ULSIプロセスにおけるエッチング及びCVDの表面反応過程に関する研究

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著者

    • 坂上, 弘之 サカウエ, ヒロユキ

書誌事項

タイトル

ULSIプロセスにおけるエッチング及びCVDの表面反応過程に関する研究

著者名

坂上, 弘之

著者別名

サカウエ, ヒロユキ

学位授与大学

広島大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2418号

学位授与年月日

1993-05-13

注記・抄録

博士論文

目次 / p1第1章 序説 / p1 1.1 ULSIプロセスにおけるエッチングおよびCVD技術 / p1 1.2 表面反応研究の重要性 / p2 1.3 本研究の目的 / p2 1.4 概要 / p3 第1章の参考文献 / p6第2章 デジタル・エッチングによるSiの原子層エッチングと表面反応過程 / p9 2.1 はじめに / p9 2.2 実験方法 / p9 2.3 原子層エッチング / p10 2.4 Si/F系の低温エッチング機構 / p12 2.5 マイクロ・ローディング / p16 2.6 微細細線による側壁への損傷評価 / p17 2.7 F、Cl/SiによるSiエッチング速度のAr⁺、Ne⁺イオンエネルギー依存性 / p22 2.8 まとめ / p23 第2章の参考文献 / p24第3章 フッ素、塩素/Si反応表面へのレーザ照射効果 / p25 3.1 はじめに / p25 3.2 実験装置と実験方法 / p25 3.3 RIE表面へのエキシマレーザ照射による増速効果 / p25 3.4 XPSとLIDによるフッ素/Si表面反応観察 / p28 3.5 まとめ / p33 第3章の参考文献 / p33第4章 AIのレーザ誘起パターン転写エッチング / p35 4.1 はじめに / p35 4.2 実験装置および実験方法 / p35 4.3 エッチング終点検出 / p37 4.4 エッチング特性とパターン転写のモデル / p37 4.5 酸素注入効果 / p39 4.6 まとめ / p42 第4章の参考文献 / p42第5章 CH₃OHを用いたITO膜エッチングの反応機構 / p43 5.1 はじめに / p43 5.2 実験方法 / p43 5.3 エッチング特性 / p44 5.4 XPSを用いたエッチング反応機構の検討 / p47 5.5 CH₃OHプラズマに曝されたレジスト表面の評価 / p51 5.6 各種下地材料とのエッチング選択比の比較 / p53 5.7 まとめ / p53第5章の参考文献 / p53第6章 SiH₄/O₂を用いたSi酸化膜のデジタルCVD / p55 6.1 はじめに / p55 6.2 実験方法 / p55 6.3 堆積特性と膜質評価 / p56 6.4 まとめ / p63 第6章の参考文献 / p63第7章 有機系ガスを用いたデジタルCVDと反応機構 / p65 7.1 有機系ガスによるコンフォーマル堆積 / p65 7.2 in-situ FTIR法によるTES/水素反応過程の観察 / p72 7.3 デジタル法によるSi酸化膜および窒化膜の形成 / p79 7.4 まとめ / p84 第7章の参考文献 / p86第8章 AIの選択CVDの反応過程 / p87 8.1 はじめに / p87 8.2 DMAIHを用いた実験 / p87 8.3 in-situ FTIR-ATRによる選択成長過程の検討 / p95 8.4 DEAIHを用いた実験 / p99 8.5 まとめ / p107 第8章の参考文献 / p107第9章 結論 / p109謝辞 / p112発表論文リスト / p113 1.主要関係論文リスト / p113 2.参考論文リスト / p115

