GaAs及びAlGaAsのドライエッチングに関する研究

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著者

    • 浅川, 潔 アサカワ, キヨシ

書誌事項

タイトル

GaAs及びAlGaAsのドライエッチングに関する研究

著者名

浅川, 潔

著者別名

アサカワ, キヨシ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第10499号

学位授与年月日

1992-01-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (1) / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1･1節 本研究の目的と背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1･2節 ドライエッチングの概要 / p3 (0007.jp2)
  5. 1･3節 本研究の課題 / p6 (0009.jp2)
  6. 1･4節 本論文の構成 / p10 (0011.jp2)
  7. 第2章 複合ドライエッチング装置の概要及びプラズマ分析 / p13 (0012.jp2)
  8. 2･1節 序 / p13 (0012.jp2)
  9. 2･2節 装置の基本設計思想 / p14 (0013.jp2)
  10. 2･3節 装置の構成及び性能 / p15 (0013.jp2)
  11. 2･3･1 装置全体の構成及び性能 / p15 (0013.jp2)
  12. 2･3･2 ECRプラズマ装置の説明 / p20 (0016.jp2)
  13. 2･3･3 エッチング方式と試料配置 / p21 (0016.jp2)
  14. 2･4節 プラズマ分析 / p21 (0016.jp2)
  15. 2･4･1 イオン電流密度の測定 / p22 (0017.jp2)
  16. 2･4･2 イオン分光による1次イオンの分析 / p24 (0018.jp2)
  17. 2･4･3 イオン分光による2次イオンの分析 / p26 (0019.jp2)
  18. 2･4･4 発光分光による中性ラジカルの分析 / p28 (0020.jp2)
  19. 2･5節 小括 / p30 (0021.jp2)
  20. 第3章 GaAs及びAlGaAsの高平滑･高清浄反応性イオンビームエッチングの研究 / p32 (0022.jp2)
  21. 3･1節 序 / p32 (0022.jp2)
  22. 3･2節 GaAsの高平滑RIBEの実験 / p33 (0023.jp2)
  23. 3･2･1 実験準備 / p33 (0023.jp2)
  24. 3･2･2 エッチング速度 / p34 (0023.jp2)
  25. 3･2･3 科学的スパッタ率 / p37 (0025.jp2)
  26. 3･2･4 エッチング速度のイオンビーム入射角依存性 / p43 (0028.jp2)
  27. 3･2･5 エッチング表面の走査形電子顕微鏡観察 / p46 (0029.jp2)
  28. 3･2･6 エッチング表面のRHEED観察と平滑性 / p46 (0029.jp2)
  29. 3･2･7 GaAsの平滑エッチングのモデル / p47 (0030.jp2)
  30. 3･3節 AlGaAsの高平滑RIBEの実験 / p49 (0031.jp2)
  31. 3･3･1 AlGaAsのエッチング速度の低下現象 / p49 (0031.jp2)
  32. 3･3･2 AlGaAsのエッチング速度に及ぼす残留ガスの影響 / p49 (0031.jp2)
  33. 3･3･3 GaAs及びAlGaAsの等速･平滑エッチング / p55 (0034.jp2)
  34. 3･3･4 AlGaAsのエッチング機構 / p57 (0035.jp2)
  35. 3･4節 垂直･鏡面RIBEの実験 / p59 (0036.jp2)
  36. 3･4･1 加工断面形状の垂直化 / p59 (0036.jp2)
  37. 3･4･2 垂直側壁の鏡面化 / p68 (0040.jp2)
  38. 3･4･3 垂直側壁のマイクロオージェ観察 / p72 (0042.jp2)
  39. 3･4･4 加工断面形状の基板温度依存性 / p74 (0043.jp2)
  40. 3･4･5 垂直加工形状の形成機構 / p77 (0045.jp2)
  41. 3･5節 AlGaAs系レーザ基板へのRIBEの応用実験 / p78 (0045.jp2)
  42. 3･5･1 レーザ基板上へのエッチドミラー形成の問題点 / p78 (0045.jp2)
  43. 3･5･2 AlGaAs系レーザ基板へのRIBEの応用 / p83 (0048.jp2)
  44. 3･6節 小括 / p89 (0051.jp2)
  45. 第4章 GaAs表面とECRプラズマ解離中性ラジカルの相互作用の研究 / p92 (0052.jp2)
  46. 4･1節 序 / p92 (0052.jp2)
  47. 4･2節 GaAs及びAlGaAsのラジカルエッチングの実験 / p92 (0052.jp2)
  48. 4･2･1 実験方法及び試料準備 / p92 (0052.jp2)
  49. 4･2･2 ラジカル照射後のGaAs表面のオージェ電子分光 / p93 (0053.jp2)
  50. 4･2･3 ラジカルエッチング速度の基板温度依存性 / p96 (0054.jp2)
  51. 4･2･4 ラジカルエッチングの律速過程の考察 / p97 (0055.jp2)
  52. 4･2･5 ラジカルエッチングの加工断面形状の結晶方位依存性 / p99 (0056.jp2)
  53. 4･3節 GaAs及びAlGaAsのラジカルビームクリーニングの実験 / p105 (0059.jp2)
  54. 4･3･1 実験の背景と狙い / p105 (0059.jp2)
  55. 4･3･2 実験方法及び試料準備 / p107 (0060.jp2)
  56. 4･3･3 ラジカルビーム照射後のGaAs表面のオージェ電子分光 / p113 (0063.jp2)
  57. 4･3･4 水素ラジカルビームによるGaAs表面のクリーニング / p115 (0064.jp2)
