化合物半導体の溶液成長過程に関する研究

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著者

    • 稲富, 裕光 イナトミ, ユウコウ

書誌事項

タイトル

化合物半導体の溶液成長過程に関する研究

著者名

稲富, 裕光

著者別名

イナトミ, ユウコウ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第9517号

学位授与年月日

1992-03-30

注記・抄録

博士論文

報告番号: 甲09517 ; 学位授与年月日: 1992-03-30 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 博士(工学) ; 学位記番号: 博工第2854号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科材料学専攻

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1節 溶液成長法 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2節 直接観察法 / p7 (0011.jp2)
  5. 1.3節 本研究の内容と論文の構成 / p10 (0014.jp2)
  6. 第2章 溶液成長過程の直接観察法 / p12 (0016.jp2)
  7. 2.1節 緒言 / p12 (0016.jp2)
  8. 2.2節 赤外線顕微干渉計の試作 / p13 (0017.jp2)
  9. 2.2.1 赤外線顕微干渉計の原理 / p13 (0017.jp2)
  10. 2.2.2 光学系 / p14 (0018.jp2)
  11. 2.2.3 成長炉および試料セル / p19 (0023.jp2)
  12. 2.3節 試料 / p23 (0027.jp2)
  13. 2.4節 表面形態変化の測定例 / p25 (0029.jp2)
  14. 2.4.1 溶解過程 / p25 (0029.jp2)
  15. 2.4.2 成長過程 / p27 (0031.jp2)
  16. 2.5節 固液界面の移動量の測定法 / p32 (0036.jp2)
  17. 2.6節 結言 / p34 (0038.jp2)
  18. 第3章 溶液成長過程における律速過程の検討 / p35 (0039.jp2)
  19. 3.1節 緒言 / p35 (0039.jp2)
  20. 3.2節 実験方法 / p35 (0039.jp2)
  21. 3.3節 実測値と拡散支配モデルとの比較 / p37 (0041.jp2)
  22. 3.4節 表面カイネティクスを考慮した濃度境界層モデル / p40 (0044.jp2)
  23. 3.4.1 金属の一方向凝固における濃度境界層モデル / p40 (0044.jp2)
  24. 3.4.2 半導体の溶液成長における濃度境界層モデル / p41 (0045.jp2)
  25. 3.5節 律速因子の検討 / p47 (0051.jp2)
  26. 3.5節 結言 / p50 (0055.jp2)
  27. 第4章 透明有機物質を用いた濃度境界層モデルの妥当性の検討 / p51 (0056.jp2)
  28. 4.1節 緒言 / p51 (0056.jp2)
  29. 4.2節 共通光路型顕微干渉計を用いた直接観察法 / p51 (0056.jp2)
  30. 4.2.1 共通光路型顕微干渉計の原理 / p51 (0056.jp2)
  31. 4.2.2 一方向凝固セル / p55 (0060.jp2)
  32. 4.2.3 試料 / p57 (0062.jp2)
  33. 4.2.4 試料の屈折率測定 / p60 (0065.jp2)
  34. 4.2.5 実験方法 / p62 (0067.jp2)
  35. 4.3節 一方向凝固における濃度境界層モデル / p63 (0068.jp2)
  36. 4.3.1 拡散支配モデル / p63 (0068.jp2)
  37. 4.3.2 濃度境界層モデル / p64 (0069.jp2)
  38. 4.4節 成長速度の実測値と各モデルによる計算値との比較・検討 / p66 (0071.jp2)
  39. 4.4.1.凝固速度 / p66 (0071.jp2)
  40. 4.4.2.濃度勾配 / p66 (0071.jp2)
  41. 4.5節 液相中の撹拌の駆動力の検討 / p70 (0075.jp2)
  42. 4.5.1 試料の密度測定 / p70 (0075.jp2)
  43. 4.5.2 熱溶質対流 / p71 (0076.jp2)
  44. 4.6節 結言 / p74 (0079.jp2)
  45. 第5章 溶解および成長過程での界面安定性 / p76 (0081.jp2)
  46. 5.1節 緒言 / p76 (0081.jp2)
  47. 5.2節 マクロステップの発生およびその移動 / p76 (0081.jp2)
  48. 5.3節 不純物添加による表面形態変化 / p78 (0083.jp2)
  49. 5.4節 界面安定性 / p79 (0084.jp2)
  50. 5.5節 結言 / p83 (0088.jp2)
  51. 第6章 総括 / p84 (0089.jp2)
  52. 6.1節 直接観察装置の開発 / p84 (0089.jp2)
  53. 6.2節 固液界面形状の精密測定 / p84 (0089.jp2)
  54. 6.3節 透明有機物質を用いた濃度境界層モデルの妥当性の検討 / p85 (0090.jp2)
  55. 6.4節 表面形態の安定性 / p85 (0090.jp2)
  56. Appendix A GaPの状態図 / p87 (0092.jp2)
  57. Appendix B 拡散支配モデルによる成長速度の算出 / p88 (0093.jp2)
  58. Appendix C 濃度境界層モデルによる成長速度の算出 / p91 (0096.jp2)
  59. Appendix D F(τ)およびG(τ)の算出 / p94 (0099.jp2)
  60. Appendix E g(τ)の算出 / p97 (0102.jp2)
  61. 謝辞 / (0103.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000098633
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000098862
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000262947
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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