有機金属化学気相成長(MOCVD)法によるAlGaAsエピタキシャル成長とそのヘテロ構造素子への応用に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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有機金属化学気相成長(MOCVD)法によるAlGaAsエピタキシャル成長とそのヘテロ構造素子への応用に関する研究
- Author
-
森, 芳文
- Author(Another name)
-
モリ, ヨシフミ
- University
-
東京大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第10561号
- Degree year
-
1992-02-13
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 原料の性質 / p2 (0006.jp2)
- 1.3 MOCVD法の概要 / p10 (0010.jp2)
- 1.4 装置と方法 / p13 (0011.jp2)
- 1.5 解決すべき課題 / p18 (0014.jp2)
- 1.6 論文の構成と主要な結果 / p19 (0014.jp2)
- 参考文献 / p22 (0016.jp2)
- 第2章 MOCVD法によるAlGaAsの高温成長 / p27 (0018.jp2)
- 2.1 はじめに / p27 (0018.jp2)
- 2.2 高温成長下での成長速度低下の原因 / p27 (0018.jp2)
- 2.3 Al混晶比の変動要因 / p36 (0023.jp2)
- 2.4 まとめ / p40 (0025.jp2)
- 参考文献 / p40 (0025.jp2)
- 第3章 MOCVD AlGaAs成長層の純度 / p43 (0026.jp2)
- 3.1 はじめに / p43 (0026.jp2)
- 3.2 GaAs成長層の純度 / p44 (0027.jp2)
- 3.3 AlGaAsの純度 / p53 (0031.jp2)
- 3.4 基板面方位と炭素混入 / p57 (0033.jp2)
- 3.5 まとめ / p59 (0034.jp2)
- 参考文献 / p59 (0034.jp2)
- 第4章 MOCVD法によるヘテロ構造の成長とその評価 / p61 (0035.jp2)
- 4.1 はじめに / p61 (0035.jp2)
- 4.2 ヘテロ構造界面の混晶組成急峻性と極薄膜超格子の作製 / p62 (0036.jp2)
- 4.3 ヘテロ構造界面の構造ゆらぎ / p67 (0038.jp2)
- 4.4 まとめ / p72 (0041.jp2)
- 参考文献 / p72 (0041.jp2)
- 第5章 構造基板上への成長とその特異性 / p75 (0042.jp2)
- 5.1 はじめに / p75 (0042.jp2)
- 5.2 構造基板上の成長構造 / p75 (0042.jp2)
- 5.3 不純物濃度の形状効果 / p81 (0045.jp2)
- 5.4 まとめ / p83 (0046.jp2)
- 参考文献 / p83 (0046.jp2)
- 第6章 MOCVD法のデバイス作製への応用 / p85 (0047.jp2)
- 6.1 はじめに / p85 (0047.jp2)
- 6.2 半導体レーザ / p86 (0048.jp2)
- 6.3 変調ドーピングによるヘテロ構造電界効果トランジスタ / p103 (0056.jp2)
- 6.4 まとめ / p117 (0063.jp2)
- 参考文献 / p118 (0064.jp2)
- 第7章 結論 / p121 (0065.jp2)
- 主要論文 / p125 (0067.jp2)
- 関連論文･著書 / p127 (0068.jp2)
- 謝辞 / p131 (0070.jp2)