階段形特性MOSデバイスとその応用に関する研究

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著者

    • 唐澤, 信司 カラサワ, シンジ

書誌事項

タイトル

階段形特性MOSデバイスとその応用に関する研究

著者名

唐澤, 信司

著者別名

カラサワ, シンジ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6090号

学位授与年月日

1993-05-12

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 はじめに / p1 (0004.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
  4. 1-2 階段形特性MOSデバイスの特徴 / p3 (0005.jp2)
  5. 1-3 本研究の内容 / p5 (0006.jp2)
  6. 第2章 可変ゲート幅型HOSFET / p8 (0008.jp2)
  7. 2-1 まえがき / p8 (0008.jp2)
  8. 2-2 くびれ形ゲート・楔形ソース・楔形ドレインMOSFET / p9 (0008.jp2)
  9. 2-3 楔形ソース・ドレインMOSFETの電圧電流特性 / p13 (0010.jp2)
  10. 2-4 可変ゲート幅型MOSFET / p21 (0014.jp2)
  11. 2-5 むすび / p26 (0017.jp2)
  12. 第3章 階段形特性MOSデバイスの電圧電流特性 / p27 (0017.jp2)
  13. 3-1 まえがき / p27 (0017.jp2)
  14. 3-2 素子の設計製作 / p28 (0018.jp2)
  15. 3-3 ゲート・ドレイン間の間隙長依存性 / p31 (0019.jp2)
  16. 3-4 基板の不純物濃度依存性 / p34 (0021.jp2)
  17. 3-5 ダイオード接続特性 / p36 (0022.jp2)
  18. 3-6 局部的にドープした階段形特性MOSデバイスの特性 / p40 (0024.jp2)
  19. 3-7 むすび / p43 (0025.jp2)
  20. 第4章 階段形特性MOSデバイスの物性 / p44 (0026.jp2)
  21. 4-1 まえがき / p44 (0026.jp2)
  22. 4-2 低温特性 / p45 (0026.jp2)
  23. 4-3 昇温特性と光照射特性 / p50 (0029.jp2)
  24. 4-4 過渡特性 / p52 (0030.jp2)
  25. 4-5 微細化の限界 / p56 (0032.jp2)
  26. 4-6 基板電圧効果 / p59 (0033.jp2)
  27. 4-7 むすび / p64 (0036.jp2)
  28. 第5章 階段形特性MOSデバイスの応用 / p65 (0036.jp2)
  29. 5-1 まえがき / p65 (0036.jp2)
  30. 5-2 階段型特性MOSデバイスを用いた多値情報処理 / p66 (0037.jp2)
  31. 5-3 量子化回路の動的応答特性 / p68 (0038.jp2)
  32. 5-4 階段型フリップフロップ回路 / p74 (0041.jp2)
  33. 5-5 階段型フリップフロップの応用 / p87 (0047.jp2)
  34. 5-6 階段形特性MOSデバイス回路のコンピュータシミュレーション / p89 (0048.jp2)
  35. 5-7 むすび / p94 (0051.jp2)
  36. 第6章 まとめ / p95 (0051.jp2)
  37. 謝辞 / p98 (0053.jp2)
  38. 文献 / p99 (0053.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000099560
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000099790
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000263874
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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