量子サイズ構造半導体デバイスの量子輸送に関する研究 リョウシサイズコウゾウハンドウタイデバイスノリョウシユソウニカンスルケンキュウ
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著者
書誌事項
- タイトル
-
量子サイズ構造半導体デバイスの量子輸送に関する研究
- タイトル別名
-
リョウシサイズコウゾウハンドウタイデバイスノリョウシユソウニカンスルケンキュウ
- 著者名
-
土屋, 英昭
- 著者別名
-
ツチヤ, ヒデアキ
- 学位授与大学
-
神戸大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
甲第1182号
- 学位授与年月日
-
1993-03-31
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 1 序論 / p3 (0005.jp2)
- 1.1 量子サイズ構造半導体デバイス / p3 (0005.jp2)
- 1.2 量子輸送モデル / p7 (0007.jp2)
- 2 量子力学的輸送方程式 / p10 (0008.jp2)
- 2.1 有効質量方程式 / p10 (0008.jp2)
- 2.2 ウィグナー関数による輸送方程式の記述 / p22 (0014.jp2)
- 2.3 透過確率を用いた定常解析 / p37 (0022.jp2)
- 3 量子井戸構造デバイスの量子輸送モデル / p43 (0025.jp2)
- 3.1 ウィグナー関数モデル / p43 (0025.jp2)
- 3.2 二重障壁構造共鳴トンネルダイオードの電子伝導 / p68 (0037.jp2)
- 3.3 透過確率モデルとの比較 / p83 (0045.jp2)
- 4 量子井戸構造光デバイスと電気伝導 / p85 (0046.jp2)
- 4.1 アバランシェ･フォトダイオードの正孔量子輸送特性 / p85 (0046.jp2)
- 4.2 量子井戸レーザーの電子･正孔量子輸送特性 / p93 (0050.jp2)
- 5 電子導波路の量子輸送モデル / p99 (0053.jp2)
- 5.1 スプリット･ゲートHEMT構造電子導波路 / p99 (0053.jp2)
- 5.2 ウィグナー関数モデル / p101 (0054.jp2)
- 5.3 電子導波路の電気伝導 / p120 (0063.jp2)
- 5.4 他のモデルとの比較 / p125 (0066.jp2)
- 5.5 電子導波路の過度応答特性 / p128 (0067.jp2)
- 5.6 今後の課題 / p131 (0069.jp2)
- 6 結論 / p132 (0069.jp2)
- 謝辞 / p134 (0070.jp2)
- 参考文献 / p135 (0071.jp2)
- 付録 / p140 (0073.jp2)