Ⅲ-Ⅴ化合物半導体表面への電極形成の研究 Ⅲ-Ⅴカゴウブツ ハンドウタイ ヒョウメン ヘ ノ デンキョク ケイセイ ノ ケンキュウ

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著者

    • 小川, 正毅 オガワ, マサキ

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ化合物半導体表面への電極形成の研究

タイトル別名

Ⅲ-Ⅴカゴウブツ ハンドウタイ ヒョウメン ヘ ノ デンキョク ケイセイ ノ ケンキュウ

著者名

小川, 正毅

著者別名

オガワ, マサキ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6033号

学位授与年月日

1993-07-26

注記・抄録

博士論文

10891

博士(工学)

1993-07-26

大阪大学

14401乙第06033号

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 1章 緒言 / p1 (0007.jp2)
  3. 1章1節 III-V化合物への電極形成技術の意義と課題 / p2 (0008.jp2)
  4. 1章2節 III-V化合物電極技術の概略 / p4 (0009.jp2)
  5. 1-2-1 金属半導体接触特性 / p4 (0009.jp2)
  6. 1-2-2 III-V化合物へのショットキ電極 / p8 (0011.jp2)
  7. 1-2-3 III-V化合物へのオーミック電極 / p12 (0013.jp2)
  8. 1章3節 本研究に用いた分析方法 / p15 (0014.jp2)
  9. 1-3-1 マイクロプローブオージェ分析 / p15 (0014.jp2)
  10. 1-3-2 X線・電子線回折 / p18 (0016.jp2)
  11. 1-3-3 X線光電子分光、真空紫外光電子分光 / p18 (0016.jp2)
  12. 第1章の参考文献 / p22 (0018.jp2)
  13. 2章 GaAsへのショットキ電極の研究 / p24 (0019.jp2)
  14. 2章1節 2章の概要 / p24 (0019.jp2)
  15. 2章1節の文献 / p25 (0019.jp2)
  16. 2章2節 Pt/GaAs / p26 (0020.jp2)
  17. 2-2-1 序 / p26 (0020.jp2)
  18. 2-2-2 実験 / p26 (0020.jp2)
  19. 2-2-3 Pt/GaAs反応 / p28 (0021.jp2)
  20. 2-2-4 電気的特性 / p33 (0023.jp2)
  21. 2-2-5 応用 / p43 (0028.jp2)
  22. 2-2-6 本節のまとめ / p45 (0029.jp2)
  23. 2章2節の文献 / p46 (0030.jp2)
  24. 2章3節 Ni/GaAs / p48 (0031.jp2)
  25. 2-3-1 序 / p48 (0031.jp2)
  26. 2-3-2 実験 / p48 (0031.jp2)
  27. 2-3-3 熱処理に伴う合金層形成 / p49 (0031.jp2)
  28. 2-3-4 Ni/GaAs反応によるGaAs界面自然酸化膜除去 / p57 (0035.jp2)
  29. 2-3-5 熱力学的考察 / p60 (0037.jp2)
  30. 2-3-6 本節のまとめ / p64 (0039.jp2)
  31. 2章3節の文献 / p65 (0039.jp2)
  32. 2章4節 A1/GaAs / p67 (0040.jp2)
  33. 2-4-1 序 / p67 (0040.jp2)
  34. 2-4-2 A1電極加工技術 / p68 (0041.jp2)
  35. 2-4-3 A1ゲートGaAsMESFET / p71 (0042.jp2)
  36. 2-4-4 本節のまとめ / p78 (0046.jp2)
  37. 2章4節の文献 / p78 (0046.jp2)
  38. 2章5節 2章のまとめ / p81 (0047.jp2)
  39. 3章 InPへのショットキ電極の研究 / p82 (0048.jp2)
  40. 3章1節 3章の概要 / p82 (0048.jp2)
  41. 3章1節の文献 / p83 (0048.jp2)
  42. 3章2節 Au/InP / p84 (0049.jp2)
  43. 3-2-1 序 / p84 (0049.jp2)
