鉛合金及びニオビウムを電極材料とする超伝導集積回路製作技術に関する研究

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著者

    • 黒田, 研一 クロダ, ケンイチ

書誌事項

タイトル

鉛合金及びニオビウムを電極材料とする超伝導集積回路製作技術に関する研究

著者名

黒田, 研一

著者別名

クロダ, ケンイチ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第10224号

学位授与年月日

1991-05-30

注記・抄録

博士論文

報告番号: 乙10224 ; 学位授与年月日: 1991-05-30 ; 学位の種別: 論文博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 第10224号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工学専攻

目次

  1. 目次 / (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1節 本研究の背景と,研究の目的 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2節 本論文の構成 / p3 (0008.jp2)
  5. 第2章 鉛系ジョセフソン接合とその集積化の検討 / p6 (0010.jp2)
  6. 2.1節 序 / p6 (0010.jp2)
  7. 2.2節 ジョセフソン接合の高品質化 / p10 (0012.jp2)
  8. 2.2.1 偏光解析法による鉛合金の酸化膜成長過程の観察 / p10 (0012.jp2)
  9. 2.2.2 高インジウム濃度化による接合の高品質化 / p35 (0024.jp2)
  10. 2.2.3 検討 / p42 (0028.jp2)
  11. 2.3節 鉛合金ジョセフソン接合による大規模集積回路構成技術の検討 / p44 (0029.jp2)
  12. 2.3.1 鉛合金超伝導集積回路の層構成 / p44 (0029.jp2)
  13. 2.3.2 パターン形成技術 / p51 (0032.jp2)
  14. 2.3.3 ジョセフソン接合特性の制御 / p54 (0034.jp2)
  15. 2.3.4 磁気侵入距離の評価 / p65 (0039.jp2)
  16. 2.3.5 1K b R A Mの試作例 / p81 (0047.jp2)
  17. 2.3.6 鉛合金超伝導集積回路の問題点 / p88 (0051.jp2)
  18. 2.3.7 検討 / p93 (0053.jp2)
  19. 2.4節 鉛合金・ニオビウム複合電極によるジョセフソン接合の高信頼化 / p96 (0055.jp2)
  20. 2.4.1 ヒートサイクル耐性の必要性 / p96 (0055.jp2)
  21. 2.4.2 ヒートサイクル試験及び試験機 / p97 (0055.jp2)
  22. 2.4.3 鉛合金ジョセフソン接合のヒートサイクル耐性改善の進歩 / p100 (0057.jp2)
  23. 2.4.4 薄層化による粒径の微細化とニオビウム・鉛合金複合電極の提案 / p101 (0057.jp2)
  24. 2.4.5 ウィンドウSi0絶縁膜の影響 / p105 (0059.jp2)
  25. 2.4.6 新しい接合構造の提案 / p108 (0061.jp2)
  26. 2.4.7 SPOT接合の製作工程 / p110 (0062.jp2)
  27. 2.4.8 SPOT接合の静特性 / p115 (0064.jp2)
  28. 2.4.9 ヒートサイクル試験結果 / p117 (0065.jp2)
  29. 2.4.10 下部電極パターン依存性 / p121 (0067.jp2)
  30. 2.4.11 検討 / p123 (0068.jp2)
  31. 2.5節 まとめ / p124 (0069.jp2)
  32. 第3章 ニオビウム系ジョセフソン接合とその集積化の検討 / p125 (0069.jp2)
  33. 3.1 節序 / p125 (0069.jp2)
  34. 3.2節 Nb/Al-oxide/Nb接合の製作技術 / p127 (0070.jp2)
  35. 3.2.1 ニオビウム膜の特性 / p127 (0070.jp2)
  36. 3.2.2 パターニング / p137 (0075.jp2)
  37. 3.2.3 接合形成工程 / p144 (0079.jp2)
  38. 3.2.4 トンネル酸化膜の形成条件と接合特性の関係 / p150 (0082.jp2)
  39. 3.2.5 エッチング法によって製作した接合の問題点 / p156 (0085.jp2)
  40. 3.2.6 ニオビウム膜の内部応力と接合特性の関係 / p156 (0085.jp2)
  41. 3.2.7 内部応力による接合特性劣化のメカニズムとその解決法 / p161 (0087.jp2)
  42. 3.2.8 検討 / p169 (0091.jp2)
  43. 3.3節 全ニオビウム化超伝導集積回路の試作例 / p170 (0092.jp2)
  44. 3.3.1 全ニオビウム化超伝導回路の特徴 / p170 (0092.jp2)
  45. 3.3.2 パラジウム抵抗体 / p170 (0092.jp2)
  46. 3.3.3 完全平坦化を実現した層構成 / p177 (0095.jp2)
  47. 3.3.4 高速論理ゲート回路への適用 / p181 (0097.jp2)
  48. 3.3.5 検討 / p181 (0097.jp2)
  49. 3.4節 まとめ / p187 (0100.jp2)
  50. 第4章 結論 / p188 (0101.jp2)
  51. 謝辞 / p192 (0103.jp2)
  52. 参考文献 / p193 (0103.jp2)
  53. 研究業績 / p202 (0108.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097868
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098097
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000262182
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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