2層SiO[2]保護膜によるバイポーラトランジスタの耐放射線性強化に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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2層SiO[2]保護膜によるバイポーラトランジスタの耐放射線性強化に関する研究
- 著者名
-
渡邉, 喜久雄
- 著者別名
-
ワタナベ, キクオ
- 学位授与大学
-
東京大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第10563号
- 学位授与年月日
-
1992-02-13
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 本研究の動機および目的 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 本研究の意義 / p8 (0013.jp2)
- 1.3 本論文の構成 / p13 (0018.jp2)
- 1.4 参考文献 / p14 (0019.jp2)
- 第2章 γ線照射によるバイポーラトランジスタの素子特性変化とその機構解明 / p16 (0021.jp2)
- 2.1 緒言 / p16 (0021.jp2)
- 2.2 γ線照射によるバイポーラトランジスタの素子特性変化 / p17 (0022.jp2)
- 2.3 DLTS法によるSi結晶中のγ線照射欠陥とX線照射欠陥の評価 / p20 (0025.jp2)
- 2.4 バイポーラトランジスタのγ線照射効果とX線照射効果の比較検討 / p23 (0028.jp2)
- 2.5 X線ウエハプローバの試作と評価 / p27 (0032.jp2)
- 2.6 第2章のまとめ / p30 (0035.jp2)
- 2.7 参考文献 / p32 (0037.jp2)
- 第3章 MOSダイオードを用いて評価したSiO₂/Si構造の放射線照射効果 / p33 (0038.jp2)
- 3.1 緒言 / p33 (0038.jp2)
- 3.2 X線照射時にMOSダイオードの金属電極に印加した電圧の極性依存性 / p34 (0039.jp2)
- 3.3 MOSダイオード作製プロセス条件がSiO₂/Si構造の放射線照射効果におよぼす影響 / p40 (0045.jp2)
- 3.4 γ線照射後の室温バイアスアニール効果 / p55 (0060.jp2)
- 3.5 第3章のまとめ / p60 (0065.jp2)
- 3.6 参考文献 / p62 (0067.jp2)
- 第4章 耐放射線性2層SiO₂膜 / p64 (0069.jp2)
- 4.1 緒言 / p64 (0069.jp2)
- 4.2 放射線照射によるSiO₂/Si界面トラップ形成機構モデル / p65 (0070.jp2)
- 4.3 耐放射線性2層SiO₂膜の提案 / p71 (0076.jp2)
- 4.4 2層SiO₂膜中の捕獲電荷分布に関する理論的検討 / p75 (0080.jp2)
- 4.5 2層SiO₂膜のX線照射効果 / p85 (0090.jp2)
- 4.6 第2層膜材料と熱処理効果に関する検討 / p90 (0095.jp2)
- 4.7 イオン打ち込みされた熱酸化SiO₂膜のX線照射効果 / p98 (0103.jp2)
- 4.8 第4章のまとめ / p104 (0109.jp2)
- 4.9 参考文献 / p107 (0112.jp2)
- 第5章 Si表面保護膜に2層SiO₂膜を用いたバイポーラトランジスタの耐放射線性 / p109 (0114.jp2)
- 5.1 緒言 / p109 (0114.jp2)
- 5.2 npnトランジスタの耐放射線性 / p109 (0114.jp2)
- 5.3 横型pnpトランジスタの耐放射線性 / p112 (0117.jp2)
- 5.4 IIL素子の耐放射線性 / p115 (0120.jp2)
- 5.5 素子集積化に関する検討 / p115 (0120.jp2)
- 5.6 素子信頼性に関する検討 / p117 (0122.jp2)
- 5.7 第5章のまとめ / p119 (0124.jp2)
- 5.8 参考文献 / p121 (0126.jp2)
- 第6章 結論 / p122 (0127.jp2)
- 6.1 本研究で得られた結論 / p122 (0127.jp2)
- 6.2 今後に残された課題 / p126 (0131.jp2)
- 謝辞 / p127 (0132.jp2)
- 付録 放射線の単位 / p128 (0133.jp2)
- 本論文に関する公表論文 / p131 (0136.jp2)
- 著者学会講演 / p132 (0137.jp2)