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混成ソース分子線エピタキシー法によるSiGe成長とSOI構造への応用に関する研究

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著者

    • 和戸, 弘幸 ワド, ヒロユキ

書誌事項

タイトル

混成ソース分子線エピタキシー法によるSiGe成長とSOI構造への応用に関する研究

著者名

和戸, 弘幸

著者別名

ワド, ヒロユキ

学位授与大学

豊橋技術科学大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第158号

学位授与年月日

1996-03-22

注記・抄録

博士論文

豊橋技術科学大学

目次

  1. 論文要旨 / (0003.jp2)
  2. 目次 / (0005.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
  4. §1.1 Si系ヘテロ構造デバイス / p1 (0008.jp2)
  5. §1.2 IV族、特にSiGeヘテロ接合デバイス / p3 (0009.jp2)
  6. §1.3 SOIによるヘテロ構造とその応用 / p4 (0010.jp2)
  7. §1.4 エピタキシャル成長法によるSOI構造形成 / p5 (0010.jp2)
  8. §1.5 本研究の目的 / p8 (0012.jp2)
  9. 参考文献 / p10 (0013.jp2)
  10. 第2章 材料および評価技術 / p13 (0014.jp2)
  11. §2.1 材料 / p13 (0014.jp2)
  12. 2.1.1 SiGeおよびSiGe/Si構造 / p13 (0014.jp2)
  13. 2.1.2 γ-A1₂O₃およびγ-Al₂O₃/Si構造 / p16 (0016.jp2)
  14. §2.2 評価技術 / p18 (0017.jp2)
  15. 2.2.1 反射高速電子線回折(RHEED) / p18 (0017.jp2)
  16. 2.2.2 χ線光電子分光(XPS) / p19 (0017.jp2)
  17. 参考文献 / p24 (0020.jp2)
  18. 第3章 Si₂H₆ガスと固体Geを用いた混成ソース(Si₂H₆-Ge)MBE法によるSiGe成長 / p26 (0021.jp2)
  19. §3.1 緒言 / p26 (0021.jp2)
  20. §3.2 Si₂H₆-Ge MBE装置 / p29 (0022.jp2)
  21. §3.3 SiGe成長膜形成 / p31 (0023.jp2)
  22. §3.4 成長速度の増加およびSiGe/Si多層膜形成 / p34 (0026.jp2)
  23. §3.5 水素サーファクタント効果 / p37 (0028.jp2)
  24. §3.6 成長条件による組成比制御 / p40 (0030.jp2)
  25. §3.7 選択成長 / p43 (0031.jp2)
  26. §3.8 まとめ / p44 (0032.jp2)
  27. 参考文献 / p46 (0033.jp2)
  28. 第4章 酸化膜を用いた混成ソース(Si₂H₆-Ge)MBE法によるSiGe選択成長 / p48 (0034.jp2)
  29. §4.1 緒言 / p48 (0034.jp2)
  30. §4.2 SiGe選択成長 / p49 (0034.jp2)
  31. §4.3 孵化時間と臨界膜厚 / p50 (0035.jp2)
  32. §4.4 選択成長機構 / p54 (0038.jp2)
  33. 4.4.1 SiO₂上への多結晶成長過程におけるXPS分析 / p54 (0038.jp2)
  34. 4.4.2 Ge選択成長 / p55 (0038.jp2)
  35. 4.4.3 初期核形成様式 / p57 (0040.jp2)
  36. §4.5 多結晶SiGe成長機構 / p58 (0041.jp2)
  37. §4.6 まとめ / p62 (0043.jp2)
  38. 参考文献 / p63 (0043.jp2)
  39. 第5章 固体AlとN₂0ガスを用いた混成ソース(Al-N₂0)MBE法によるγ-Al₂O₃成長 / p65 (0044.jp2)
  40. §5.1 緒言 / p65 (0044.jp2)
  41. §5.2 実験装置および方法 / p66 (0045.jp2)
  42. §5.3 混成ソース(Al-N₂0)MBE法によるSi(111)基板上へのγ-Al₂O₃(111)成長 / p68 (0046.jp2)
  43. 5.3.1 成長温度依存性 / p70 (0048.jp2)
  44. 5.3.2 γ-A1₂O₃膜およびAテロ界面の組成分析 / p71 (0049.jp2)
  45. 5.3.3 成長速度の温度依存性 / p73 (0050.jp2)
  46. §5.4 Si(110)およびSi(100)上のγ-Al₂O₃成長 / p74 (0051.jp2)
  47. §5.5 まとめ / p78 (0054.jp2)
  48. 参考文献 / p79 (0055.jp2)
  49. 第6章 混成ソース(Si₂H₆-Ge)MBE法によるAl₂O₃上のSiGe成長 / p81 (0056.jp2)
  50. §6.1 緒言 / p81 (0056.jp2)
  51. §6.2 実験装置および方法 / p82 (0057.jp2)
  52. §6.3 Al₂0₃上の2段階成長とSiGe成長 / p87 (0059.jp2)
  53. §6.4 結晶方位関係および成長膜厚の温度依存性 / p90 (0062.jp2)
  54. §6.5 成長可能な温度が低下した理由 / p94 (0065.jp2)
  55. §6.6 サファイアR面上における(110)方位の混入とSiGe-Al₂O₃界面におけるGe濃度増加 / p97 (0067.jp2)
  56. §6.6 まとめ / p99 (0068.jp2)
  57. 参考文献 / p101 (0069.jp2)
  58. 第7章 総括 / p102 (0070.jp2)
  59. 謝辞 / p107 (0072.jp2)
  60. 付録A / p108 (0073.jp2)
  61. 付録B / p110 (0074.jp2)
  62. 本研究に関する発表論文 / p111 (0074.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000130104
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000953885
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000294418
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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