電子デバイス用薄膜の形成と評価に関する研究

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著者

    • 川畑, 敬志 カワバタ, ケイシ

書誌事項

タイトル

電子デバイス用薄膜の形成と評価に関する研究

著者名

川畑, 敬志

著者別名

カワバタ, ケイシ

学位授与大学

広島大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2527号

学位授与年月日

1994-02-10

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 梗概 / p1 (0006.jp2)
  2. 第一章 序論 / p5 (0010.jp2)
  3. §1.1 本研究の目的 / p5 (0010.jp2)
  4. §1.2 歴史的背景 / p6 (0011.jp2)
  5. 文献 / p9 (0014.jp2)
  6. 第二章 RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法 / p12 (0017.jp2)
  7. §2.1 緒言 / p12 (0017.jp2)
  8. §2.2 RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法の原理 / p12 (0017.jp2)
  9. §2.3 試料作製 / p17 (0022.jp2)
  10. §2.4 放電特性のDCバイアス依存性 / p18 (0023.jp2)
  11. §2.5 膜堆積速度のDCバイアス制御効果 / p19 (0024.jp2)
  12. §2.6 まとめ / p22 (0027.jp2)
  13. 文献 / p22 (0027.jp2)
  14. 第三章 RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるW及びMo薄膜 / p23 (0028.jp2)
  15. §3.1 緒言 / p23 (0028.jp2)
  16. §3.2 DCバイアス制御によるW及びMo薄膜の電気的特性 / p23 (0028.jp2)
  17. §3.3 W及びMo薄膜の結晶構造評価 / p25 (0030.jp2)
  18. §3.4 スパッタ膜中のAr混入率評価 / p27 (0032.jp2)
  19. §3.5 まとめ / p29 (0034.jp2)
  20. 付録 / p30 (0035.jp2)
  21. 文献 / p31 (0036.jp2)
  22. 第四章 透明導電CuI薄膜 / p32 (0037.jp2)
  23. §4.1 緒言 / p32 (0037.jp2)
  24. §4.2 真空蒸着によるCuI薄膜の作製 / p32 (0037.jp2)
  25. §4.3 RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるCuI薄膜の組成制御 / p35 (0040.jp2)
  26. §4.4 CuI薄膜の電気的特性及び光透過率特性 / p37 (0042.jp2)
  27. §4.5 まとめ / p40 (0045.jp2)
  28. 文献 / p40 (0045.jp2)
  29. 第五章 p型a-Si:H/SnO₂の界面構造 / p41 (0046.jp2)
  30. §5.1 緒言 / p41 (0046.jp2)
  31. §5.2 プラズマCVD法及び光CVD法によるa-Si:H/SnO₂構造の作製 / p41 (0046.jp2)
  32. §5.3 XPSによるa-Si:H/SnO₂界面構造の評価 / p43 (0048.jp2)
  33. §5.4 まとめ / p48 (0053.jp2)
  34. 文献 / p49 (0054.jp2)
  35. 第六章 p型a-Si:Hまたはp型a-Si₁₋xCx:H/SnO₂構造における拡散バリア効果 / p50 (0055.jp2)
  36. §6.1 緒言 / p50 (0055.jp2)
  37. §6.2 プラズマCVD及び光CVDによる極薄a-Si₃N₄:Hのバリア効果 / p50 (0055.jp2)
  38. §6.3 光窒化a-Si:Hのバリア効果 / p56 (0061.jp2)
  39. §6.4 プラズマ窒化a-Si:Hのバリア効果 / p63 (0068.jp2)
  40. §6.5 まとめ / p65 (0070.jp2)
  41. 文献 / p66 (0071.jp2)
  42. 第七章 SnO₂膜の表面改質による水素プラズマ耐性改善 / p67 (0072.jp2)
  43. §7.1 緒言 / p67 (0072.jp2)
  44. §7.2 SnO₂膜表面の水素プラズマ曝露効果 / p67 (0072.jp2)
  45. §7.3 SnO₂膜表面の弗素化処理 / p72 (0077.jp2)
  46. §7.4 SnO₂膜表面の水蒸気又はエチルアルコール蒸気処理 / p75 (0080.jp2)
  47. §7.5 表面改質されたSnO₂膜の水素プラズマ耐性評価 / p77 (0082.jp2)
  48. §7.6 まとめ / p83 (0088.jp2)
  49. 文献 / p85 (0090.jp2)
  50. 今後の課題・将来展望 / p86 (0091.jp2)
  51. 結論 / p88 (0093.jp2)
  52. 謝辞 / p91 (0096.jp2)
  53. 本研究に関する発表論文リスト / p92 (0097.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000115148
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000115406
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000279462
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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