非接触・非破壊法によるシリコン中の結晶欠陥評価に関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
非接触・非破壊法によるシリコン中の結晶欠陥評価に関する研究
- Author
-
片山, 健一
- Author(Another name)
-
カタヤマ, ケンイチ
- University
-
大阪大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第6034号
- Degree year
-
1993-07-26
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 緒論 / p1 (0006.jp2)
- 第1章 測定法の概要 / p9 (0010.jp2)
- 1.1 緒言 / p10 (0011.jp2)
- 1.2 光散乱トモグラフ法(LST) / p11 (0011.jp2)
- 1.3 シンクロトロン(SR)セクショントポグラフィー / p20 (0016.jp2)
- 1.4 レーザマイクロウエーブ光導伝率法(LM-PC) / p28 (0020.jp2)
- 1.5 結言 / p57 (0034.jp2)
- 参考文献(第1章) / p58 (0035.jp2)
- 第2章 光散乱トモグラフィー(LST)によるシリコン中の結晶欠陥評価 / p61 (0036.jp2)
- 2.1 緒言 / p62 (0037.jp2)
- 2.2 Si結晶中での酸素不純物の性質 / p63 (0037.jp2)
- 2.3 LSTにより得られる数値データの信頼性 / p70 (0041.jp2)
- 2.4 LST法とシンクロトロン(SR)セクショントポグラフ法における結晶欠陥イメージ及び密度の比較 / p78 (0045.jp2)
- 2.5 アズグロウン結晶中に認められる結晶欠陥の評価 / p97 (0054.jp2)
- 2.6 結言 / p106 (0059.jp2)
- 参考文献(第2章) / p107 (0059.jp2)
- 第3章 キャリヤーライフタイムに及ぼす紫外線照射効果 / p109 (0060.jp2)
- 3.1 緒言 / p110 (0061.jp2)
- 3.2 自然酸化膜で覆われたウエーハに対する紫外線照射効果 / p111 (0061.jp2)
- 3.3 紫外線照射後のライフタイムの回復現象 / p118 (0065.jp2)
- 3.4 ライフフタイムヘの紫外線照射効果に対する理論的背景 / p125 (0068.jp2)
- 3.5 紫外線照射効果のメカニズム(自然酸化膜のケース) / p132 (0072.jp2)
- 3.6 熱酸化されたシリコンウエーハに対する紫外線照射効果 / p145 (0078.jp2)
- 3.7 結言 / p152 (0082.jp2)
- 参考文献(第3章) / p153 (0082.jp2)
- 第4章 LM-PC法によるキャリアートラップレベルの評価 / p155 (0083.jp2)
- 4.1 緒言 / p156 (0084.jp2)
- 4.2 シリコンウエーハ表面に起因したキャリアートラップの評価 / p157 (0084.jp2)
- 4.3 バルク中に存在する結晶欠陥に起因するトラップレベルの評価 / p166 (0089.jp2)
- 4.4 イントリンシックゲッタリングプロセス中に生成する格子欠陥の評価 / p177 (0094.jp2)
- 4.5 結言 / p198 (0105.jp2)
- 参考文献(第4章) / p199 (0105.jp2)
- 結論 / p203 (0107.jp2)
- 謝辞 / p207 (0109.jp2)
