ULSIプロセスにおけるエッチング及びCVDの表面反応過程に関する研究

博士論文

目次 / p1 第1章 序説 / p1 　1.1 ULSIプロセスにおけるエッチングおよびCVD技術 / p1 　1.2 表面反応研究の重要性 / p2 　1.3 本研究の目的 / p2 　1.4 概要 / p3 　第1章の参考文献 / p6 第2章 デジタル・エッチングによるSiの原子層エッチングと表面反応過程 / p9 　2.1 はじめに / p9 　2.2 実験方法 / p9 　2.3 原子層エッチング / p10 　2.4 Si/F系の低温エッチング機構 / p12 　2.5 マイクロ・ローディング / p16 　2.6 微細細線による側壁への損傷評価 / p17 　2.7 F、Cl/SiによるSiエッチング速度のAr⁺、Ne⁺イオンエネルギー依存性 / p22 　2.8 まとめ / p23 　第2章の参考文献 / p24 第3章 フッ素、塩素/Si反応表面へのレーザ照射効果 / p25 　3.1 はじめに / p25 　3.2 実験装置と実験方法 / p25 　3.3 RIE表面へのエキシマレーザ照射による増速効果 / p25 　3.4 XPSとLIDによるフッ素/Si表面反応観察 / p28 　3.5 まとめ / p33 　第3章の参考文献 / p33 第4章 AIのレーザ誘起パターン転写エッチング / p35 　4.1 はじめに / p35 　4.2 実験装置および実験方法 / p35 　4.3 エッチング終点検出 / p37 　4.4 エッチング特性とパターン転写のモデル / p37 　4.5 酸素注入効果 / p39 　4.6 まとめ / p42 　第4章の参考文献 / p42 第5章 CH₃OHを用いたITO膜エッチングの反応機構 / p43 　5.1 はじめに / p43 　5.2 実験方法 / p43 　5.3 エッチング特性 / p44 　5.4 XPSを用いたエッチング反応機構の検討 / p47 　5.5 CH₃OHプラズマに曝されたレジスト表面の評価 / p51 　5.6 各種下地材料とのエッチング選択比の比較 / p53 　5.7 まとめ / p53 第5章の参考文献 / p53 第6章 SiH₄/O₂を用いたSi酸化膜のデジタルCVD / p55 　6.1 はじめに / p55 　6.2 実験方法 / p55 　6.3 堆積特性と膜質評価 / p56 　6.4 まとめ / p63 　第6章の参考文献 / p63 第7章 有機系ガスを用いたデジタルCVDと反応機構 / p65 　7.1 有機系ガスによるコンフォーマル堆積 / p65 　7.2 in-situ FTIR法によるTES/水素反応過程の観察 / p72 　7.3 デジタル法によるSi酸化膜および窒化膜の形成 / p79 　7.4 まとめ / p84 　第7章の参考文献 / p86 第8章 AIの選択CVDの反応過程 / p87 　8.1 はじめに / p87 　8.2 DMAIHを用いた実験 / p87 　8.3 in-situ FTIR-ATRによる選択成長過程の検討 / p95 　8.4 DEAIHを用いた実験 / p99 　8.5 まとめ / p107 　第8章の参考文献 / p107 第9章 結論 / p109 謝辞 / p112 発表論文リスト / p113 　1.主要関係論文リスト / p113 　2.参考論文リスト / p115