赤外線検出素子に用いられるHg[1-x]Cd[x]Te半導体の表面保護に関する研究

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著者

    • 島ノ江, 憲剛 シマノエ, ケンゴウ

書誌事項

タイトル

赤外線検出素子に用いられるHg[1-x]Cd[x]Te半導体の表面保護に関する研究

著者名

島ノ江, 憲剛

著者別名

シマノエ, ケンゴウ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5417号

学位授与年月日

1993-04-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.ナローギャップ[化学式]半導体 / p1 (0005.jp2)
  4. 2.半導体表面の不活性化技術 / p5 (0007.jp2)
  5. 3.本研究の目的ならびに本論文の概要 / p13 (0011.jp2)
  6. 文献 / p15 (0012.jp2)
  7. 第2章 化学エッチング後の[化学式]表面の解析 / p20 (0015.jp2)
  8. 1.緒言 / p20 (0015.jp2)
  9. 2.実験 / p20 (0015.jp2)
  10. 3.結果と考察 / p23 (0016.jp2)
  11. 4.結論 / p34 (0022.jp2)
  12. 文献 / p35 (0022.jp2)
  13. 第3章 [化学式]表面の電気化学的還元の研究(原子レベルの清浄化) / p37 (0023.jp2)
  14. 1.緒言 / p37 (0023.jp2)
  15. 2.実験 / p37 (0023.jp2)
  16. 3.結果と考察 / p40 (0025.jp2)
  17. 4.結論 / p53 (0031.jp2)
  18. 文献 / p54 (0032.jp2)
  19. 第4章 LB膜の作製と特性 / p56 (0033.jp2)
  20. 1.緒言 / p56 (0033.jp2)
  21. 2.実験 / p56 (0033.jp2)
  22. 3.結果と考察 / p60 (0035.jp2)
  23. 4.結論 / p74 (0042.jp2)
  24. 文献 / p75 (0042.jp2)
  25. 第5章 LB膜/[化学式]半導体の電気的特性 / p77 (0043.jp2)
  26. 1.緒言 / p77 (0043.jp2)
  27. 2.理想的なMIS構造 / p77 (0043.jp2)
  28. 3.金属/LB膜/MCTのMIS構造作製と特性測定 / p85 (0047.jp2)
  29. 4.結果及び考察 / p86 (0048.jp2)
  30. 5.結論 / p91 (0050.jp2)
  31. 文献 / p92 (0051.jp2)
  32. 第6章 光伝導型センサへの応用 / p93 (0051.jp2)
  33. 1.緒言 / p93 (0051.jp2)
  34. 2.実験 / p93 (0051.jp2)
  35. 3.結果と考察 / p96 (0053.jp2)
  36. 4.結論 / p102 (0056.jp2)
  37. 文献 / p102 (0056.jp2)
  38. 第7章 本研究の要約と結論 / p104 (0057.jp2)
  39. 謝辞 / p108 (0059.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000098915
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000099145
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000263229
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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