低圧OMVPE法およびMBE法によるGaAs系エピタキシャル成長に関する研究 テイアツ　ＯＭＶＰＥホウ　オヨビ　ＭＢＥホウ　ニヨル　ＧａＡsケイ　エピタキシャル　セイチョウ　ニカンスル　ケンキュウ

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Author

    • 高岸, 成典 タカギシ, シゲノリ

Bibliographic Information

Title

低圧OMVPE法およびMBE法によるGaAs系エピタキシャル成長に関する研究

Other Title

テイアツ　ＯＭＶＰＥホウ　オヨビ　ＭＢＥホウ　ニヨル　ＧａＡsケイ　エピタキシャル　セイチョウ　ニカンスル　ケンキュウ

Author

高岸, 成典

Author(Another name)

タカギシ, シゲノリ

University

名古屋工業大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

乙第52号

Degree year

1993-09-09

Note and Description

博士論文

主査：梅野　正義

Table of Contents

  1. [目次] / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 エピタキシャル成長技術 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-3 本研究の意義と論文の構成 / p8 (0009.jp2)
  6. 参考文献 / p14 (0012.jp2)
  7. 第2章 低圧OMVPE法によるGaAsエピタキシャル成長 / p17 (0013.jp2)
  8. 2-1 はじめに / p17 (0013.jp2)
  9. 2-2 実験方法 / p18 (0014.jp2)
  10. 2-3 実験結果と考察 / p25 (0017.jp2)
  11. 2-4 まとめ / p44 (0027.jp2)
  12. 参考文献 / p46 (0028.jp2)
  13. 第3章 低圧OMVPE法によるAIGaAsエピタキシャル成長 / p47 (0028.jp2)
  14. 3-1 はじめに / p47 (0028.jp2)
  15. 3-2 実験方法 / p48 (0029.jp2)
  16. 3-3 実験結果と考察 / p49 (0029.jp2)
  17. 3-4 まとめ / p63 (0036.jp2)
  18. 参考文献 / p65 (0037.jp2)
  19. 第4章 低圧OMVPE成長したGaAsエピタキシャル層の表面欠陥 / p66 (0038.jp2)
  20. 4-1 はじめに / p66 (0038.jp2)
  21. 4-2 実験方法 / p67 (0038.jp2)
  22. 4-3 実験結果と考察 / p68 (0039.jp2)
  23. 4-4 まとめ / p85 (0047.jp2)
  24. 参考文献 / p87 (0048.jp2)
  25. 第5章 MBE成長したGaAsエピタキシャル層の表面欠陥 / p89 (0049.jp2)
  26. 5-1 はじめに / p89 (0049.jp2)
  27. 5-2 実験方法 / p90 (0050.jp2)
  28. 5-3 実験結果と考察 / p92 (0051.jp2)
  29. 5-4 まとめ / p107 (0058.jp2)
  30. 参考文献 / p108 (0059.jp2)
  31. 第6章 結論 / p110 (0060.jp2)
  32. 6-1 本研究のまとめ / p110 (0060.jp2)
  33. 6-2 今後の課題 / p114 (0062.jp2)
  34. 謝辞 / p118 (0064.jp2)
  35. 発表論文 / p120 (0065.jp2)
7access

Keywords

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000099282
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000099512
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • jpn
  • NDLBibID
    • 000000263596
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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