量子サイズ構造半導体デバイスの量子輸送に関する研究

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著者

    • 土屋, 英昭 ツチヤ, ヒデアキ

書誌事項

タイトル

量子サイズ構造半導体デバイスの量子輸送に関する研究

著者名

土屋, 英昭

著者別名

ツチヤ, ヒデアキ

学位授与大学

神戸大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第1182号

学位授与年月日

1993-03-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 1 序論 / p3 (0005.jp2)
  3. 1.1 量子サイズ構造半導体デバイス / p3 (0005.jp2)
  4. 1.2 量子輸送モデル / p7 (0007.jp2)
  5. 2 量子力学的輸送方程式 / p10 (0008.jp2)
  6. 2.1 有効質量方程式 / p10 (0008.jp2)
  7. 2.2 ウィグナー関数による輸送方程式の記述 / p22 (0014.jp2)
  8. 2.3 透過確率を用いた定常解析 / p37 (0022.jp2)
  9. 3 量子井戸構造デバイスの量子輸送モデル / p43 (0025.jp2)
  10. 3.1 ウィグナー関数モデル / p43 (0025.jp2)
  11. 3.2 二重障壁構造共鳴トンネルダイオードの電子伝導 / p68 (0037.jp2)
  12. 3.3 透過確率モデルとの比較 / p83 (0045.jp2)
  13. 4 量子井戸構造光デバイスと電気伝導 / p85 (0046.jp2)
  14. 4.1 アバランシェ・フォトダイオードの正孔量子輸送特性 / p85 (0046.jp2)
  15. 4.2 量子井戸レーザーの電子・正孔量子輸送特性 / p93 (0050.jp2)
  16. 5 電子導波路の量子輸送モデル / p99 (0053.jp2)
  17. 5.1 スプリット・ゲートHEMT構造電子導波路 / p99 (0053.jp2)
  18. 5.2 ウィグナー関数モデル / p101 (0054.jp2)
  19. 5.3 電子導波路の電気伝導 / p120 (0063.jp2)
  20. 5.4 他のモデルとの比較 / p125 (0066.jp2)
  21. 5.5 電子導波路の過度応答特性 / p128 (0067.jp2)
  22. 5.6 今後の課題 / p131 (0069.jp2)
  23. 6 結論 / p132 (0069.jp2)
  24. 謝辞 / p134 (0070.jp2)
  25. 参考文献 / p135 (0071.jp2)
  26. 付録 / p140 (0073.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000099648
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000099878
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000263962
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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