低雑音化によるDRAM高性能化の研究

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著者

    • 青木, 正和 アオキ, マサカズ

書誌事項

タイトル

低雑音化によるDRAM高性能化の研究

著者名

青木, 正和

著者別名

アオキ, マサカズ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第10643号

学位授与年月日

1992-03-16

注記・抄録

博士論文

報告番号: 乙10643 ; 学位授与年月日: 1992-03-16 ; 学位の種別: 論文博士 ; 学位の種類: 博士(工学) ; 学位記番号: 第10643号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工学専攻

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 内容概要 / p3 (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.1 まえがき / p1 (0005.jp2)
  5. 1.2 本論文の位置付け / p2 (0006.jp2)
  6. 1.3 本論文の内容 / p6 (0008.jp2)
  7. 第2章 データ線撚架による高集積DRAMにおける干渉雑音の抑制 / p16 (0013.jp2)
  8. 2.1 まえがき / p16 (0013.jp2)
  9. 2.2 高集積DRAMメモリアレーにおける新しいデータ線間干渉雑音の発生機構 / p17 (0013.jp2)
  10. 2.3 信号波形観測による干渉雑音の実験的解析 / p19 (0014.jp2)
  11. 2.4 データ線撚架による雑音低減効果 / p22 (0016.jp2)
  12. 2.5 干渉雑音によるデータ保持時間の劣化とデータ線撚架による改善効果 / p23 (0016.jp2)
  13. 2.6 むすび / p25 (0017.jp2)
  14. 第3章 データ線間干渉雑音を排除したα線収集電荷の評価 / p36 (0023.jp2)
  15. 3.1 まえがき / p36 (0023.jp2)
  16. 3.2 干渉雑音によるα線収集電荷の疑似増加現象の発生機構 / p37 (0023.jp2)
  17. 3.3 α線収集電荷の疑似増加現象を定量化する実験方法 / p40 (0025.jp2)
  18. 3.4 立体型DRAMセルにおけるα線収集電荷の疑似増加現象の解析 / p42 (0026.jp2)
  19. 3.5 むすび / p44 (0027.jp2)
  20. 第4章 電流検出方式による16MビットDRAMの高速化 / p53 (0031.jp2)
  21. 4.1 まえがき / p53 (0031.jp2)
  22. 4.2 チップの構成 / p54 (0032.jp2)
  23. 4.3 低雑音メモリアレーの設計 / p55 (0032.jp2)
  24. 4.4 低雑音・高速電流検出増幅器の設計 / p56 (0033.jp2)
  25. 4.5 試作素子の特性とその検討 / p58 (0034.jp2)
  26. 4.6 むすび / p60 (0035.jp2)
  27. 第5章 干渉雑音抑制によるDRAMの低電力化 / p71 (0040.jp2)
  28. 5.1 まえがき / p71 (0040.jp2)
  29. 5.2 メモリセル蓄積容量電極のパルス駆動による信号増加法 / p72 (0041.jp2)
  30. 5.3 データ線をシールドした積層容量型メモリセルによる干渉雑音の低減 / p77 (0043.jp2)
  31. 5.4 実験結果とその検討 / p78 (0044.jp2)
  32. 5.5 むすび / p79 (0044.jp2)
  33. 第6章 バイアス電荷転送方式によるDRAMの多値メモリ化 / p91 (0050.jp2)
  34. 6.1 まえがき / p91 (0050.jp2)
  35. 6.2 1トランジスタ型DRAMセルを用いた多値メモリの提案 / p92 (0051.jp2)
  36. 6.3 バイアス電荷転送型高感度センス増幅器の設計 / p94 (0052.jp2)
  37. 6.4 実験結果 / p97 (0053.jp2)
  38. 6.5 信号限界の検討 / p97 (0053.jp2)
  39. 6.6 むすび / p100 (0055.jp2)
  40. 第7章 結論 / p108 (0059.jp2)
  41. 謝辞 / p113 (0061.jp2)
  42. 参考文献 / p114 (0062.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000098287
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098516
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000262601
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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