機能化半導体レーザとその作製技術に関する研究

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著者

    • 李, 国平 リ, クオピン

書誌事項

タイトル

機能化半導体レーザとその作製技術に関する研究

著者名

李, 国平

著者別名

リ, クオピン

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第9197号

学位授与年月日

1991-05-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第一章 緒言 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 研究の目的と意義 / p7 (0013.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p9 (0015.jp2)
  6. 参考文献 / p11 (0017.jp2)
  7. 第二章 ツインストライプレーザの理論解析 / p14 (0020.jp2)
  8. 2.1 はじめに / p14 (0020.jp2)
  9. 2.2 解析方法 / p16 (0022.jp2)
  10. 2.3 屈折率導波路の解析結果 / p20 (0026.jp2)
  11. 2.4 矩形純粋な利得導波路の解析結果 / p25 (0031.jp2)
  12. 2.5 ツインズトライプレーザの解析結果 / p29 (0035.jp2)
  13. 2.6 解析結果の考察 / p43 (0049.jp2)
  14. 2.7 まとめ / p51 (0057.jp2)
  15. 参考文献 / p52 (0058.jp2)
  16. 第三章 ツインストライプレーザの作製 / p53 (0059.jp2)
  17. 3.1 はじめに / p53 (0059.jp2)
  18. 3.2 作製工程 / p53 (0059.jp2)
  19. 3.3 作製工程の検討 / p73 (0079.jp2)
  20. 3.4 まとめ / p77 (0083.jp2)
  21. 参考文献 / p78 (0084.jp2)
  22. 第四章 ツインストライプレーザの特性測定 / p79 (0085.jp2)
  23. 4.1 はじめに / p79 (0085.jp2)
  24. 4.2 測定方法 / p80 (0086.jp2)
  25. 4.3 測定結果と考察 / p82 (0088.jp2)
  26. 4.4 検討と提案 / p94 (0100.jp2)
  27. 4.6 まとめ / p104 (0110.jp2)
  28. 参考文献 / p105 (0111.jp2)
  29. 第五章 AIN膜の半導体レーザ作製への応用 / p106 (0112.jp2)
  30. 5.1 はじめに / p106 (0112.jp2)
  31. 5.2 AIN膜のスパタリング形成 / p109 (0115.jp2)
  32. 5.3 膜質の評価と改善 / p113 (0119.jp2)
  33. 5.4 半導体レーザ作製への応用 / p119 (0125.jp2)
  34. 5.5 検討 / p121 (0127.jp2)
  35. 5.6 まとめ / p123 (0129.jp2)
  36. 参考文献 / p124 (0130.jp2)
  37. 第六章 GaAs超微細回折格子の形成 / p125 (0131.jp2)
  38. 6.1 はじめに / p125 (0131.jp2)
  39. 6.2 電子線直接描画法の研究 / p126 (0132.jp2)
  40. 6.3 単層マスク反応性イオンエッチングの研究 / p134 (0140.jp2)
  41. 6.4 湿式化学エッチング法の研究 / p142 (0148.jp2)
  42. 6.5 検討 / p147 (0153.jp2)
  43. 6.6 まとめ / p148 (0154.jp2)
  44. 参考文献 / p150 (0156.jp2)
  45. 第七章 総括 / p152 (0158.jp2)
  46. 付録1.数値解析プログラム / p154 (0160.jp2)
  47. 付録2.研究発表リスト / p160 (0166.jp2)
  48. 謝辞 / p161 (0167.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000098313
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098542
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000262627
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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