レーザ照射を利用したSOI構造形成技術とその3次元デバイスへの応用に関する研究

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著者

    • 大倉, 理 オオクラ, マコト

書誌事項

タイトル

レーザ照射を利用したSOI構造形成技術とその3次元デバイスへの応用に関する研究

著者名

大倉, 理

著者別名

オオクラ, マコト

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第10336号

学位授与年月日

1991-09-18

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 SOI構造形成技術の概説と本研究の意義 / p6 (0009.jp2)
  5. 1.3 研究の目的と論文の構成 / p11 (0011.jp2)
  6. 1.4 参考文献 / p13 (0012.jp2)
  7. 第2章 レーザ照射によるSiの横方向エピタキシャル成長-ラテラルエピタキシ- / p16 (0014.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p16 (0014.jp2)
  9. 2.2 レーザ照射プロセス / p16 (0014.jp2)
  10. 2.3 ラテラルエピタキシ / p18 (0015.jp2)
  11. 2.4 単結晶成長条件 / p21 (0016.jp2)
  12. 2.5 ラテラルエピタキシャル層の結晶性 / p33 (0022.jp2)
  13. 2.6 結晶面方位の評価 / p36 (0024.jp2)
  14. 2.7 結言 / p43 (0027.jp2)
  15. 2.8 参考文献 / p43 (0027.jp2)
  16. 第3章 結晶成長の計算機シミュレーション / p46 (0029.jp2)
  17. 3.1 緒言 / p46 (0029.jp2)
  18. 3.2 計算方法 / p46 (0029.jp2)
  19. 3.3 計算結果 / p51 (0031.jp2)
  20. 3.4 結言 / p68 (0040.jp2)
  21. 3.5 参考文献 / p68 (0040.jp2)
  22. 第4章 ラテラルエピタキシャル層の電気的特性評価 / p69 (0040.jp2)
  23. 4.1 緒言 / p69 (0040.jp2)
  24. 4.2 実験方法 / p69 (0040.jp2)
  25. 4.3 単体MOS静特性 / p71 (0041.jp2)
  26. 4.4 その他の領域の電気的特性 / p80 (0046.jp2)
  27. 4.5 結言 / p85 (0048.jp2)
  28. 4.6 参考文献 / p86 (0049.jp2)
  29. 第5章 保護膜による再結晶層表面安定化 / p87 (0049.jp2)
  30. 5.1 緒言 / p87 (0049.jp2)
  31. 5.2 実験方法 / p87 (0049.jp2)
  32. 5.3 平坦化効果 / p88 (0050.jp2)
  33. 5.4 横方向ダイオードへの適用 / p98 (0055.jp2)
  34. 5.5 MOSトランジスタ形成への適用 / p102 (0057.jp2)
  35. 5.6 結言 / p104 (0058.jp2)
  36. 5.7 参考文献 / p104 (0058.jp2)
  37. 第6章 積層型デバイスへの適用 / p105 (0058.jp2)
  38. 6.1 緒言 / p105 (0058.jp2)
  39. 6.2 線状レーザビームを用いたラテラルエピタキシ / p105 (0058.jp2)
  40. 6.3 2層CMOS試作プロセス / p113 (0062.jp2)
  41. 6.4 2層CMOSの特性 / p118 (0065.jp2)
  42. 6.5 結言 / p127 (0069.jp2)
  43. 6.6 参考文献 / p127 (0069.jp2)
  44. 第7章 新構造ダイナミックRAMセル(SSS)の試作 / p128 (0070.jp2)
  45. 7.1 緒言 / p128 (0070.jp2)
  46. 7.2 新構造ダイナミックRAMセル(SSS) / p129 (0070.jp2)
  47. 7.3 SSSセル試作プロセスの概要と問題点 / p134 (0073.jp2)
  48. 7.4 横方向不純物拡散を抑制したラテラルエピタキシ / p138 (0075.jp2)
  49. 7.5 SSSセル試作プロセス / p148 (0080.jp2)
  50. 7.6 SSSセルの電気的特性 / p150 (0081.jp2)
  51. 7.7 結言 / p155 (0083.jp2)
  52. 7.8 参考文献 / p157 (0084.jp2)
  53. 第8章 総括 / p159 (0085.jp2)
  54. 謝辞 / p163 (0087.jp2)
  55. 著者論文リスト / p164 (0088.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000097980
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098209
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000262294
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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