(Al,Ga)As上へのNiAl量子細線結晶のMBE成長とその成長メカニズムについての研究

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著者

    • 石田, 真也 イシダ, マサヤ

書誌事項

タイトル

(Al,Ga)As上へのNiAl量子細線結晶のMBE成長とその成長メカニズムについての研究

著者名

石田, 真也

著者別名

イシダ, マサヤ

学位授与大学

関西学院大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第71号

学位授与年月日

1993-05-06

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0004.jp2)
  3. 参考文献 / p4 (0007.jp2)
  4. 第2章 NiA1のMBE成長方法及び評価方法 / p5 (0008.jp2)
  5. §2.2 NiA1 / p5 (0008.jp2)
  6. §2.2 MBE装置 / p7 (0010.jp2)
  7. §2.3 結晶成長 / p9 (0012.jp2)
  8. §2.4 RHEED / p11 (0014.jp2)
  9. §2.5 X線回折 / p13 (0016.jp2)
  10. §2.6 成長様式 / p14 (0017.jp2)
  11. 参考文献 / p15 (0018.jp2)
  12. 第2章に用いた図 / (0019.jp2)
  13. 第3章 (A1,Ga)As上へのNiA1の細線成長とそのメカニズム / p16 (0027.jp2)
  14. §3.1 緒言 / p16 (0027.jp2)
  15. §3.2 A1As上への細線成長 / p17 (0028.jp2)
  16. §3.3 A1As上へのNiA1細線成長における成長メカニズム / p22 (0033.jp2)
  17. §3.4 NiA1細線成長の成長温度依存性 / p28 (0039.jp2)
  18. §3.5 NiA1細線における格子歪とミスフィット転移の解析 / p31 (0042.jp2)
  19. §3.6 [化学式]上へのNiA1細線の成長 / p45 (0056.jp2)
  20. 参考文献 / p48 (0059.jp2)
  21. 第3章に用いた図 / (0061.jp2)
  22. 第4章 A1As上へのNiA1の薄膜成長 / p50 (0088.jp2)
  23. §4.1 緒言 / p50 (0088.jp2)
  24. §4.2 NiA1の薄膜成長における成長温度依存性 / p52 (0090.jp2)
  25. §4.3 [化学式]薄膜の成長温度依存性 / p56 (0094.jp2)
  26. 参考文献 / p58 (0096.jp2)
  27. 第4章に用いた図 / (0097.jp2)
  28. 第5章 結論 / p59 (0107.jp2)
  29. 謝辞 / p61 (0109.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000098787
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000099016
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000263101
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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