高周波窓の破壊とそのTiN薄膜による抑止に関する研究

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著者

    • 道園, 真一郎 ミチゾノ, シンイチロウ

書誌事項

タイトル

高周波窓の破壊とそのTiN薄膜による抑止に関する研究

著者名

道園, 真一郎

著者別名

ミチゾノ, シンイチロウ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第9493号

学位授与年月日

1992-03-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. I.序論 / p1 (0006.jp2)
  2. I-1.大電力用高周波窓 / p1 (0006.jp2)
  3. I-2.高周波窓の破壊現象 / p11 (0016.jp2)
  4. I-3.本研究の目的 / p27 (0032.jp2)
  5. II.高周波窓用誘電体の物性と耐性 / p29 (0034.jp2)
  6. II-1.誘電体窓材料として重要な物性 / p29 (0034.jp2)
  7. II-3.大電力通過に対する耐性評価 / p63 (0068.jp2)
  8. II-4.誘電体の物性と破壊現象(まとめ及び考察) / p85 (0090.jp2)
  9. III.TiNコーティングによる高周波窓の破壊の抑止 / p88 (0093.jp2)
  10. III-1.コーティング方法及び膜質評価 / p88 (0093.jp2)
  11. III-2.TiNコーティングによるマルチパクタ抑制 / p102 (0107.jp2)
  12. III-3.TiNコーティングでの発熱とその影響 / p108 (0113.jp2)
  13. III-4.膜厚の最適化と今後の課題(まとめ及び考察) / p129 (0134.jp2)
  14. IV.結論 / p131 (0136.jp2)
  15. References / p134 (0139.jp2)
  16. Appendix / p141 (0146.jp2)
  17. A.表面での二次電子放出と発光の関連 / p141 (0146.jp2)
  18. B.空洞共振器による誘電率(ε),誘電正接(tanδ)測定法 / p146 (0151.jp2)
  19. C.AESでのTiNの定量分析 / p150 (0155.jp2)
  20. D.薄膜の酸化 / p155 (0160.jp2)
  21. E.高周波窓材料にコーティングしたTiN薄膜の膜厚分布 / p158 (0163.jp2)
  22. 謝辞 / p160 (0165.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000098609
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098838
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000262923
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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