有機金属化学気相成長(MOCVD)法によるAlGaAsエピタキシャル成長とそのヘテロ構造素子への応用に関する研究

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著者

    • 森, 芳文 モリ, ヨシフミ

書誌事項

タイトル

有機金属化学気相成長(MOCVD)法によるAlGaAsエピタキシャル成長とそのヘテロ構造素子への応用に関する研究

著者名

森, 芳文

著者別名

モリ, ヨシフミ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第10561号

学位授与年月日

1992-02-13

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 原料の性質 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 MOCVD法の概要 / p10 (0010.jp2)
  6. 1.4 装置と方法 / p13 (0011.jp2)
  7. 1.5 解決すべき課題 / p18 (0014.jp2)
  8. 1.6 論文の構成と主要な結果 / p19 (0014.jp2)
  9. 参考文献 / p22 (0016.jp2)
  10. 第2章 MOCVD法によるAlGaAsの高温成長 / p27 (0018.jp2)
  11. 2.1 はじめに / p27 (0018.jp2)
  12. 2.2 高温成長下での成長速度低下の原因 / p27 (0018.jp2)
  13. 2.3 Al混晶比の変動要因 / p36 (0023.jp2)
  14. 2.4 まとめ / p40 (0025.jp2)
  15. 参考文献 / p40 (0025.jp2)
  16. 第3章 MOCVD AlGaAs成長層の純度 / p43 (0026.jp2)
  17. 3.1 はじめに / p43 (0026.jp2)
  18. 3.2 GaAs成長層の純度 / p44 (0027.jp2)
  19. 3.3 AlGaAsの純度 / p53 (0031.jp2)
  20. 3.4 基板面方位と炭素混入 / p57 (0033.jp2)
  21. 3.5 まとめ / p59 (0034.jp2)
  22. 参考文献 / p59 (0034.jp2)
  23. 第4章 MOCVD法によるヘテロ構造の成長とその評価 / p61 (0035.jp2)
  24. 4.1 はじめに / p61 (0035.jp2)
  25. 4.2 ヘテロ構造界面の混晶組成急峻性と極薄膜超格子の作製 / p62 (0036.jp2)
  26. 4.3 ヘテロ構造界面の構造ゆらぎ / p67 (0038.jp2)
  27. 4.4 まとめ / p72 (0041.jp2)
  28. 参考文献 / p72 (0041.jp2)
  29. 第5章 構造基板上への成長とその特異性 / p75 (0042.jp2)
  30. 5.1 はじめに / p75 (0042.jp2)
  31. 5.2 構造基板上の成長構造 / p75 (0042.jp2)
  32. 5.3 不純物濃度の形状効果 / p81 (0045.jp2)
  33. 5.4 まとめ / p83 (0046.jp2)
  34. 参考文献 / p83 (0046.jp2)
  35. 第6章 MOCVD法のデバイス作製への応用 / p85 (0047.jp2)
  36. 6.1 はじめに / p85 (0047.jp2)
  37. 6.2 半導体レーザ / p86 (0048.jp2)
  38. 6.3 変調ドーピングによるヘテロ構造電界効果トランジスタ / p103 (0056.jp2)
  39. 6.4 まとめ / p117 (0063.jp2)
  40. 参考文献 / p118 (0064.jp2)
  41. 第7章 結論 / p121 (0065.jp2)
  42. 主要論文 / p125 (0067.jp2)
  43. 関連論文・著書 / p127 (0068.jp2)
  44. 謝辞 / p131 (0070.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000098205
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098434
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000262519
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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