Study of doped semiconductors near the metal-insulator transition through magnetization measurement 磁化測定による金属・絶縁体転移近傍における不純物半導体の研究

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著者

    • 松永, 悟明 マツナガ, ノリアキ

書誌事項

タイトル

Study of doped semiconductors near the metal-insulator transition through magnetization measurement

タイトル別名

磁化測定による金属・絶縁体転移近傍における不純物半導体の研究

著者名

松永, 悟明

著者別名

マツナガ, ノリアキ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第9347号

学位授与年月日

1992-03-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / p1 (0003.jp2)
  2. 1 Introduction / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 Metal-Insurator Transition / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 Thermodynamic Property / p5 (0006.jp2)
  5. 2 Experiment / p9 (0008.jp2)
  6. 2.1 Sample / p9 (0008.jp2)
  7. 2.2 Magnetometer / p10 (0009.jp2)
  8. 2.3 Thermometry / p11 (0009.jp2)
  9. 2.4 Susceptibility of³He-⁴He Mixture / p12 (0010.jp2)
  10. 3 Results / p14 (0011.jp2)
  11. 3.1 Susceptibility of Pure Si / p14 (0011.jp2)
  12. 3.2 Susceptibility of Si:P / p16 (0012.jp2)
  13. 3.3 Magnetization of Si:P / p17 (0012.jp2)
  14. 3.4 Susceptibility of Ge:Sb / p17 (0012.jp2)
  15. 4 Theories / p19 (0013.jp2)
  16. 4.1 Donor Wave Function / p19 (0013.jp2)
  17. 4.2 Exchange Interaction / p20 (0014.jp2)
  18. 4.3 Bhatt and Lee Model / p21 (0014.jp2)
  19. 4.4 Bhatt-Lee Model in High Magnetic Fields / p24 (0016.jp2)
  20. 4.5 Disorder and Interaction in Metal / p24 (0016.jp2)
  21. 5 Discussions / p27 (0017.jp2)
  22. 5.1 Low Concentration Region / p27 (0017.jp2)
  23. 5.2 Intermediate Concentration Region / p29 (0018.jp2)
  24. 5.3 Lightly Metallic Region / p31 (0019.jp2)
  25. 5.4 Concentration Dependence / p34 (0021.jp2)
  26. 5.5 Comparison of Si:P and Ge:Sb / p36 (0022.jp2)
  27. 6 Conclusions / p38 (0023.jp2)
  28. A Exchange Interaction of Shallow Donors / p41 (0024.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000098463
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098692
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000262777
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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