プラズマ励起プロセスによる新成膜法の研究

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著者

    • 申, 英寿 シン, ヒデトシ

書誌事項

タイトル

プラズマ励起プロセスによる新成膜法の研究

著者名

申, 英寿

著者別名

シン, ヒデトシ

学位授与大学

広島大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第1267号

学位授与年月日

1994-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 梗概 / p1 (0005.jp2)
  3. 第1章 本研究の目的と背景 / p5 (0007.jp2)
  4. 文献 / p7 (0008.jp2)
  5. 第2章 シリコン系薄膜の形成技術と表面反応診断装置 / p8 (0008.jp2)
  6. 2.1 緒言 / p8 (0008.jp2)
  7. 2.2 SiH₄プラズマによるシリコン薄膜の形成 / p8 (0008.jp2)
  8. 2.3 プラズマCVD装置 / p9 (0009.jp2)
  9. 2.4 全反射赤外吸収分光法を用いたその場観察 / p12 (0010.jp2)
  10. 文献 / p14 (0011.jp2)
  11. 第3章 プラズマCVDによる極低温基板上へのシリコン薄膜の形成及び物性評価 / p16 (0012.jp2)
  12. 3.1 緒言 / p16 (0012.jp2)
  13. 3.2 試料の作製 / p16 (0012.jp2)
  14. 3.3 極低温基板上へのシリコン薄膜の形成及び膜物性評価 / p17 (0013.jp2)
  15. 3.4 異なる基板温度におけるシリコン薄膜の形成 / p23 (0016.jp2)
  16. 3.5 まとめ / p27 (0018.jp2)
  17. 文献 / p28 (0018.jp2)
  18. 第4章 入射イオン制御によるシリコン薄膜及びシリコン酸化膜の高流動性プラズマCVD / p29 (0019.jp2)
  19. 4.1 緒言 / p29 (0019.jp2)
  20. 4.2 試料の作製 / p29 (0019.jp2)
  21. 4.3 シリコン薄膜の高流動性プラズマCVD / p29 (0019.jp2)
  22. 4.4 横方向に形成したトレンチ基板上への堆積 / p32 (0020.jp2)
  23. 4.5 シリコン酸化膜の高流動性プラズマCVD / p34 (0021.jp2)
  24. 4.6 まとめ / p37 (0023.jp2)
  25. 文献 / p37 (0023.jp2)
  26. 第5章 高流動性プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成における基板バイアス効果 / p38 (0023.jp2)
  27. 5.1 緒言 / p38 (0023.jp2)
  28. 5.2 試料の作製 / p38 (0023.jp2)
  29. 5.3 赤外吸収分光によるシリコン薄膜の構造評価 / p39 (0024.jp2)
  30. 5.4 基板バイアス効果 / p39 (0024.jp2)
  31. 5.5 横方向トレンチ基板への堆積 / p41 (0025.jp2)
  32. 5.6 まとめ / p42 (0025.jp2)
  33. 文献 / p43 (0026.jp2)
  34. 第6章 表面重合反応によるシリコン薄膜及びシリコン酸化膜の高流動性プラズマCVD / p44 (0026.jp2)
  35. 6.1 緒言 / p44 (0026.jp2)
  36. 6.2 試料の作製 / p44 (0026.jp2)
  37. 6.3 Si₂H₆を用いたシリコン薄膜の堆積 / p45 (0027.jp2)
  38. 6.4 高い分圧のSiH₄を用いたシリコン薄膜堆積 / p48 (0028.jp2)
  39. 6.5 シリコン酸化膜の堆積 / p49 (0029.jp2)
  40. 6.6 まとめ / p51 (0030.jp2)
  41. 文献 / p51 (0030.jp2)
  42. 第7章 高流動性プラズマCVDによるシリコン酸化膜の結合水素除去 / p52 (0030.jp2)
  43. 7.1 緒言 / p52 (0030.jp2)
  44. 7.2 試料の作製 / p52 (0030.jp2)
  45. 7.3 酸素雰囲気中常圧アニール効果 / p53 (0031.jp2)
  46. 7.4 酸素プラズマ処理効果 / p55 (0032.jp2)
  47. 7.5 弗素系ガス添加によるシリコン酸化膜の結合水素除去 / p61 (0035.jp2)
  48. 7.6 まとめ / p69 (0039.jp2)
  49. 文献 / p69 (0039.jp2)
  50. 第8章 全反射赤外吸収分光法を用いた膜堆積過程のその場観察 / p70 (0039.jp2)
  51. 8.1 緒言 / p70 (0039.jp2)
  52. 8.2 実験方法 / p70 (0039.jp2)
  53. 8.3 重水素プラズマによるSiH終端表面水素の重水素置換 / p71 (0040.jp2)
  54. 8.4 SiH₄プラズマによるシリコン薄膜堆積過程の直接観察 / p74 (0041.jp2)
  55. 8.5 まとめ / p79 (0044.jp2)
  56. 文献 / p80 (0044.jp2)
  57. 今後の課題 / p81 (0045.jp2)
  58. 結論 / p82 (0045.jp2)
  59. 謝辞 / p85 (0047.jp2)
  60. 本研究に関する発表論文 / p86 (0047.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000115021
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000115279
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000279335
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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