有機金属分子線エピタキシャル成長法における砒化ガリウムの成長機構に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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有機金属分子線エピタキシャル成長法における砒化ガリウムの成長機構に関する研究
- 著者名
-
大木, 芳正
- 著者別名
-
オオキ, ヨシマサ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第6082号
- 学位授与年月日
-
1993-04-14
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
- 1-2 本研究の目的と意義 / p7 (0007.jp2)
- 1-3 本論文の構成と概要 / p8 (0008.jp2)
- 第1章参考文献 / p9 (0008.jp2)
- 第2章 有機金属分子線エピタキシー法における質量分析法による評価 / p12 (0010.jp2)
- 2-1 緒言 / p12 (0010.jp2)
- 2-2 試料導入室 / p12 (0010.jp2)
- 2-3 成長･測定室 / p14 (0011.jp2)
- 2-4 原料ガス供給系 / p16 (0012.jp2)
- 2-5 基板温度測定法 / p19 (0013.jp2)
- 2-6 反射高速電子線回折装置 / p20 (0014.jp2)
- 2-7 光散乱観察 / p21 (0014.jp2)
- 2-8 四重極質量分析計の構成 / p22 (0015.jp2)
- 2-9 四重極質量分析計による測定 / p25 (0016.jp2)
- 2-10 結言 / p28 (0018.jp2)
- 第2章参考文献 / p29 (0018.jp2)
- 3章 GaAs(100)面とアルキルガリウムの反応 / p30 (0019.jp2)
- 3-1 緒言 / p30 (0019.jp2)
- 3-2 GaAs(100)2x4構造表面とTMGの反応 / p33 (0020.jp2)
- 3-3 原料交互供給法による成長 / p41 (0024.jp2)
- 3-4 As取り込みの観察 / p44 (0026.jp2)
- 3-5 GaAs(100)Ga-面上でのTMGの分解 / p47 (0027.jp2)
- 3-6 AS₄フラックスのある条件下でのTMGの分解 / p51 (0029.jp2)
- 3-7 TMGの分解過程 / p58 (0032.jp2)
- 3-8 結言 / p62 (0034.jp2)
- 第3章参考文献 / p63 (0034.jp2)
- 第4章 GaAs(111)B面とアルキルガリウムの反応 / p66 (0036.jp2)
- 4-1 緒言 / p66 (0036.jp2)
- 4-2 GaAs(111)B面とトリメチルガリウムの反応 / p67 (0036.jp2)
- 4-3 GaAs(111)B面とトリエチルガリウムの反応 / p76 (0041.jp2)
- 4-4 面方位による成長速度の違い / p88 (0047.jp2)
- 4-5 結言 / p91 (0048.jp2)
- 第4章参考文献 / p93 (0049.jp2)
- 第5章 選択成長メカニズムと真空プロセスによる選択成長 / p95 (0050.jp2)
- 5-1 緒言 / p95 (0050.jp2)
- 5-2 SiO₂をマスクとした選択成長のメカニズムに関するQMSによる研究 / p97 (0051.jp2)
- 5-3 GaAs酸化膜をマスクとして用いた真空プロセスによる選択成長 / p103 (0054.jp2)
- 5-4 結言 / p116 (0061.jp2)
- 第5章参考文献 / p118 (0062.jp2)
- 第6章 結論 / p120 (0063.jp2)
- [謝辞] / p123 (0064.jp2)
- [著者の発表論文] / p124 (0065.jp2)