薄板電子材料の高精度平面研磨に関する研究 ウスイタ デンシ ザイリョウ ノ コウセイド ヘイメン ケンマ ニ カンスル ケンキュウ
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- Title
-
薄板電子材料の高精度平面研磨に関する研究
- Other Title
-
ウスイタ デンシ ザイリョウ ノ コウセイド ヘイメン ケンマ ニ カンスル ケンキュウ
- Author
-
中村, 孝雄
- Author(Another name)
-
ナカムラ, タカオ
- University
-
中部大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第10号
- Degree year
-
1993-09-30
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
- 第1.1節 研究の動機,目的 / p1 (0005.jp2)
- 第1.2節 平面研磨の高精度化に影響を及ぼす加工要因 / p6 (0008.jp2)
- 第1.3節 研究目標と研究成果の概要 / p8 (0009.jp2)
- 第2章 平面研磨機構の解析 / p12 (0011.jp2)
- 第2.1節 平面研磨の研磨量と平面度との関係 / p12 (0011.jp2)
- 2.1.1 ポリシャの粘弾性,摩擦係数の影響 / p13 (0011.jp2)
- 2.1.2 研磨剤の動圧作用による加工物の浮上効果 / p15 (0012.jp2)
- 2.1.3 平面研磨における加工面での研磨距離分布 / p20 (0015.jp2)
- 2.1.4 ポリシャの力学的性質 / p25 (0017.jp2)
- 2.1.5 シリコンウェハの平面研磨実験 / p31 (0020.jp2)
- 第2.2節 ウェハ加工面の研磨面温度及び温度分布 / p36 (0023.jp2)
- 第2.3節 まとめ / p38 (0024.jp2)
- 第3章 研磨面温度の解析 / p40 (0025.jp2)
- 第3.1節 平面研磨における研磨面温度 / p40 (0025.jp2)
- 3.1.1 研磨面温度に及ぼす影響因子 / p40 (0025.jp2)
- 3.1.2 ウェハとポリシャとの摩擦抵抗 / p41 (0025.jp2)
- 3.1.3 平面研磨時のポリシャ表面温度の測定 / p42 (0026.jp2)
- 3.1.4 ウェハの研磨能率,形状精度の測定 / p43 (0026.jp2)
- 第3.2節 平面研磨におけるポリシャ表面温度の変化過程 / p43 (0026.jp2)
- 3.2.1 研磨実験方法 / p43 (0026.jp2)
- 3.2.2 ポリシャ表面温度に及ぼすポリシャの摩擦係数の影響 / p44 (0027.jp2)
- 3.2.3 ポリシャ表面温度に及ぼす加工面積比の影響 / p44 (0027.jp2)
- 3.2.4 ポリシャ表面温度に及ぼす研磨圧力の影響 / p46 (0028.jp2)
- 3.2.5 ポリシャ表面温度に及ぼす研磨剤温度の影響 / p47 (0028.jp2)
- 第3.3節 平面研磨における研磨面の温度分布 / p48 (0029.jp2)
- 3.3.1 研磨面の温度分布の測定 / p48 (0029.jp2)
- 3.3.2 サーミスタセンサの測定精度 / p50 (0030.jp2)
- 3.3.3 研磨実験 / p51 (0030.jp2)
- 3.3.4 シリコンウェハ研磨面の温度分布 / p52 (0031.jp2)
- 3.3.5 研磨面温度分布の形状精度への影響 / p54 (0032.jp2)
- 第3.4節 まとめ / p57 (0033.jp2)
- 第4章 両面研磨装置の開発 / p58 (0034.jp2)
- 第4.1節 薄板材の高精度平面研磨装置の開発 / p59 (0034.jp2)
- 4.1.1 開発機の仕様 / p59 (0034.jp2)
- 4.1.2 静圧軸受け部の設計と製作 / p61 (0035.jp2)
- 4.1.3 ポリシ定盤の表面精度 / p64 (0037.jp2)
- 4.1.4 研磨荷重の付加機構 / p66 (0038.jp2)
- 4.1.5 インプロセス板厚計測 / p68 (0039.jp2)
- 4.1.6 開発機による研磨面の測定 / p70 (0040.jp2)
- 4.1.7 実験結果 / p70 (0040.jp2)
