp2)
  57. 3 成長速度 / p80 (0046.jp2)
  58. 第5-4節 考察 / p83 (0047.jp2)
  59. 第5-5節 まとめ / p85 (0048.jp2)
  60. 参考文献 / p87 (0049.jp2)
  61. 第6章 単原子層制御エピタキシーの観察手法としての直衝突イオン散乱分光装置の開発 / p89 (0050.jp2)
  62. 第6-1節 序節 / p89 (0050.jp2)
  63. 第6-2節 実験条件の検討 / p91 (0051.jp2)
  64. 1 分解能に影響を及ぼす要因 / p91 (0051.jp2)
  65. 2 プローブビームの選定と分解能 / p91 (0051.jp2)
  66. 3 同位体が分解能に与える影響 / p93 (0052.jp2)
  67. 4 分解能に影響を与えるその他の要因 / p95 (0053.jp2)
  68. 第6-3節 実験結果 / p96 (0054.jp2)
  69. 1 GaAs/AlAs系のその場観察 / p96 (0054.jp2)
  70. 2 AlAs/GaAs超格子成長の実時間観察 / p98 (0055.jp2)
  71. 第6-4節 考察 / p102 (0057.jp2)
  72. 第6-5節 まとめ / p104 (0058.jp2)
  73. 参考文献 / p105 (0058.jp2)
  74. 第7章 直衝突イオン散乱分光装置の結晶表面構造解析への応用 / p107 (0059.jp2)
  75. 第7-1節 序節 / p107 (0059.jp2)
  76. 1 はじめに / p107 (0059.jp2)
  77. 2 結晶表面の再構成(Surface Reconstruction) / p107 (0059.jp2)
  78. 3 低速イオン散乱分光法による原子位置決定の原理 / p108 (0060.jp2)
  79. 第7-2節 実験 / p110 (0061.jp2)
  80. 第7-3節 実験結果 / p111 (0061.jp2)
  81. 1 シャドーコーン半径 / p111 (0061.jp2)
  82. 2 タイマー原子の原子間距離 / p114 (0063.jp2)
  83. 第7-4節 考察 / p117 (0064.jp2)
  84. 第7-5節 まとめ / p118 (0065.jp2)
  85. 参考文献 / p119 (0065.jp2)
  86. 第8章 結論 / p121 (0066.jp2)
  87. 謝辞 / p124 (0068.jp2)
  88. 本研究に関連した発表論文 / p125 (0068.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097778
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098007
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000262092
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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