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序説 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 ULSIプロセスにおけるエッチングおよびCVD技術 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 表面反応研究の重要性 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的 / p2 (0006.jp2)
  6. 1.4 概要 / p3 (0006.jp2)
  7. 第1章の参考文献 / p6 (0008.jp2)
  8. 第2章 デジタル・エッチングによるSiの原子層エッチングと表面反応過程 / p9 (0009.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p9 (0009.jp2)
  10. 2.2 実験方法 / p9 (0009.jp2)
  11. 2.3 原子層エッチング / p10 (0010.jp2)
  12. 2.4 Si/F系の低温エッチング機構 / p12 (0011.jp2)
  13. 2.5 マイクロ・ローディング / p16 (0013.jp2)
  14. 2.6 微細細線による側壁への損傷評価 / p17 (0013.jp2)
  15. 2.7 F、Cl/SiによるSiエッチング速度のAr⁺、Ne⁺イオンエネルギー依存性 / p22 (0016.jp2)
  16. 2.8 まとめ / p23 (0016.jp2)
  17. 第2章の参考文献 / p24 (0017.jp2)
  18. 第3章 フッ素、塩素/Si反応表面へのレーザ照射効果 / p25 (0017.jp2)
  19. 3.1 はじめに / p25 (0017.jp2)
  20. 3.2 実験装置と実験方法 / p25 (0017.jp2)
  21. 3.3 RIE表面へのエキシマレーザ照射による増速効果 / p25 (0017.jp2)
  22. 3.4 XPSとLIDによるフッ素/Si表面反応観察 / p28 (0019.jp2)
  23. 3.5 まとめ / p33 (0021.jp2)
  24. 第3章の参考文献 / p33 (0021.jp2)
  25. 第4章 AIのレーザ誘起パターン転写エッチング / p35 (0022.jp2)
  26. 4.1 はじめに / p35 (0022.jp2)
  27. 4.2 実験装置および実験方法 / p35 (0022.jp2)
  28. 4.3 エッチング終点検出 / p37 (0023.jp2)
  29. 4.4 エッチング特性とパターン転写のモデル / p37 (0023.jp2)
  30. 4.5 酸素注入効果 / p39 (0024.jp2)
  31. 4.6 まとめ / p42 (0026.jp2)
  32. 第4章の参考文献 / p42 (0026.jp2)
  33. 第5章 CH₃OHを用いたITO膜エッチングの反応機構 / p43 (0026.jp2)
  34. 5.1 はじめに / p43 (0026.jp2)
  35. 5.2 実験方法 / p43 (0026.jp2)
  36. 5.3 エッチング特性 / p44 (0027.jp2)
  37. 5.4 XPSを用いたエッチング反応機構の検討 / p47 (0028.jp2)
  38. 5.5 CH₃OHプラズマに曝されたレジスト表面の評価 / p51 (0030.jp2)
  39. 5.6 各種下地材料とのエッチング選択比の比較 / p53 (0031.jp2)
  40. 5.7 まとめ / p53 (0031.jp2)
  41. 第5章の参考文献 / p53 (0031.jp2)
  42. 第6章 SiH₄/O₂を用いたSi酸化膜のデジタルCVD / p55 (0032.jp2)
  43. 6.1 はじめに / p55 (0032.jp2)
  44. 6.2 実験方法 / p55 (0032.jp2)
  45. 6.3 堆積特性と膜質評価 / p56 (0033.jp2)
  46. 6.4 まとめ / p63 (0036.jp2)
  47. 第6章の参考文献 / p63 (0036.jp2)
  48. 第7章 有機系ガスを用いたデジタルCVDと反応機構 / p65 (0037.jp2)
  49. 7.1 有機系ガスによるコンフォーマル堆積 / p65 (0037.jp2)
  50. 7.2 in-situ FTIR法によるTES/水素反応過程の観察 / p72 (0041.jp2)
  51. 7.3 デジタル法によるSi酸化膜および窒化膜の形成 / p79 (0044.jp2)
  52. 7.4 まとめ / p84 (0047.jp2)
  53. 第7章の参考文献 / p86 (0048.jp2)
  54. 第8章 AIの選択CVDの反応過程 / p87 (0048.jp2)
  55. 8.1 はじめに / p87 (0048.jp2)
  56. 8.2 DMAIHを用いた実験 / p87 (0048.jp2)
  57. 8.3 in-situ FTIR-ATRによる選択成長過程の検討 / p95 (0052.jp2)
  58. 8.4 DEAIHを用いた実験 / p99 (0054.jp2)
  59. 8.5 まとめ / p107 (0058.jp2)
  60. 第8章の参考文献 / p107 (0058.jp2)
  61. 第9章 結論 / p109 (0059.jp2)
  62. 謝辞 / p112 (0061.jp2)
  63. 発表論文リスト / p113 (0061.jp2)
  64. 1.主要関係論文リスト / p113 (0061.jp2)
  65. 2.参考論文リスト / p115 (0062.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000115042
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000115300
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000279356
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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