低圧OMVPE法およびMBE法によるGaAs系エピタキシャル成長に関する研究 テイアツ OMVPEホウ オヨビ MBEホウ ニヨル GaAsケイ エピタキシャル セイチョウ ニカンスル ケンキュウ

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著者

    • 高岸, 成典 タカギシ, シゲノリ

書誌事項

タイトル

低圧OMVPE法およびMBE法によるGaAs系エピタキシャル成長に関する研究

タイトル別名

テイアツ OMVPEホウ オヨビ MBEホウ ニヨル GaAsケイ エピタキシャル セイチョウ ニカンスル ケンキュウ

著者名

高岸, 成典

著者別名

タカギシ, シゲノリ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第52号

学位授与年月日

1993-09-09

注記・抄録

博士論文

乙第052号 主査:梅野 正義

目次

  1. [目次] / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 エピタキシャル成長技術 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-3 本研究の意義と論文の構成 / p8 (0009.jp2)
  6. 参考文献 / p14 (0012.jp2)
  7. 第2章 低圧OMVPE法によるGaAsエピタキシャル成長 / p17 (0013.jp2)
  8. 2-1 はじめに / p17 (0013.jp2)
  9. 2-2 実験方法 / p18 (0014.jp2)
  10. 2-3 実験結果と考察 / p25 (0017.jp2)
  11. 2-4 まとめ / p44 (0027.jp2)
  12. 参考文献 / p46 (0028.jp2)
  13. 第3章 低圧OMVPE法によるAIGaAsエピタキシャル成長 / p47 (0028.jp2)
  14. 3-1 はじめに / p47 (0028.jp2)
  15. 3-2 実験方法 / p48 (0029.jp2)
  16. 3-3 実験結果と考察 / p49 (0029.jp2)
  17. 3-4 まとめ / p63 (0036.jp2)
  18. 参考文献 / p65 (0037.jp2)
  19. 第4章 低圧OMVPE成長したGaAsエピタキシャル層の表面欠陥 / p66 (0038.jp2)
  20. 4-1 はじめに / p66 (0038.jp2)
  21. 4-2 実験方法 / p67 (0038.jp2)
  22. 4-3 実験結果と考察 / p68 (0039.jp2)
  23. 4-4 まとめ / p85 (0047.jp2)
  24. 参考文献 / p87 (0048.jp2)
  25. 第5章 MBE成長したGaAsエピタキシャル層の表面欠陥 / p89 (0049.jp2)
  26. 5-1 はじめに / p89 (0049.jp2)
  27. 5-2 実験方法 / p90 (0050.jp2)
  28. 5-3 実験結果と考察 / p92 (0051.jp2)
  29. 5-4 まとめ / p107 (0058.jp2)
  30. 参考文献 / p108 (0059.jp2)
  31. 第6章 結論 / p110 (0060.jp2)
  32. 6-1 本研究のまとめ / p110 (0060.jp2)
  33. 6-2 今後の課題 / p114 (0062.jp2)
  34. 謝辞 / p118 (0064.jp2)
  35. 発表論文 / p120 (0065.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000099282
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000099512
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000263596
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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