- 第4.2節 両面研磨用キャリアの開発 / p75 (0042.jp2)
- 4.2.1 キャリアの歯先強度と研磨抵抗 / p75 (0042.jp2)
- 4.2.2 シリコンウェハ用キャリアの開発 / p77 (0043.jp2)
- 4.2.3 大直径シリコンウェハ研磨に対する検討 / p81 (0045.jp2)
- 第4.3節 まとめ / p83 (0046.jp2)
- 第5章 シリコンウェハの平面研磨 / p85 (0047.jp2)
- 第5.1節 シリコンウェハの特性と製造工程 / p85 (0047.jp2)
- 5.1.1 シリコンウェハの特性とVLSI製造関連技術 / p85 (0047.jp2)
- 5.1.2 シリコンウェハの製造工程 / p86 (0048.jp2)
- 5.1.3 シリコンウェハのメカノケミカルポリシングと現状における課題 / p88 (0049.jp2)
- 第5.2節 シリコンウェハの平面研磨 / p92 (0051.jp2)
- 5.2.1 実験方法 / p92 (0051.jp2)
- 5.2.2 実験結果 / p94 (0052.jp2)
- 第5.3節 両面研磨 / p96 (0053.jp2)
- 5.3.1 シリコンウェハの両面研磨 / p96 (0053.jp2)
- 5.3.2 両面研磨方式による片面平滑化 / p98 (0054.jp2)
- 5.3.3 2枚重ねウェハの平面研磨 / p100 (0055.jp2)
- 第5.4節 まとめ / p106 (0058.jp2)
- 第6章 磁気ディスク用基板の平面研磨 / p107 (0058.jp2)
- 第6.1節 磁気ディスクの層構成と磁気ディスク用基板 / p107 (0058.jp2)
- 6.1.1 薄膜磁気ディスク用基板の種類 / p108 (0059.jp2)
- 6.1.2 Al陽極酸化処理基板を用いた磁気ディスク / p110 (0060.jp2)
- 第6.2節 Al合金基板の平間加工 / p111 (0060.jp2)
- 6.2.1 Al合金基板の平面加工方法 / p111 (0060.jp2)
- 6.2.2 Al合金基板の平面加工と表面精度 / p113 (0061.jp2)
- 第6.3節 Al陽極酸化処理基板の平面研磨特性 / p115 (0062.jp2)
- 6.3.1 Al合金基板の材質とAl陽極酸化処理皮膜の特性 / p116 (0063.jp2)
- 6.3.2 Al陽極酸化処理皮膜の研磨特性 / p118 (0064.jp2)
- 6.3.3 Al陽極酸化処理基板の平滑平面研磨 / p125 (0067.jp2)
- 第6.4節 Al陽極酸化処理基板を用いたスパッタ磁気ディスクの特性 / p128 (0069.jp2)
- 6.4.1 磁気ディスクのヘッド浮上特性の評価方法 / p128 (0069.jp2)
- 6.4.2 Al陽極酸化処理基板の表面精度と磁気ディスク特性 / p130 (0070.jp2)
- 第6.5節 まとめ / p133 (0071.jp2)
- 第7章 Ni-P系めっき基板の平面研磨 / p134 (0072.jp2)
- 第7.1 Ni-P系めっき基板の平面研磨特性 / p134 (0072.jp2)
- 7.1.1 Ni-P系めっき基板の材料特性 / p135 (0072.jp2)
- 7.1.2 実験装置及び方法 / p139 (0074.jp2)
- 7.1.3 Ni-P系めっき基板の研削加工特性 / p141 (0075.jp2)
- 7.1.4 Ni-P系めっき基板の両面加工特性 / p147 (0078.jp2)
- 第7.2節 Ni-Pめっき基板の表面精度と磁気ディスク特性 / p151 (0080.jp2)
- 7.2.1 基板面の微小な突起 / p151 (0080.jp2)
- 7.2.2 Ni-Pめっきの欠陥と浮上特性 / p154 (0082.jp2)
- 7.2.3 Ni-Pめっき基板を用いた磁気ディスクのCSS特性 / p159 (0084.jp2)
- 第7.3節 まとめ / p161 (0085.jp2)
- 第8章 結論 / p163 (0086.jp2)
- 第8.1節 本研究の結果の要約 / p163 (0086.jp2)
- 第8.2節 本研究の工学的,工業的意義 / p166 (0088.jp2)
- 参考文献 / p169 (0089.jp2)
- 謝辞 / p180 (0095.jp2)
- 本文中の主な記号 / p181 (0095.jp2)