亜鉛系ガラス/シリコン界面の電気的特性に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
亜鉛系ガラス/シリコン界面の電気的特性に関する研究
- 著者名
-
村上, 進
- 著者別名
-
ムラカミ, ススム
- 学位授与大学
-
東京大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第10645号
- 学位授与年月日
-
1992-03-16
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 まえがき / p1 (0006.jp2)
- 1.2 本研究の動機と目的 / p1 (0006.jp2)
- 1.3 本論文の構成と概要 / p10 (0011.jp2)
- 1.4 まとめ / p11 (0011.jp2)
- 1.5 第1章の参考文献 / p12 (0012.jp2)
- 第2章 p⁺-n接合のリーク電流の解析 / p15 (0014.jp2)
- 2.1 まえがき / p15 (0014.jp2)
- 2.2 試料の作製 / p17 (0015.jp2)
- 2.3 測定方法 / p24 (0019.jp2)
- 2.4 ゲート付きダイオードのIʀ-VG特性 / p24 (0019.jp2)
- 2.5 リーク電流の分離及びその温度依存性 / p28 (0021.jp2)
- 2.6 まとめ / p34 (0024.jp2)
- 2.7 第2章の参考文献 / p35 (0024.jp2)
- 第3章 分極による逆方向電圧-電流特性の不安定性現象 / p38 (0027.jp2)
- 3.1 まえがき / p38 (0027.jp2)
- 3.2 試料及びBT処理手順 / p40 (0028.jp2)
- 3.3 BT処理によるゲート付きダイオードの特性変動 / p44 (0030.jp2)
- 3.4 不安定性モデル / p66 (0041.jp2)
- 3.5 まとめ / p75 (0046.jp2)
- 3.6 第3章の参考文献 / p77 (0047.jp2)
- 第4章 逆方向電圧-電流特性に及ぼす水素アニールの影響 / p79 (0049.jp2)
- 4.1 まえがき / p79 (0049.jp2)
- 4.2 試料の作製方法とガラス中の固定電荷密度及び界面捕獲中心密度の測定方法 / p80 (0050.jp2)
- 4.3 Iʀ-Vʀ特性 / p83 (0051.jp2)
- 4.4 界面の電気的特性 / p96 (0058.jp2)
- 4.5 2段波形の発生機構 / p107 (0063.jp2)
- 4.6 まとめ / p110 (0065.jp2)
- 4.7 第4章の参考文献 / p112 (0066.jp2)
- 第5章 見掛けのガラス膜中の負の固定電荷の発生機構 / p115 (0068.jp2)
- 5.1 まえがき / p115 (0068.jp2)
- 5.2 実験試料及び測定方法 / p116 (0069.jp2)
- 5.3 シリコン表面のp型層の検証 / p118 (0070.jp2)
- 5.4 pn接合を含むMIS構造モデル / p123 (0072.jp2)
- 5.5 薄いp層の存在の有無による電気的特性の相違 / p133 (0077.jp2)
- 5.6 まとめ / p141 (0081.jp2)
- 5.7 第5章の参考文献 / p143 (0082.jp2)
- 第6章 ガラス/シリコン界面の構造と電気的特性の評価 / p145 (0084.jp2)
- 6.1 まえがき / p145 (0084.jp2)
- 6.2 試料の作製 / p145 (0084.jp2)
- 6.3 評価方法 / p146 (0085.jp2)
- 6.4 焼成温度の界面の電気的特性と構造に対する影響 / p148 (0086.jp2)
- 6.5 ガラス成分の界面の電気的特性と構造に対する影響 / p158 (0092.jp2)
- 6.6 界面電荷の発生機構 / p167 (0097.jp2)
- 6.7 まとめ / p177 (0102.jp2)
- 6.8 第6章の参考文献 / p179 (0103.jp2)
- 第7章 結論 / p180 (0105.jp2)
- 謝辞 / p185 (0109.jp2)