  44. 3-2-2 実験 / p84 (0049.jp2)
  45. 3-2-3 Au/InP反応 / p85 (0049.jp2)
  46. 3-2-4 Au/InPショットキ特性 / p94 (0054.jp2)
  47. 3-2-5 本節のまとめ / p96 (0055.jp2)
  48. 3章2節の文献 / p98 (0056.jp2)
  49. 3章3節 Pt/InP / p100 (0057.jp2)
  50. 3-3-1 序 / p100 (0057.jp2)
  51. 3-3-2 実験 / p100 (0057.jp2)
  52. 3-3-3 Pt/InP反応 / p100 (0057.jp2)
  53. 3-3-4 Pt/InPショットキ特性 / p102 (0058.jp2)
  54. 3-3-5 本節のまとめ / p104 (0059.jp2)
  55. 3章3節の文献 / p104 (0059.jp2)
  56. 3章4節 A1/InP / p105 (0059.jp2)
  57. 3-4-1 序 / p105 (0059.jp2)
  58. 3-4-2 実験 / p105 (0059.jp2)
  59. 3-4-3 A1/InP反応 / p106 (0060.jp2)
  60. 3-4-4 A1/InPショットキ特性 / p108 (0061.jp2)
  61. 3-4-5 ArイオンエッチしたInP表面へのA1ショットキ特性 / p111 (0062.jp2)
  62. 3-4-6 本節のまとめ / p112 (0063.jp2)
  63. 3章4節の文献 / p112 (0063.jp2)
  64. 3章5節 3章のまとめ / p114 (0064.jp2)
  65. 4章 GaAsへのオーミック電極の研究 / p115 (0064.jp2)
  66. 4章1節 4章の概要 / p115 (0064.jp2)
  67. 4章1節の文献 / p116 (0065.jp2)
  68. 4章2節 Ni/Au-Ge/GaAs / p117 (0065.jp2)
  69. 4-2-1 序 / p117 (0065.jp2)
  70. 4-2-2 実験 / p118 (0066.jp2)
  71. 4-2-3 合金深さの測定 / p119 (0066.jp2)
  72. 4-2-4 マイクロプローブAES測定 / p121 (0067.jp2)
  73. 4-2-5 X線回折 / p126 (0070.jp2)
  74. 4-2-6 考察 / p129 (0071.jp2)
  75. 4-2-7 まとめ / p134 (0074.jp2)
  76. 4章2節の文献 / p136 (0075.jp2)
  77. 4章3節 AuGe系電極の熱的安定性 / p138 (0076.jp2)
  78. 4-3-1 序 / p138 (0076.jp2)
  79. 4-3-2 実験 / p139 (0076.jp2)
  80. 4-3-3 電極構造とその保管試験による変化 / p140 (0077.jp2)
  81. 4-3-4 考察 / p147 (0080.jp2)
  82. 4-3-5 まとめ / p149 (0081.jp2)
  83. 4章3節の文献 / p150 (0082.jp2)
  84. 4章4節 Ni-Ge/GaAs / p151 (0082.jp2)
  85. 4-4-1 序 / p151 (0082.jp2)
  86. 4-4-2 実験 / p151 (0082.jp2)
  87. 4-4-3 結果及び考察 / p152 (0083.jp2)
  88. 4-4-4 まとめ / p157 (0085.jp2)
  89. 4章4節の文献 / p158 (0086.jp2)
  90. 4章5節 高濃度ドーピング層の形成(1)選択気相成長 / p159 (0086.jp2)
  91. 4-5-1 序 / p159 (0086.jp2)
  92. 4-5-2 実験 / p159 (0086.jp2)
  93. 4-5-3 マスクパターンの方向に対する選択成長依存性 / p161 (0087.jp2)
  94. 4-5-4 成長過程の観察(1)モホロジー / p166 (0090.jp2)
  95. 4-5-5 成長過程の観察(2) / p173 (0093.jp2)
  96. 4-5-6 選択化学機械研磨 / p175 (0094.jp2)
  97. 4-5-7 電気的性質 / p176 (0095.jp2)
  98. 4-5-8 FETの製作と特性 / p177 (0095.jp2)