  58. 4･3･5 水素ラジカルビームによるAlGaAs表面のクリーニング / p120 (0066.jp2)
  59. 4･3･6 酸素ラジカルビームによるGaAs表面のクリーニング / p121 (0067.jp2)
  60. 4･3･7 各種ラジカルビームによるGaAs表面クリーニングの比較 / p122 (0067.jp2)
  61. 4･3･8 塩素ラジカルビームによるGaAs表面金属汚染のクリーニング / p125 (0069.jp2)
  62. 4･4節 小括 / p126 (0069.jp2)
  63. 第5章 反応性イオンビームエッチング誘起損傷･汚染の評価及び抑制の研究 / p129 (0071.jp2)
  64. 5･1節 序 / p129 (0071.jp2)
  65. 5･2節 評価方法 / p129 (0071.jp2)
  66. 5･3節 イオン照射損傷の評価及び抑制の実験 / p132 (0073.jp2)
  67. 5･3･1 レーザラマン分光による損傷の評価 / p132 (0073.jp2)
  68. 5･3･2 エリプソメトリによる損傷の評価 / p133 (0073.jp2)
  69. 5･3･3 "その場"オージェ電子分光による表面組成ずれの評価 / p134 (0074.jp2)
  70. 5･3･4 ショットキー障壁特性による損傷の評価 / p137 (0075.jp2)
  71. 5･3･5 DLTSによる損傷の評価 / p139 (0076.jp2)
  72. 5･4節 プラズマ誘起汚染の評価及び抑制の実験 / p142 (0078.jp2)
  73. 5･4･1 "その場"オージェ電子分光による塩素汚染の評価 / p142 (0078.jp2)
  74. 5･4･2 "その場"熱処理による塩素汚染の除去 / p145 (0079.jp2)
  75. 5･4･3 ラジカルビーム照射による塩素汚染の除去 / p147 (0080.jp2)
  76. 5･5節 小括 / p149 (0081.jp2)
  77. 第6章 GaAs反応性イオンビームエッチング後の"その場"プロセスの研究 / p151 (0082.jp2)
  78. 6･1節 序 / p151 (0082.jp2)
  79. 6･2節 GaAsRIBE後の"その場"ショットキー電極形成 / p152 (0083.jp2)
  80. 6･2･1 実験方法及び試料作製 / p152 (0083.jp2)
  81. 6･2･2 Al-GaAs界面のオージェ電子分光およびSIMS観察 / p152 (0083.jp2)
  82. 6･2･3 Al-GaAs界面のショットキー障壁特性 / p155 (0084.jp2)
  83. 6･3節 AlGaAs系レーザ端面加工後の"その場"パシベーション / p156 (0085.jp2)
  84. 6･3･1 実験方法及び試料作製方法 / p156 (0085.jp2)
  85. 6･3･2 レーザ光出力特性 / p158 (0086.jp2)
  86. 6･3･3 レーザ端面-パシベーション膜界面のモデル / p161 (0087.jp2)
  87. 6･4節 小括 / p163 (0088.jp2)
  88. 第7章 GaAs及びAlGaAsの反応増速集束イオンビームエッチングの研究 / p165 (0089.jp2)
  89. 7･1節 序 / p165 (0089.jp2)
  90. 7･2節 集束イオンビームエッチング装置の概要 / p166 (0090.jp2)
  91. 7･2･1 集束イオンビーム発生系および加工室 / p166 (0090.jp2)
  92. 7･2･2 塩素ガス導入系 / p167 (0090.jp2)
  93. 7･3節 GaAs表面上のGa残留物除去の実験 / p168 (0091.jp2)
  94. 7･3･1 塩素ガス照射によるGa残留物の除去 / p169 (0091.jp2)
  95. 7･3･2 Ga残留物除去領域の検討 / p170 (0092.jp2)
  96. 7･4節 エッチングの反応増速性向上の実験 / p171 (0092.jp2)
  97. 7･4･1 エッチング速度の塩素ガス照射系依存性 / p171 (0092.jp2)
  98. 7･4･2 エッチング速度の塩素ガス圧依存性 / p172 (0093.jp2)
  99. 7･4･3 エッチング速度のイオン加速エネルギー依存性 / p172 (0093.jp2)
  100. 7･4･4 エッチング速度のビーム走査時間依存性 / p173 (0093.jp2)
  101. 7･5節 エッチング速度のビーム走査時間依存性のモデルに関する一考察 / p177 (0095.jp2)
  102. 7･5･1 任意点でのイオン走査時間のモデル / p177 (0095.jp2)
  103. 7･5･2 任意点での塩素吸着時間のモデル / p179 (0096.jp2)
  104. 7･5･3 科学的スパッタ率のビーム走査時間依存性のモデル / p179 (0096.jp2)
  105. 7･5･4 モデルの妥当性の検討 / p180 (0097.jp2)
  106. 7･6節 ライン走査エッチングの加工断面形状 / p182 (0098.jp2)
  107. 7･7節 AlGaAs系レーザ基板へのエッチドミラー形成応用 / p186 (0100.jp2)
  108. 7･8節 小括 / p187 (0100.jp2)
  109. 第8章 総括 / p189 (0101.jp2)
  110. 参考文献 / p193 (0103.jp2)
  111. 本研究に関する発表 / p198 (0106.jp2)
  112. 謝辞 / p206 (0110.jp2)
14アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000098143
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098372
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000262457
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

書き出し

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