キャパシタンス,コンダクタンスの電圧依存性による半導体の評価に関する研究

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Author

    • 造田, 安民 ゾウタ, ヤスタミ

Bibliographic Information

Title

キャパシタンス,コンダクタンスの電圧依存性による半導体の評価に関する研究

Author

造田, 安民

Author(Another name)

ゾウタ, ヤスタミ

University

東京大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

乙第10644号

Degree year

1992-03-16

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  2. 1.1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.2 本研究の動機と意義 / p2 (0006.jp2)
  4. 1.3 本研究の内容 / p4 (0007.jp2)
  5. 第2章 階段接合キャパシタンスの周波数依存性と深い不純物の密度,放出の時定数との関係に関する理論的検討 / p9 (0009.jp2)
  6. 2.1 はじめに / p9 (0009.jp2)
  7. 2.2 深い不純物準位の捕獲,放出過程 / p11 (0010.jp2)
  8. 2.3 深い不純物を含む階段接合のモデル / p15 (0012.jp2)
  9. 2.4 検討 / p20 (0015.jp2)
  10. 2.5 むすび / p21 (0015.jp2)
  11. 第3章 浅い不純物,深い不純物密度とキャパシタンスの電圧微分との関係に関する理論的検討 / p29 (0019.jp2)
  12. 3.1 はじめに / p29 (0019.jp2)
  13. 3.2 キャパシタンス測定を高周波で行ない､キャパシタンスの電圧微分の周波数が変化する場合 / p30 (0020.jp2)
  14. 3.3 キャパシタンス測定,電圧微分の周波数が共に変化する場合 / p32 (0021.jp2)
  15. 3.4 キャパシタンス測定の周波数が変化し､電圧微分を直流的に行なう場合 / p34 (0022.jp2)
  16. 3.5 キャパシタンスの電圧微分の測定方法 / p35 (0022.jp2)
  17. 3.6 検討 / p38 (0024.jp2)
  18. 3.7 まとめ / p40 (0025.jp2)
  19. 第4章 深い不純物の空間分布の算出とエネルギー準位の決定 / p47 (0028.jp2)
  20. 4.1 はじめに / p47 (0028.jp2)
  21. 4.2 空欠層内のポアソン方程式の積分 / p48 (0029.jp2)
  22. 4.3 不純物が空間的な分布を持っている場合 / p50 (0030.jp2)
  23. 4.4 不純物が一様な分布の場合 / p52 (0031.jp2)
  24. 4.5 DLTS測定への応用(λ効果) / p54 (0032.jp2)
  25. 4.6 討論 / p60 (0035.jp2)
  26. 4.7 まとめ / p63 (0036.jp2)
  27. 第5章 キャパシタンスの電圧微分値の周波数依存性の測定による深い不純物の密度,エネルギー準位の決定 / p71 (0040.jp2)
  28. 5.1 はじめに / p71 (0040.jp2)
  29. 5.2 測定装置 / p72 (0041.jp2)
  30. 5.3 酸素を含むn型ガリウム砒素のショットキ障壁についての実験 / p74 (0042.jp2)
  31. 5.4 金を含んだシリコンp⁺n接合 / p77 (0043.jp2)
  32. 5.5 プロトン照射したSi p⁺n接合 / p79 (0044.jp2)
  33. 5.6 DLTSによる薄膜層の評価 / p81 (0045.jp2)
  34. 5.7 討論 / p83 (0046.jp2)
  35. 5.8 むすび / p87 (0048.jp2)
  36. 第6章 プロトン照射により生成する浅いドナーの評価 / p107 (0058.jp2)
  37. 6.1 はじめに / p107 (0058.jp2)
  38. 6.2 接合キャパシタンス法を用いた浅い不純物密度の決定 / p108 (0059.jp2)
  39. 6.3 電気抵抗測定による浅い不純物準位の決定 / p111 (0060.jp2)
  40. 6.4 討論 / p113 (0061.jp2)
  41. 6.5 むすび / p116 (0063.jp2)
  42. 第7章 MOS構造のキャパシタンスの電圧微分の周波数依存性と界面準位,浅い不純物密度と多数キャリアとの関係の検討 / p133 (0071.jp2)
  43. 7.1 はじめに / p133 (0071.jp2)
  44. 7.2 空乏領域と蓄積領域におけるMOSキャパシタンス / p134 (0072.jp2)
  45. 7.3 キャパシタンス測定が高周波で､電圧微分を準静的に行なう場合 / p136 (0073.jp2)
  46. 7.4 多数キャリアによる最小深さに対する制限 / p137 (0073.jp2)
  47. 7.5 キャパシタンス測定,電圧微分とも高周波の場合 / p138 (0074.jp2)
  48. 7.6 キャパシタンス測定が高周波で､電圧微分の周波数が変化する場合 / p140 (0075.jp2)
  49. 7.7 キャパシタンス測定の周波数が変化する場合 / p141 (0075.jp2)
  50. 7.8 実験結果と討論 / p142 (0076.jp2)
  51. 7.9 まとめ / p145 (0077.jp2)
  52. 第8章 結論 / p157 (0083.jp2)
  53. 謝辞 / p159 (0084.jp2)
  54. 著者論文リスト / p161 (0085.jp2)
14access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000098288
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000098517
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000262602
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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