  99. 4-5-9 まとめ / p181 (0097.jp2)
  100. 4章5節の文献 / p182 (0098.jp2)
  101. 4章6節 高濃度ドーピング層の形成(2)高濃度SiドープGaAsの成長 / p183 (0098.jp2)
  102. 4-6-1 序 / p183 (0098.jp2)
  103. 4-6-2 実験 / p184 (0099.jp2)
  104. 4-6-3 Siドーピング特性 / p185 (0099.jp2)
  105. 4-6-4 高濃度Siドープ層の表面構造 / p191 (0102.jp2)
  106. 4-6-5 高電子濃度特性の安定性 / p196 (0105.jp2)
  107. 4-6-6 高濃度Siドーピングの機構 / p198 (0106.jp2)
  108. 4-6-7 本節のまとめ / p202 (0108.jp2)
  109. 4章6節の文献 / p202 (0108.jp2)
  110. 4章7節 4章のまとめ / p204 (0109.jp2)
  111. 5章 InPへのオーミック電極の研究 / p205 (0109.jp2)
  112. 5章1節 5章の概要 / p205 (0109.jp2)
  113. 5章2節 Au-Zn/InP / p206 (0110.jp2)
  114. 5-2-1 序 / p206 (0110.jp2)
  115. 5-2-2 実験 / p206 (0110.jp2)
  116. 5-2-3 Au-Zn/InPのオ一ミック特性と合金化反応 / p207 (0110.jp2)
  117. 5-2-4 Au-zn/InPコンタクトの信頼性 / p213 (0113.jp2)
  118. 5-2-5 本節のまとめ / p219 (0116.jp2)
  119. 5章の文献 / p220 (0117.jp2)
  120. 6章 III-V化合物電極形成の指針 / p221 (0117.jp2)
  121. 6章1節 ショットキ電極形成の指針 / p221 (0117.jp2)
  122. 6章2節 オーミック電極形成の指針 / p224 (0119.jp2)
  123. 7章 III-V化合物表面酸化層の研究 / p227 (0120.jp2)
  124. 7章1節 7章の概要 / p227 (0120.jp2)
  125. 7章2節 GaAs,AlGaAsへの酸素吸着 / p228 (0121.jp2)
  126. 7-2-1 序 / p228 (0121.jp2)
  127. 7-2-2 実験 / p228 (0121.jp2)
  128. 7-2-3 酸素付着係数 / p232 (0123.jp2)
  129. 7-2-4 酸素結合状態 / p236 (0125.jp2)
  130. 7-2-5 本節のまとめ / p240 (0127.jp2)
  131. 7章2節の文献 / p240 (0127.jp2)
  132. 7章3節 GaAs,InPの光促進酸化 / p242 (0128.jp2)
  133. 7-3-1 序 / p242 (0128.jp2)
  134. 7-3-2 実験 / p242 (0128.jp2)
  135. 7-3-3 GaAsの光励起促進表面酸化 / p243 (0128.jp2)
  136. 7-3-4 InPの光励起促進表面酸化 / p248 (0131.jp2)
  137. 7-3-5 本節のまとめ / p251 (0132.jp2)
  138. 7章3節の文献 / p251 (0132.jp2)
  139. 7章4節 7章のまとめ / p252 (0133.jp2)
  140. 8章 結語 / p253 (0133.jp2)
  141. 謝辞 / p258 (0136.jp2)
  142. 本論文に関する発表論文および学会発表 / p259 (0136.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000099498
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000099728
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000263812
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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