階段形特性MOSデバイスとその応用に関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
階段形特性MOSデバイスとその応用に関する研究
- Author
-
唐澤, 信司
- Author(Another name)
-
カラサワ, シンジ
- University
-
東北大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第6090号
- Degree year
-
1993-05-12
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 はじめに / p1 (0004.jp2)
- 1-1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
- 1-2 階段形特性MOSデバイスの特徴 / p3 (0005.jp2)
- 1-3 本研究の内容 / p5 (0006.jp2)
- 第2章 可変ゲート幅型HOSFET / p8 (0008.jp2)
- 2-1 まえがき / p8 (0008.jp2)
- 2-2 くびれ形ゲート･楔形ソース･楔形ドレインMOSFET / p9 (0008.jp2)
- 2-3 楔形ソース･ドレインMOSFETの電圧電流特性 / p13 (0010.jp2)
- 2-4 可変ゲート幅型MOSFET / p21 (0014.jp2)
- 2-5 むすび / p26 (0017.jp2)
- 第3章 階段形特性MOSデバイスの電圧電流特性 / p27 (0017.jp2)
- 3-1 まえがき / p27 (0017.jp2)
- 3-2 素子の設計製作 / p28 (0018.jp2)
- 3-3 ゲート･ドレイン間の間隙長依存性 / p31 (0019.jp2)
- 3-4 基板の不純物濃度依存性 / p34 (0021.jp2)
- 3-5 ダイオード接続特性 / p36 (0022.jp2)
- 3-6 局部的にドープした階段形特性MOSデバイスの特性 / p40 (0024.jp2)
- 3-7 むすび / p43 (0025.jp2)
- 第4章 階段形特性MOSデバイスの物性 / p44 (0026.jp2)
- 4-1 まえがき / p44 (0026.jp2)
- 4-2 低温特性 / p45 (0026.jp2)
- 4-3 昇温特性と光照射特性 / p50 (0029.jp2)
- 4-4 過渡特性 / p52 (0030.jp2)
- 4-5 微細化の限界 / p56 (0032.jp2)
- 4-6 基板電圧効果 / p59 (0033.jp2)
- 4-7 むすび / p64 (0036.jp2)
- 第5章 階段形特性MOSデバイスの応用 / p65 (0036.jp2)
- 5-1 まえがき / p65 (0036.jp2)
- 5-2 階段型特性MOSデバイスを用いた多値情報処理 / p66 (0037.jp2)
- 5-3 量子化回路の動的応答特性 / p68 (0038.jp2)
- 5-4 階段型フリップフロップ回路 / p74 (0041.jp2)
- 5-5 階段型フリップフロップの応用 / p87 (0047.jp2)
- 5-6 階段形特性MOSデバイス回路のコンピュータシミュレーション / p89 (0048.jp2)
- 5-7 むすび / p94 (0051.jp2)
- 第6章 まとめ / p95 (0051.jp2)
- 謝辞 / p98 (0053.jp2)
- 文献 / p99 (0053.jp2)